【正文】 的電子特性。這些工具并非完全獨(dú)立于試驗(yàn) 所得 特性，而是充分利用了幾十年以來工業(yè) 經(jīng)驗(yàn)沉積而成的硅晶信息庫。 關(guān)鍵詞 ： 直拉單晶 硅，點(diǎn)缺陷，微缺陷， OSF環(huán)，空穴，缺陷預(yù)測 Developing Quantitative, Multiscale Models for Microgravity Crystal Growth 微重力環(huán)境晶體生長的定量化多尺度模型開發(fā) JEFFREY J. DERBY， a YONGIl KWON， a ARUN PANDY， a PAUL SONDA，a ANDREW YECKEL， a THOMAS JUNG， b AND GEORG MULLER b a Department of Chemical Engineering amp。本文中，我們將回顧微重力環(huán)境晶體生長的簡要發(fā)展史，并通過 對不斷改進(jìn)的 貼切 模型的探討，闡釋并優(yōu)化這些生長試驗(yàn)。其中尤為重要的是能夠描述三維瞬態(tài)連續(xù)場傳輸（流場、熱場、傳質(zhì)場），相變現(xiàn)象（熱力學(xué)和動力學(xué)），以及系統(tǒng)設(shè)計(jì)（比如熔體生長過程中熔爐的熱傳導(dǎo)）。 關(guān)鍵詞 ：晶體 生長，數(shù)學(xué)模型，數(shù)值模型，對流，熱傳導(dǎo)，傳質(zhì)，熔析，微重力，三維 模型，瞬態(tài)分析，有限元方法，多尺度模型，熔爐熱傳導(dǎo) Dynamic prediction of point defects in Czochralski silicon growth. An attempt to reconcile experimental defect diffusion coefficients with the V/G criterion 直拉 法晶體生長中點(diǎn)缺陷的動態(tài)預(yù)測 —— 一次調(diào)和試驗(yàn)缺陷擴(kuò)散系數(shù)和 V/G 準(zhǔn)則的嘗試 N. Van Goethema， A. de Potterb， N. Van den Bogaerta， b， F. Dupreta， b， a CESAME， Universite180。另外，文中調(diào)整了缺陷控制模型，以 做到在符合 V/G準(zhǔn)則的同時， 更好的貼合自間隙和空位擴(kuò)散系數(shù) 的既有測量數(shù)據(jù)。 Effect of the crystal–melt interface on the grownin defects in silicon CZ growth 硅晶 直拉 法生長過程中晶體 熔體界面對原生缺陷的影響 BokCheol Sim， YoHan Jung， JaiEun Lee， HongWoo Lee Crystal Growth Technology Team， LG Siltron， 283 Imsoodong， Gumi， Gyeongbuk 730724， Republic of Korea 摘要 ：通過磁場 直拉 法， 在各種不同的生長條件下生成 直徑 206mm的單晶 硅 。為得到各種形狀的交界面，試驗(yàn)通過將坩堝放置在某固定加熱器和另外多個加熱器的不同相對位置上，獲得各種不同的熱工況以改變?nèi)廴趯α?。隨后通過數(shù)值分析方法分析了試驗(yàn)數(shù)據(jù)。 catholique deLouvain， EulerBuilding， B1348LouvainlaNeuve， Belgium 摘要 ： 本文通過一種原創(chuàng)的數(shù)值技術(shù)，極有效的模擬了 某大體積硅晶體在橫向磁場作用下，在 直拉 法晶體生長過程中的整體熱傳導(dǎo)和 3D熔融流情況。位于晶體和坩堝壁之間的哈特曼層和平行層經(jīng)由文中所示方法得以捕獲，并被證明 在求解迭代搜尋過程中起重要作用，并強(qiáng)烈影響著氧氣向晶體內(nèi)部的傳輸?？偠灾?，對于某些問題，因共有邊界條件，故可通過模塊化設(shè)計(jì)將既有代碼連到一起來解決它們，當(dāng)面臨這種問題時，這種策略因簡單易用而極具吸引力。對于穩(wěn)態(tài)非線性熱傳導(dǎo)模型，固定點(diǎn)迭代法的數(shù)學(xué)框架被用來評估 代碼的收斂行為。某些具有物理合理性的方法可能會造就永不收斂的算法，說明僅基于物理直覺 的方法對于預(yù)測算法的性能并不一定確切的有效。 關(guān)鍵詞 ：熔晶生長，熱傳遞，輻射，傳導(dǎo)，對流，耦合模型 Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces 晶體生長熔爐中熱傳導(dǎo)的全局模擬 F. DUPRET, P. NICODEME, Y. RYCKMANS, P. WOUTERS and M. J. CROCHET Unite de Mecanique Appliquee, Universite Catholique de Louvain, Place du Levant. 2, B1348 LouvainlaNeuve, Belgium 摘要 ：對于熔爐中熱場的定量預(yù)測，以及對生長過程中熔體 晶體界面位置的預(yù)測，要求我們掌握整個熔爐中熱傳導(dǎo)情況精確的信息。 輻射熱交換的計(jì)算，需要基于散射表面假定、顯式隱式算法的使用和 Galerkin離散。固液界面的形狀作為該問題的一個參量，并作為熔融等溫線計(jì)算出來。 Global simulation of the CZ silicon crystal growth upto 400mm in diameter 直拉 法生長 400mm直徑 單晶 硅 的 全局模擬 K. Takano*, Y. Shiraishi, J. Matsubara, T. Iida, N. Takase, N. Machida, M. Kuramoto, H. Yamagishi Crystal Technology Department, Super Silicon Crystal Research Institute Corporation, Nakanoya 5551, Annaka, Gunma 3790125, Japan 摘要 ：該工程主要目的在于考察幾種數(shù)值模擬技術(shù)在 400mm單晶硅 生長中的應(yīng)用。晶體內(nèi)部的熱彈性應(yīng)力通過晶體的溫度場計(jì)算得出。本文中，我們詳述了用于 150mm晶體生長的 18英寸熱區(qū)構(gòu)造的設(shè)計(jì)和試驗(yàn)結(jié)果。對于每一個熱區(qū)構(gòu)造，都進(jìn)行了全局的熱傳遞數(shù)值模擬分析。為降低熱彈性應(yīng)力，生長界面的形狀應(yīng)控制的盡量的平緩。第一代無位錯晶體問世于 1998年，兩年以后，得益于一種晶體懸掛系統(tǒng)，重達(dá) 413kg的史上最重的無位錯晶體問世。 關(guān)鍵詞 ： 法； ； Influence of boron concentration on the oxidationinduced stacking fault ring in Czochralski silicon crystals 直拉 法硅 單晶 生長過程中硼濃度對氧化誘生層錯環(huán)的影響研究 E. Dornberger a, D. Graf a, M. Suhren a, U. Lambert a, P. Wagner a, F. Dupret b, W. von Ammon a a Wacker Siltronic AG, . Box 1140, D84479 Burghausen, Germany b CESAME, Universitb Catholique de Louvain, 4 av. G. Lemaitre, B1348 LouvainlaNeuve, Belgium 摘要 ： 本文通過試驗(yàn)和數(shù)值模擬，研究了硼摻雜值位于 11015 2 1019 cm 3范圍內(nèi)時，該值對于硅晶體中氧化誘生層錯環(huán)（ ROSF）位置的影響。當(dāng)硼濃度高于 1017 cm 3時，將會改變 ROSF同晶片中心的相對位置，但是不改變生長參數(shù)。環(huán)外可觀測到低 COP密度分布和高GOI率分布；環(huán)內(nèi)緣區(qū)域可觀測到高 COP密度分布和中等的 GOI率分布。 關(guān)鍵詞 ：硅；晶體生長；氧化誘生層錯環(huán)；模擬分析 Modeling of transient point defect dynamics in Czochralski silicon crystals 直拉 法硅晶體點(diǎn)缺陷動態(tài)行為瞬態(tài)模擬 E. Dornberger a, W. von Ammon a, J. Virbulis a, B. Hanna a, T. Sinno b a Wacker Siltronic AG, . Box 1140, D84479 Burghausen, Germany b Department of Chemical Engineering, University of Penn