【正文】 3年 4月 1日星期六 3時(shí) 16分 52秒 15:16:521 April 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 2023年 4月 1日星期六 下午 3時(shí) 16分 52秒 15:16: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 :16:5215:16Apr231Apr23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023年 4月 1日星期六 3時(shí) 16分 52秒 15:16:521 April 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 :16:5215:16:52April 1, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 , April 1, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 。 :16:5215:16Apr231Apr23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 – 避免不透光油漆噴涂區(qū)域有螺絲等其它復(fù)雜的 3D設(shè)計(jì)。48% 100% Spyder Acover 914% 90% Flamingo 6070% 90% ?透光效果 ?概述 ? 兩種視窗效果 – 隱藏效果 (如 Shelby Acover 48%, Spyder Acover assembly 57%) 只有有背光的時(shí)候視窗才能看見。 – 中涂也是影響透光率的一個(gè)因素，但為了保證顏色的一致性，以中涂來調(diào)整透光率的范圍變得相對窄小。 Surface Finish Paint Supplier Film thickness (181。 PVD后熔接線不良 PVD后印痕不良 ?產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求 ?產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求 ? 治具設(shè)計(jì)要求 USW 線不允許出現(xiàn)在噴涂區(qū)域 距離噴涂區(qū)域 , d = 治具 噴涂區(qū)域 d d d ?產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求 ?產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求 ? 推薦使用 PC, PC+ABS 等材料 (如 Cycloy C1200HF和 Lexan EXL 1414)； – 能達(dá)到比較好的外觀效果 – 能通過相關(guān)性能測試 ? 不推薦使用 PA+GF, PC+GF 等材料； – 不能通過相關(guān)性能測試，若依然需要使用此類材料的話則需要降低產(chǎn)品性能接受標(biāo)準(zhǔn) – 震動耐磨性能不如 PC或 PC+ABS素材產(chǎn)品 – 若素材中確實(shí)需要使用玻纖，則推薦使用 Grivory GV5H or Grivory GVX5H ? PA材料作為素材使用的工藝正在開發(fā)中。 ? 若此設(shè)計(jì)必須出現(xiàn)在此產(chǎn)品上，此產(chǎn)品的性能接受標(biāo)準(zhǔn)需要降低。 直角狀輪廓，肥邊現(xiàn)象比較明顯 圓弧狀輪廓產(chǎn)品，肥邊現(xiàn)象較輕微 Troubadix CCover。 PVD蒸鍍法 真空蒸鍍 濺射蒸鍍 離子蒸鍍 粒子生成機(jī)構(gòu) 熱能 動能 熱能 膜生成速率 可提高 快 可提高 粒子 原子、離子 原子、離子 原子、離子 蒸鍍均勻性 複雜形狀 佳 良好 良好，但膜厚分佈不均 平面 佳 優(yōu) 佳 蒸鍍金屬 可 可 可 蒸鍍合金 可 可 可 蒸鍍耐熱化合物 可 可 可 粒子能量 很低 ~ 可提高 1~100eV 可提高 1~100Ev 惰性氣體離子衝擊 通常不可以 可，或依形狀不可 可 表面與層間的混合 通常無 可 可 加熱（外加熱） 可 通常無 可，或無 蒸鍍速率 109m/sec ~1250 ~ ~833 ?鍍膜 ?鍍膜方式比較 性質(zhì) 沉積 速率 大尺寸厚度控制 精確成 份控制 可 沉積 材料之選用 整體制造成本 方法 蒸鍍 (Evaporation) 慢 可 佳 多 佳 濺鍍 (Sputtering) 佳 佳 佳 多 佳 ?鍍膜 ?各種物理氣相沉積法之比較 ? 若產(chǎn)品為高光面，則推薦使用 SPI A1或 SPI A2. 當(dāng) VDI大于 9時(shí)噴涂后開始出現(xiàn)橘皮現(xiàn)象，當(dāng) VDI大于 18時(shí)橘皮現(xiàn)象將非常嚴(yán)重。 ? 40kHz ? ? 5~30MHz,一般用 。 ? ? 5）弧光放電：極間電壓陡降，電流突然增大，相當(dāng)于極間短路。 常見放電類型： 電漿的本質(zhì) 氣體放電 ? 1）無光放電：宇宙射線在電場下加速形成極小的電流，中性分子開始電離，不發(fā)光。 ? 、負(fù)離子的個(gè)數(shù)幾乎是一比一，因此電漿呈現(xiàn)電中性。 特點(diǎn)：靶材利用率高； 膜厚分部均勻； 靶功率密度大；易于更換靶材。 Inline Sputtering System Sputtering chamber Buffer chamber Unloading chamber Plasma treatment Loading chamber robot In robot Out Sputtering Process Sputtering Chamber Buffer Chamber Unloading Chamber Buffer Chamber Loading Chamber Out 磁控濺射源主要有三種： 1）柱狀磁控濺射源： 適于制作大面積濺射膜，在工 業(yè)上應(yīng)用較廣泛。 缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，價(jià)格昂貴。 真空規(guī)：對真空系統(tǒng)進(jìn)行氣體壓力探測的儀器； 鍍材 素材 加熱器 腔體 氣態(tài)金屬 ?鍍膜 ?蒸發(fā)鍍膜 (Evaporation) ? 鎢絲 ? 鎢舟 ? 鉬 舟 蒸發(fā)源的類型 a．電阻蒸發(fā)源： 電阻蒸發(fā)源的形式 蒸發(fā)源材料要求： 1）熔點(diǎn)要高； 2）飽和蒸汽壓低； 3）化學(xué)性能穩(wěn)定； 4）良好的耐熱性； 5）原料豐富。 真空系統(tǒng)的組成 真空系統(tǒng)的組成：真空室、真空泵、真空規(guī)。 C