復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第二章平衡載流子-展示頁
2025-02-24 00:20本頁面
【正文】 cVcVBEEn p N NkT?????????c V gE E E?? 電子和空穴的有效狀態(tài)密度 ? 前面的式 雖然計算時是導(dǎo)帶 所有能量電子的總和，但是結(jié)果在形式上可以看作所有電子集中在導(dǎo)帶底部，前面一項是有效狀態(tài)密度，后面一項是玻爾茲曼分布函數(shù)。 ? 玻爾茲曼分布函數(shù)（一個量子態(tài)可以同時被多個電子占有） 12F e hE E f f? ? ?： ? ?e xpef A E k T??1( ) e xp e xp1 e xpFFeFE E k TE EfEEE k T k TkT??? ??? ? ???????? ????? ????時 費 米 分 布 近 似 于 玻 爾 茲 曼 分 布 載流子按能量分布 ? 載流子按能量分布 =分布幾率和狀態(tài)密度的乘積 ? 右圖中體積為 V的半導(dǎo)體 能量為 E的電子的狀態(tài)密度 是 ? ?()ccg E VN E?? ? ? ? ? ?3 / 21 / 2342 cemN E E Eh???注意： 能帶圖向上電子的能量高，向下空穴的能量高。 2 20 ( ) ( ) ( )2h VEm ????? ? ? ????? r r r 第二章 平衡載流子的統(tǒng)計分布 ?載流子的分布函數(shù) ?電子濃度和空穴濃度 ?本征半導(dǎo)體的載流子濃度 ?單一淺施主和淺受主低摻雜半導(dǎo)體的載流子濃度 ?載流子濃度和溫度的關(guān)系 ?雜質(zhì)補償 ?高載流子濃度效應(yīng) ?哪些因素決定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型？ ?哪些因素會影響半導(dǎo)體中的電子濃度和空穴濃度？ 平衡載流子的計算 ? 導(dǎo)帶的電子濃度 =導(dǎo)帶中某能量狀態(tài)密度 (單位體積的狀態(tài)數(shù)）和該狀態(tài)電子的分布幾率的乘積在整個導(dǎo)帶的總和。 ? 看懂硅和砷化鎵的能帶圖。 ? 空穴是帶正電荷的虛擬粒子，其有效質(zhì)量是能帶頂空狀態(tài)電子有效質(zhì)量的負(fù)值。 ? 填滿電子的能帶不傳導(dǎo)電流。 ? 薛定諤方程－勢能模型－求解出 Ek關(guān)系。 ? 半導(dǎo)體單晶中原子在空間按一定規(guī)律周期性排列。? 復(fù)旦大學(xué)微電子研究院 ? 包宗明 ? 集半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論 （ 第一部分） 半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理 第一章重點內(nèi)容 ? 晶體中的一個電子受到晶體內(nèi)部的原子和其他許多電子的作用，所以在外力作用下的運動規(guī)律和自由電子不同。量子力
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