【正文】 。 成膜 機(jī)理 PU：－ NCO和 – OH反應(yīng) ， 發(fā)生 逐步加成聚合 反應(yīng) RNCO+HOR’→R NHCOOR’+R NCO → UV：光 引發(fā)劑 受紫外光 輻射后 裂解成自由基，再 與單體 、樹 脂中的 雙鍵 聚合 ,發(fā)生 裂解聚合 反應(yīng) 。 ，使用方便。 1/10，能量利用率高。 ，生產(chǎn)效率高。 ?UV與 PU的 工藝區(qū)別 涂料 膜厚 (um) 烘烤溫度℃ 烘烤時間（ min) 抗腐性 可印刷性 復(fù)涂性 活化時間（ hour) 1K 415 5070 1015 較差 好 好 無 2K PU 2040 80 3060 較好 較好 較好 28 UV 812 5565 5 好 部分較好 不可 無 ?涂料 /噴涂 ?涂料與素材的匹配 基材 涂料體系 烘烤溫度 (℃) 烘烤時間 (分鐘） ABS 1K / 2K / UV (KD /CV) 6070 1015 PC 1K / 2K / UV (KD /CV) 6070 1015 ABS/PC 1K / 2K / UV (KD /CV) 6070 1015 PMMA 2K / UV (UV 3650) 6070 5 Magnesium PU primer (Mudguard 500) 80 30 Nylon PU / primer（ PAG100) 6070 1520 PP PU primer 6070 1020 TPU PU (UNEX) 6070 30 ED PU / primer（ PAG100) 6070 1520 ?涂料 /噴涂 1 噴漆 素材 材料 2 化學(xué)電鍍 Substrate Material 正極 負(fù)極 3 蒸發(fā)鍍 鍍材 素材 加熱器 氣體 4 濺射鍍 鍍材 素材 氣態(tài) ?鍍膜 ?表面處理類型 真空 電鍍優(yōu)點(diǎn) 化學(xué)反應(yīng)； ，無化學(xué)物污染 ； 鍍 多重 金屬； 速度快 ； 素材加工 ； 低 溫制程； 薄膜 沉積的兩種常見制程 真空鍍膜分為 1）物理氣相沉積，即 PVD (Physical vapor deposition) 2）化學(xué)氣相沉積，即 CVD (Chemical vapor deposition), 前者又分為： 后者分為： ； CVD。 。 CVD。 ? 真空環(huán)境的必要性 1) 降低氧分壓，避免材料氧化； 2) 在高溫下防止空氣分子和蒸發(fā)源發(fā)生反應(yīng)，生成化合物而使蒸發(fā)源劣化； 3)某些鍍膜工藝需要特定的壓力環(huán)境（如濺射鍍膜時，需滿 足一定的氣體壓力）； 4)防止因蒸發(fā)物質(zhì)的分子在真空室內(nèi)與氣體分子碰撞而阻礙 蒸發(fā)分子直接到達(dá)基片表面，和在途中生成化合物或由于蒸發(fā)分子間的相互碰撞而在到達(dá)基片之前就凝聚等； 5)防止在基片上形成薄膜的過程中，氣體分子作為雜質(zhì)混入 膜內(nèi)或者在薄膜中形成化合物。 真空室：進(jìn)行鍍膜的空間； 真空泵：對真空室進(jìn)行抽氣的裝置； 分為前級泵，次級泵。因此通常是將幾種真空泵組合使用。 常用 W、 Mo、 Ta或耐 高溫的金屬氧化物、陶瓷 或石磨坩堝。 b． 電子束蒸發(fā)源 優(yōu)點(diǎn)： ，蒸發(fā)速度快； ； 。會產(chǎn)生軟 X射線對人體有害。 3. Ar 離 子 被加速至 陰極撞擊靶材 ，靶材粒子及二次 電子被擊出，前者到達(dá)基板表面進(jìn)行薄膜 成長 ， 而 后者被 加速至 陽極 途中促成更多的 解離 。 2）平面磁控濺射源： 圓形的可以制成小靶， 矩形的可以制成大靶。 3）濺射槍：其結(jié)構(gòu)較復(fù)雜， 一般配行星式夾具使用。 Principle of Supttering Vacuum pump Takes place in a vacuum chamber Electrical charge is formed between the substrate and cathode Gas is injected in chamber Ions hit the target and knock off atoms Target atoms land (condense) on substrate to form a thin film Target Material (Cathode) Substrate Energy Ions move in plasma Gas Plasma Gas ionizes forms a plasma PLASMA 物質(zhì)的第四態(tài) 借由外加的電場能量來促使氣體內(nèi)的電子獲得能量并加速撞擊不帶電中性粒子，由于不帶電中性粒子受加速電子的撞擊后會產(chǎn)生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋放出的電子，在經(jīng)由電場加速與其他中性粒子碰撞。 什么是電漿 電漿性質(zhì) ? ，電漿的內(nèi)部是呈電中性的狀態(tài)，也就是帶負(fù)電粒子的密度與帶正電粒子的密度是相同的。 ? ，所以當(dāng)有一部分受到外力作用時，遠(yuǎn)處的部分電漿，乃至整群的電漿粒子都會受到影響，這叫做“電漿的群體效應(yīng)” 。 濺射鍍膜基于荷能離子轟擊靶材時的濺射效應(yīng)，而整個濺射過程都是 建立在氣體放電的基礎(chǔ)之上，即濺射離子都來源于氣體放電。 ? 2）湯森放電：電壓增加后，更多氣體分子被電離，電流可在電壓不變下增加。 1. 直流氣體放電 ? 4）異常輝光放電：電流增大，電壓升高。 ? 由于正常輝光放電的電流密度仍比較小，所以濺射均在異常輝光放電的區(qū)域進(jìn)行。 ? 2. 低頻交流輝光放電（很少采用） ? 因其頻率低于 50Hz， 離子有足夠的活動性和充分的時間在每個半周期內(nèi)建立直流輝光放電，只是兩個電極交替成為陰極和陽極。 在一定的氣壓下，當(dāng)陰陽極間所加交流電壓的頻率增高到射頻頻率時，即可產(chǎn)生穩(wěn)定的射頻輝光放電。 ? ? 微波（ MVV） 是一種無極放電， ,在真空室中導(dǎo)入 .45GHz的微波能