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emc電磁屏蔽材料設(shè)計(jì)者指南doc64-經(jīng)營(yíng)管理-在線瀏覽

2024-10-19 15:39本頁(yè)面
  

【正文】 制性要求在第15部分,第18部分也與EMC有關(guān)。它規(guī)定了在一些頻率點(diǎn)上允許的最大幅射值和10KH z至245GH z頻段內(nèi)這類設(shè)備可以使用的頻段。相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)VDE0871覆蓋了所的產(chǎn)生或處理射頻能量的設(shè)備。唯一的限制是設(shè)備產(chǎn)生的基頻高于10KH z。極限值也分為A級(jí)和B級(jí),更嚴(yán)格的B級(jí)適用于通用的用途。VDE關(guān)于輻射和傳導(dǎo)的極限值在表1 .5和表1 .6 中給出。 表1 .5VDE輻射干擾極限值 表1 .6VDE傳導(dǎo)發(fā)射干擾極限值 頻率范圍, MHz 場(chǎng)強(qiáng)( μV/m ) 頻率范圍, MHz 射頻電壓( μV ) 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 6 頁(yè) 共 62 頁(yè) A級(jí) 100m B 級(jí) 30m 34 34 30 米 10 米 34 34 30 米 10 米 3041 54 34 4168 34 68174 54 34 174230 34 230470 54 34 470760 45 46 7601000 5957 46 A級(jí) B 級(jí) 66 54 60 48 英國(guó) 從表1 .2中可以看出,英 國(guó)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了好幾個(gè)關(guān)于EMI的標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的范圍和內(nèi)容與CISPR22相同,盡管它們的標(biāo)題不同。兩級(jí)都包含準(zhǔn)峰值和平均測(cè)量的要求。表1 .7給出了推薦的輻射場(chǎng)強(qiáng)極限值。 表1 .7 6257輻射干 擾極限值 表1 .8 BS6257傳導(dǎo)發(fā)射干擾極限值 頻率范圍, MHz 場(chǎng)強(qiáng)( μV/m) A級(jí) 30m B 級(jí) 10m 30230 30 30 2301000 37 37 頻率范圍,MHz 射頻電壓( μV) A級(jí) B 級(jí) 準(zhǔn)峰值 平均值 準(zhǔn)峰值 平均值 79 66 66 減到56 56 減到46 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 7 頁(yè) 共 62 頁(yè) 73 60 56 46 530 73 60 60 50 歐洲經(jīng)濟(jì)共同體 為了在歐共體內(nèi)實(shí)現(xiàn)單一的EMC標(biāo)準(zhǔn),以適應(yīng)1992實(shí)行的單一歐洲市場(chǎng),歐 洲委員會(huì)推行了歐共指令89/336/EEC,它要求成員對(duì)所有的電子裝置的電磁兼容性法規(guī)化。這個(gè)指令中定義的 “ 裝置 ” 包括所有電氣、電子應(yīng)用設(shè)備以及配套的電氣、電子器件。目前,這種例外包括機(jī)動(dòng)車點(diǎn)火系統(tǒng)和某些電度表。這個(gè)法規(guī)不僅適用于設(shè)備的新設(shè)計(jì),也適用于指令實(shí)施后繼續(xù)生產(chǎn)的已有設(shè)計(jì)。成員國(guó)必須將這 些標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)等同使用,任何矛盾的標(biāo)準(zhǔn)必須撤除。 制造商有兩種方法來(lái)證明符合這個(gè)指令,即 “ 自認(rèn)證 ” 和使用 “ 技術(shù)構(gòu)造文件 ” 。在這種方法中,沒有明確要求要使用特許的設(shè)施。在關(guān)于產(chǎn)品符合性的爭(zhēng)端中,一個(gè)由特許測(cè)試部門提供的測(cè)試報(bào)告是十分有分量的。這個(gè)文件描述的裝置,列出保證設(shè)備與指令一致的措施,并包含一個(gè)技術(shù)報(bào)告或權(quán)威部門的認(rèn)證。任何權(quán)威部門提供認(rèn)證在歐共體的所有成員國(guó)內(nèi)都是可行的。配套標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-462規(guī)定了必要的測(cè)試裝置。 另一個(gè)關(guān)于EMI的軍用標(biāo)準(zhǔn)是保密的TEMPEST計(jì)劃,這是用來(lái)保證保密通信系統(tǒng)安全的。象對(duì)電子竊聽很脆弱的CRT終端那樣的軍用產(chǎn)品就屬于TEMPEST的范疇。 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 8 頁(yè) 共 62 頁(yè) 由于關(guān)于EMC的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)十分復(fù)雜,關(guān)于信息技術(shù)設(shè)備的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)總結(jié)在表1 .9中。 表 信息技術(shù)設(shè)備( ITE)的電磁兼 容標(biāo)準(zhǔn) IEC/CISPR FCC CENELECEC 英國(guó)標(biāo)準(zhǔn) 傳電和輻射發(fā)射 CISPR22 15 部分 J 子部分 EN55022 BS6527 關(guān)于以下的敏感度 靜電放電 IEC8012 EN55 1012 BS6667 第二部分 輻射電磁場(chǎng) IEC8013 EN55 1013 BS6667 第三部分 電氣快速瞬態(tài) IEC8014 BS6667 第四部分 電源線良涌 IEC8015 BS6667 第五部分 輻射磁場(chǎng) CISPR 未發(fā)表的建 議稿 遠(yuǎn)程通信線路的傳導(dǎo)發(fā)射 CISPR 測(cè)試 現(xiàn)有的規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品輻射的電場(chǎng)強(qiáng)度的極限值是在3 m、10 m或30 m處規(guī)定的。測(cè)試場(chǎng)地的背景電磁能量大大低于測(cè)試范圍。被測(cè)系統(tǒng)要放在轉(zhuǎn)臺(tái)上,這樣可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)來(lái)找到最大輻射信號(hào)。這樣就可以測(cè)量系統(tǒng)工作時(shí)的輻射了。大多數(shù)輻射測(cè)試是在開闊場(chǎng)中進(jìn)行,開闊場(chǎng)是精心選擇的,其電磁背景很低,周圍沒有反射物,如建筑物。 為了獲得不同材料的屏蔽效能,采用一些其它的測(cè)試方法。在密封的屏蔽盒內(nèi)放置接收天線的裝置如圖1-5所示。屏蔽室內(nèi)有信號(hào)發(fā)生器和發(fā)射天線。這種材料的屏蔽效能就是兩個(gè)值的比值。圖1-6所示的四個(gè)屏蔽室的裝置可以用來(lái)提高測(cè)量精確度,并且拓寬測(cè)量的頻率范圍。麥克斯威爾、法拉第和其它人在電子學(xué)之前就建立了描述電場(chǎng)和磁場(chǎng)的基本方程式。 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 10 頁(yè) 共 62 頁(yè) 電場(chǎng)和磁場(chǎng)的衰減用從試驗(yàn)中得到的方程式能夠更好的表達(dá),這些方程式在屏蔽的設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用。源的種類賦予了場(chǎng)一些特征,如輻射幅度。 在電磁屏蔽中,波阻抗 Zw 是聯(lián)系這些參數(shù)的有用的概念。 源上的驅(qū)動(dòng)電壓決定 了干擾的特性。結(jié)果是在天線附近產(chǎn)生較小的電場(chǎng)和較大的磁場(chǎng),具有較低的波阻抗。這時(shí),稱為平面波,作為參考, 1MHz的波長(zhǎng)是 300m。兩種場(chǎng)的分界以波長(zhǎng)λ 除以 2π 的距離為分界點(diǎn)。源與過(guò)渡區(qū)是近場(chǎng),超過(guò)這點(diǎn)為遠(yuǎn)場(chǎng)。如果源是大電流、低電 壓。高電壓、小電流的源產(chǎn)生電場(chǎng)為主的波。由于這時(shí)屏蔽殼與源之間的距離通常在厘米數(shù)量級(jí),相對(duì)于屏蔽電磁波為近場(chǎng)的情況。 知道干擾輻射的近場(chǎng)波阻抗對(duì)于設(shè)計(jì)控制方法是十分有用的。反過(guò)來(lái),用能將電磁波中電矢量短路的高導(dǎo)電性金屬能夠屏蔽電場(chǎng)波和平面波。因此,一塊高導(dǎo)電率的薄銅片對(duì)低阻抗波的作用很小。入射波的一部分在屏蔽體的前表面反射,另一部分被吸收,還有一部分在后表面反射,如圖 17所示。 SE=A+R+B 表 和表 給出了不同的屏蔽效能,吸收損耗的計(jì)算公式如下: A= 式中; t屏蔽厚度, cm。 以下是計(jì)算平面后反射損耗的公式,等于電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波有類似的公式。 如果吸收因子 6dB以上,多次反射因子 B可以忽略,僅當(dāng)屏蔽層很薄或頻率低于20KHz時(shí), B才是重要的。同樣,在設(shè)計(jì)電場(chǎng)或平面波屏蔽時(shí),只考慮反射因子。屏蔽的一個(gè)作用是將這些電流 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 12 頁(yè) 共 62 頁(yè) 在最小擾動(dòng)的情況下送到大地,如果在電流的路徑上有開口,電流受到擾動(dòng)要繞過(guò)開口。這個(gè)電壓在開口上感應(yīng)出電場(chǎng)并產(chǎn)生輻射。為了限制開口效應(yīng),一個(gè)一般的規(guī)則是,如果屏蔽體的屏蔽效能要達(dá)到 60dB,開口長(zhǎng)度在感興趣的最高頻率處不能超過(guò) 。 值得指出的是,材料本身的屏蔽特性并不是十分重要的,相比之下縫隙開口等屏蔽不連續(xù)性是更應(yīng)該注意的因素。為了用較低的成本來(lái)解決這些問(wèn)題,必須在項(xiàng)目的初期就考慮適當(dāng)?shù)?EMC措施來(lái)滿足相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)。 EMC電磁屏蔽材料設(shè)計(jì)者指南 —— 連載(二) 中國(guó)最大的管 理 資料下載中心 (收集 \整理 . 大量免費(fèi)資源共享 ) 第 13 頁(yè) 共 62 頁(yè) 導(dǎo)電涂層 有了前一章中關(guān)于 RFI/EMI背景的考慮,現(xiàn)在能研究導(dǎo)電涂層的選擇范圍。 天然干擾源 — 例如雷電放電; ( 1)干擾場(chǎng) 干擾能量沿著導(dǎo)線和自由空間傳播。所傳播的各種干擾都存在一定的頻率范圍。這種干擾不能靠簡(jiǎn)單的屏蔽機(jī)殼來(lái)防止,而只能 用適當(dāng)?shù)木€路濾波器來(lái)保護(hù)有用信號(hào)不受損害。 就電磁波而論,電場(chǎng)強(qiáng)度 E和磁場(chǎng)強(qiáng)度 H是由一定的關(guān)系或聯(lián)系在一起的。在相應(yīng)的頻率范圍中符合一定的規(guī)則。這里,頻率的影響取決于所用屏蔽材料的壁厚和導(dǎo)磁率。這時(shí)電力 線不再保證全部是連續(xù)的,從約 100MHz頻率開始,電場(chǎng)屏蔽效能將逐漸減小,而磁場(chǎng)屏蔽效能則不再增加。均勻平面波的屏蔽取決于各自分量在屏蔽材料表面的集膚效應(yīng),屏蔽材料的導(dǎo)電率將決定波的反射損耗。 ① 傳導(dǎo) RFI/EMI可以通過(guò)信號(hào)線、天 線饋線、電源線、甚至通過(guò) RFI/EMI敏感設(shè)備之間的接地線進(jìn)行傳導(dǎo)?;プ杩箍梢允请妼?dǎo)、電容或電感,或者是它們的任意組合。 RFI/EMI也可由進(jìn)入敏感設(shè)備的導(dǎo)線和電纜進(jìn)行輻射,任何一個(gè)良好的電磁能量輻射器也可以作為良好的接 收器。有效的屏蔽對(duì)設(shè)備自射 產(chǎn)生的電磁波也同樣有效,它可以防止自身產(chǎn)生的電磁波對(duì)其它設(shè)備造成危險(xiǎn)。 當(dāng)電磁波在導(dǎo)電體內(nèi)引起感應(yīng)電流時(shí),如果該導(dǎo)電體是由良好導(dǎo)體制成,此電流不會(huì)穿透該導(dǎo)電體。然而,應(yīng)當(dāng)明白,電磁波所感應(yīng)的電流不應(yīng)傳導(dǎo)至屏蔽體的內(nèi)部,這樣的電流才是允許的,否則,該電流就有可能傳導(dǎo)至設(shè)備或通過(guò)電磁波 到達(dá)設(shè)備。 電磁波感應(yīng)的電流沿著電阻最小的路徑并繞著無(wú)縫金屬機(jī)箱外表面運(yùn)行,但遇到任何一個(gè)連接面時(shí),該電流寧愿繞過(guò)一個(gè)面進(jìn)入內(nèi)部而不越過(guò)窄縫隙到達(dá)另一個(gè)面,如圖 。這種導(dǎo)電路徑是用特殊的襯墊和在連接表面進(jìn)行導(dǎo)電涂敷而建立的,導(dǎo)電襯墊將在另外兩章中詳細(xì)討論。對(duì)于較低頻率或較長(zhǎng)波長(zhǎng)來(lái)說(shuō),如果只有一個(gè)小孔則不會(huì)明顯降低屏蔽效能;對(duì)于高頻或較短波長(zhǎng)來(lái)說(shuō),屏蔽效能的下降將是很劇烈的。直徑為 15mm的孔對(duì)于 1GHz信號(hào)只能提供 20dB衰減。如果高頻信號(hào)波長(zhǎng)時(shí),屏蔽效能將進(jìn)一步降低。 圖 RFI/EMI能量是如何通過(guò)吸收、反射和傳導(dǎo)而耗散的。由于增 加了對(duì) RFI/EMI能量的反射和吸收的總和,使所傳輸?shù)碾姶拍芰繙p小。很明顯這種材料必須具有良好的導(dǎo)導(dǎo)性,所以未處理過(guò)的塑料是無(wú)用的,因?yàn)殡姶挪苤苯油ㄟ^(guò)它。然而,應(yīng)當(dāng)記住,不能只考慮導(dǎo)電性,其理由就在于,電磁 波不但有電場(chǎng)分量,還有磁場(chǎng)分量。鋼是一種良導(dǎo)體,而磁導(dǎo)率的量級(jí)也會(huì)令人滿意。 應(yīng)當(dāng)注意,低頻電磁波比高頻電磁波有更高的磁場(chǎng)分量。 用于屏蔽外場(chǎng)直接耦合的機(jī)殼或機(jī)柜的材料是很重要的。對(duì)于 30MHz以上更高的頻率,通常應(yīng)主要考慮電場(chǎng)分 量,在后一種情況下,非鐵磁性材料,諸如鋁或銅,能提供更好的屏蔽,因?yàn)檫@種材料的表面阻抗很低。如果能提供有效的 RFI/EMI屏蔽,則用途將更廣泛。就象將塑料機(jī)箱放入金屬機(jī)箱一樣。銀是一種高導(dǎo)電性材料,但還應(yīng)考慮價(jià)格是否合適。銀 常用于軍用設(shè)備,特別是需要防護(hù) EMP(電磁脈沖)的設(shè)備。然而,銅易于氧化而使屏蔽效能受到損失,在一般環(huán)境條件下,它了不穩(wěn)定。它不同于銅或銀那樣的良導(dǎo)體,但由于它存在導(dǎo)磁性,能吸收較多的 EMI。鋅在火焰噴涂中用作主 要媒質(zhì),具有屏蔽和抗腐蝕性質(zhì),但它用作導(dǎo)電涂層并不多見,而且市場(chǎng)進(jìn)展也較慢。 ( 1)導(dǎo)電漆 迄今為止,成功的導(dǎo)電漆都基于聚丙烯、聚氨脂、乙烯樹脂或環(huán)氧樹脂等襯底。所有這些漆都對(duì)塑料基底存在腐蝕作用,所以導(dǎo)電漆能穿透塑料并固定在孔縫中。 所有基底表面應(yīng)仔細(xì)清潔,清除油脂或其它污漬,輕度擦傷也將影響粘附力。銀乙烯基是典型的簡(jiǎn)單組合系統(tǒng),它在環(huán)境溫度中約 20min便可干燥,再過(guò) 20或 30min,便可進(jìn)行下一次涂敷,直到 20h以后,化學(xué)反應(yīng)完成之前,尚未達(dá)到最大的導(dǎo)電率。實(shí)際上,由于過(guò)噴 ,約 10%銀漆被浪費(fèi)。壓力設(shè)備中,
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