電容器的寄生作用與雜散電容doc13-經(jīng)營管理-在線瀏覽
2024-10-17 19:41本頁面
【正文】 效串聯(lián)電感 (ESL)和介電存儲(chǔ) (吸收 )。 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 然而實(shí)際電 容器中的 RP 使電荷以 RC 時(shí)間常 數(shù)決定的速率緩慢泄漏。最適合用于交流耦合及電荷存儲(chǔ)的電容器是聚四氟乙烯電容器和其它聚脂型 (聚丙烯、聚 苯乙烯等 )電容器。當(dāng)有大的交流電流 通過電容器， R ESR 使電容器消耗能量 (從而產(chǎn)生損耗 )。但對(duì)精密高阻抗、小信號(hào)模擬電路不會(huì)有很大的影響 。 中國最龐大的實(shí)用下載資料庫 (負(fù)責(zé)整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 等效串聯(lián)電感 (ESL)， L ESL ：電容器的等效串聯(lián)電 感是由電容器的引腳電感與電容器兩個(gè)極板的等效電感串聯(lián)構(gòu)成的。其原因是用子精密模擬電路中的晶體管在過渡頻率 (transition freque ncie s)擴(kuò)展到幾百兆赫或幾吉赫的情況下，仍具有增益，可以放大電感值很低的諧振信號(hào)。 電解電容器、紙介電容器和塑料薄膜電容器不適合用于高頻去耦。這種結(jié)構(gòu)的電容具有相當(dāng)大的 自 感，而且當(dāng)頻率只要超過幾兆赫時(shí)主要起電感的 作用。單片陶瓷電容器是由多層夾層金屬 薄膜 和陶瓷薄膜構(gòu)成的，而且這些多層薄膜是按照母線平行方式排布的，而不是按照串行方式卷 繞的。另外，圓片陶 瓷電容器，雖然價(jià)格不太貴，但有時(shí)電感很大。請(qǐng)問它 的含義是什么 ? 答：好。損耗因數(shù)定義為電容器每周期損耗 能量與儲(chǔ)存能量之比。如果電容 器在關(guān)心頻帶范圍的高頻損耗可以簡化成串聯(lián)電阻模型，那么等效串聯(lián)電阻與總?cè)菘怪仁? 對(duì)損耗因數(shù)的一種很好的估算，即 DF≈ωR ESR C還可以證明，損耗因數(shù)等于電容器品質(zhì)因數(shù)或 Q值的倒數(shù)， 在電容器制造廠家的產(chǎn)品說明中 有時(shí)也給出這項(xiàng)指標(biāo)。介質(zhì)吸收是 一種有滯后性質(zhì)的內(nèi)部電荷分布，它使快速放電然后開路的電容器恢復(fù)一部分電荷，見圖 14. 4。如果把這種電容器用作采樣保持放大器中的保 圖 14?4 介質(zhì)吸收作用使電容器快速放電 然后開路以恢復(fù)原來一部分電荷 持電容器，那么勢必對(duì)測量結(jié)果產(chǎn)生誤 差。這類電容器介質(zhì)吸收率很低 (典型值＜ 0?01%)。 關(guān)于高頻去耦的一般說明： 保證對(duì)模擬電路在高頻和低頻去耦都合適的最好方法是用電解電容器，例如一個(gè)鉭片電容與 一個(gè)單片陶瓷電容器相并聯(lián)。除了關(guān)鍵集成電路以外，一般不必每個(gè)集成電路都接一個(gè) 鉭電容器。 關(guān)于高頻去耦另一個(gè)需要說明的問題是電容器的實(shí)際物理分布。 為了消除引腳電感，理想的高頻去耦電容器應(yīng)該使用表面安裝元件。電容器的正確使用方 法如圖 14?5所示。使用低電感電容器 (單片陶瓷電容器 )使用表面安裝電容器 C，電容器受到損害、外形尺寸大、電感高 聚丙烯電容器 0?001%～ 0?0 2%價(jià)格便宜、 DA 很低、電容值范圍寬溫度高于 +105176。C 以上溫度工作、電容值范圍寬價(jià)格相當(dāng)貴、外形尺寸大
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