晶體管的熱學-二次擊穿-開關(guān)特性設(shè)計考慮-在線瀏覽
2024-12-05 16:06本頁面
【正文】 擊穿。 ? 版圖結(jié)構(gòu)上的考慮 功率晶體管的基區(qū)若設(shè)計成單一面積，則由于基區(qū)周長較短而導致熱阻較大，造成管芯間較大的溫差。為了克服這個問題，可以將單一面積的基區(qū)分成若干小基區(qū)，每個基區(qū)構(gòu)成一個子器件，彼此相隔一定距離，并通過金屬化并聯(lián)起來。 二次擊穿與安全工作區(qū) ? 二次擊穿現(xiàn)象 ? 正向二次擊穿 (電流集中型 ) 晶體管內(nèi)得電流分布不可能是完全均勻的。過熱點的溫度足以使該處的半導體或接觸的金屬熔化，造成永久的破壞。 ? 解決電流集中效應(yīng)的方法是采用多個發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻。這種負反饋作用消除了電流集中，使總電流能比較均勻地分布在各個小發(fā)射極上，從而防止二次擊穿發(fā)生。 臨界電壓 VSB=ECWC WC代表 N區(qū)厚度。當 VCE還未達到一次擊穿時，該二極管已經(jīng)導通，將大量電流旁路掉，使集電結(jié)電壓難以再增加，從而避免集電結(jié)的一次擊穿。 ? 晶體管的安全工作區(qū) （ 1）集電極最大電流 ICMAX （ 2）最大耗散功率 PCM （ 3）正向（電流集中型）二次擊穿的臨界功率線 VSBF (4) 反向（雪崩注入型）二次擊穿的臨界功率線 VSBR (5) 發(fā)射極－集電極擊穿電壓 BVCEO 晶體管的開關(guān)特性 ? 晶體管的直流開關(guān)特性 ? 晶體管的瞬態(tài)開關(guān)特性 ? 三極管直流開關(guān)特性 三極管相當于一個由基極電流控制的無觸點開關(guān)。等效電路： IBS??????基極臨界飽和電流； ICS???????集電極飽和電流 ， ICS???? IBS； VCES ???集射極飽和管壓降 。 包括： （ 1） 開通時間 ton —— 從三極管輸入開通信號瞬間開始至 iC上升到 。 ? 提高開關(guān)速度的措施 背面摻金工藝 ,或者摻鉑、進行中子輻射、提高集電區(qū)的摻雜濃度。 （減薄外延層） ，采用肖特基鉗位二極管來阻止晶體管進入深飽和，可以從根本上解決儲存時間過長的問題。 S 高頻晶體管的設(shè)計考慮 Tbb T C8fMrC? ??E E B B B l ….… 高頻晶體管通常是由平面工藝制成的硅 NPN 管。 提高 M 的各項具體措施及其副作用 要使
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