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畢業(yè)設計論文附屬過程管理材料終稿-展示頁

2024-11-28 17:07本頁面
  

【正文】 件 和論文 預期目標 簡 述開題以來所做的具體工作和取得的進展或成果 正在按任務指導書的要求進行: 系統(tǒng)設計 系統(tǒng)原理圖設計 目前,論文框架基本形成,部分內容已經(jīng)撰寫,有關技術實驗內容正在研究熟悉中,進度已完成近半,基本符合進度要求。 VH: 5V177。 5% RL:10KΩ177。 1seconds PH Heating consumption Less than 330mw B. Environment conditions Symbol Parameters Technical conditions Remark Tao Using temperature 20℃ 50℃ Tas Storage temperature 20℃ 50℃ Advice using scope RH Relative humidity Less than 95%RH O2 Oxygen concentration 21%(stand condition) the oxygen concentration can affect the sensitivity characteristic Minimum value is over 2% characterisic Symbol Parameters Technical parameters Remark Rs Surface resistance of sensitive body 220k In 100ppm Carbon Monoxide A(300/100ppm) Concentration slope rate Less than Rs(300ppm)/Rs(100ppm) Standard working condition Temperature20℃177。 % Room temperature TH (H) Heating time(high) 60177。 Ac or Dc VH (L) Heating voltage(low) 177。 畢業(yè)設計(論文) —— 外文翻譯(譯文) TECHNICAL DATA TECHNICAL DATA MQ— 7 GAS SENSOR FEATURES High sensitivity to carbon monxide Stable and long life APPLICATION They are used in gas detecting equipment for carbon monoxide(CO) in family and industry or car. SPECIFICATIONS A. Standard work condition Symbol Parameter name Technical Condition Remark Vc Circuit voltage 5V177。 XTAL1:振蕩器反相放大器的及內部時鐘發(fā)生器的輸入端。 如 EA端為高電平(接 Vcc端), CPU則執(zhí)行內部程序存儲器中的指令。欲使 CPU僅訪問外部程序存儲器(地址為 0000H— FFFFH), EA 端必須保持低電平(接地)。在此期間,當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,這兩次有效的 PSEN 信號不出現(xiàn)。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,就設置 ALE無效。 如有必要,可通過對特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0位置位,可禁止 ALE 操作。要注意的是:每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE脈沖。 ALE/PROG:當訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時, ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低 8 位字節(jié)。 RST:復位輸入。作輸入端時,被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流( IIL)。 P3口輸出緩沖級可驅動(吸收或輸出電流) 4 個 TTL 邏輯門電路。 Flash編程或校驗時, P2亦接收高位地址和其他控制信號。對端口寫“ 1”,通過內部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口使用時,因為內部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時回輸出一個電流( IIL)。 Flash編程和程序和程序校驗期間, PI接收低 8位地址。對端口寫“ 1”,通過內部的上拉電阻把端口拉倒高電平,此時可作輸入口。 在 Flash 編程時, P0 口接收指令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅動 8個 TTL邏輯門電路,對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端用。掉電方式保存 RAM中的內容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個硬件復位??臻g方式停止 CPU的工作,但允許 RAM。 AT89C51 AT89C51 提供以下標準功能: 4K 字節(jié) Flash閃速存儲器, 128 字節(jié)內部 RAM, 32 個 I/O口線,兩個 16 位定時 /計數(shù)器,一個 5 向量兩級中斷結構,一個全雙工串行通信口,片內振蕩器及時鐘電路。 . ,通電老化 48小時以上。 當精確測量時,報警點的設定應考慮溫濕度的影響。 因此,在使用此類型氣敏器件時,靈敏度的調整是很重要的。因此,它具有優(yōu)秀的長期穩(wěn)定性,在正常使用條件下,其使用壽命可達 5年。二者之間的關系為: Rs/RL = (VcVRL) / VRL 圖 5 為利用圖 2 回路測得在傳感器由潔凈空氣轉移至一氧化碳氣氛中時, RL上的信號輸出變化情況,輸出信號的測定是 在一個完整的加熱周期(由高電壓至低電壓 分鐘)或在兩個完整的加熱周期內測得。封裝好的氣敏元件有6只針狀管腳,其中4個用于信號取出,2個用于提供加熱電 流。 預熱時間 不短于 48小時 探測范圍: 10ppm1000ppm 一氧化碳 D. 結構、外形、測試電路 MQ7 氣敏元件的結構和外形如圖 2 所示 (結構 A 或 B), 由微型 AL2O3 陶瓷管、 SnO2 敏感層 ,測量電極和加熱器構成的敏感元件固定在塑料或不銹鋼制成的腔體內,加熱器為氣敏元件提供了必要的工作條件。 VH(高) :177。 5% RL:10KΩ177。 1 seconds PH 加熱功耗 約 330mw B. 環(huán)境條件 符號 參數(shù)名稱 技術條件 備注 Tao 使用溫度 200℃ 50℃ Tas 儲存溫度 20℃ 50℃ 建議使用范圍 RH 相對濕度 小于 95%RH O2 氧氣濃度 21%(標準條件 ) 氧氣濃度會影響靈敏度特性 最小值大于 2% C.靈敏度特性 符號 參數(shù)名稱 技術參數(shù) 備注 Rs 敏感體電阻 220k 在 100ppmCO中 а (300/100ppm) 濃度斜率 小于 Rs (300ppm)/Rs(100ppm) 標準工作條件 溫度: 20℃177。 % 室溫 TH (H) 加熱時間(高) 60177。 Ac or Dc VH (L) 加熱電壓(低) 177。 規(guī)格 A. 標準工作條件 符號 參數(shù)名稱 技術條件 備注 Vc 回路電壓 177。自動化儀表, ( 16) . [2]何道清 .傳感器與傳感器技術 [M].北京:科學出版社, 2020, 37739 [3]陳艾 .敏感材料與傳感器 [M]. 北京:化學工業(yè)出版社, 2020, 177212 [4]王雪文 ,張志勇 .傳感器原理及應用 [M]. 北京:北京航空航天大學出版社, 2020, 207244 [5]任紅軍 .Au2SnO2 高溫 CO 氣敏元件的研制 [J]. 鄭州鄭州輕工業(yè)學院學報 , 1999, 14(3):1719 [6]羅敏 ,李輝 . Pt/ PolyCuTAPc/ Nafion 修飾電極及其應用的研究 [J].華東師范大學學報 ,2020,(3):7478 [7]陳長倫 ,何建波 ,劉錦淮 .新型電化學 CO氣體傳感器的研制 [J].傳感器術 ,2020,23(5):3235 [8] 劉瑾 , 王玉田 , 楊 海 馬 . 新 型 光 纖 CO 氣 體 傳 感 器 的 研 究 [J]. 光電子 激光 ,2020,15(4):428431 [9]王建穎 .閘門啟閉機智能型載荷監(jiān)控儀的設計與應用 .自動化儀表, ( 24) . [10]胡漢才 .單片機原理及其接口技術 .北京:清華大學出版社, 1996. [11]陳汝全 ,林水生 .實用微機與單片機控制技術 .成都:電子科技大學出版社, 1993. 畢業(yè)設計(論文) —— 外文翻譯(原文) 技術數(shù)據(jù) MQ7氣體傳感器技術數(shù)據(jù) 其特點: 對一氧化碳具有很高的靈敏度; 具有長期的使用壽命和可靠的穩(wěn)定性; 應用: 用于家庭、工廠和汽車的一氧化碳探測裝置。在對系統(tǒng)進行的多次實驗中,均運行可靠穩(wěn)定,且靈敏度高,故該系統(tǒng)具有非常重要的應用價值。這些單片機都使用了 ISP技術,等安裝到印刷線路板上以后再下載程序。一些單片機廠商以 MTP 的性能 、 OTP 的價位推出他們的單片機,如 ATMEL AVR 單片機,片內采用 FLASH,可多次編程。而一些生產(chǎn)廠商推出的單片機不再有掩膜型,全部為有 ISP功能的 OTP。使 OTP的裸片得以廣泛使用,降低了產(chǎn)品的成本。未編程的 OTP芯片可采用裸片 Bonding技術或表貼技術,先焊在印刷板上,然后通過單片機上引出的編程線、串行數(shù)據(jù)、時鐘線等對單片機編程。它較之掩膜具有生產(chǎn)周期短、風險小的特點。過去認為一個單片機產(chǎn)品的成熟是以投產(chǎn)掩膜型單片機為標志的。 Motorola也推出了低噪聲的 LN系列單片機。低噪聲與高可靠性技術 為提高單片機系統(tǒng)的抗電磁干擾能力,使產(chǎn)品能適應惡劣的工作環(huán)境,滿足電磁兼 容性方面更高標準的要求,各單片機商家在單片機內部電路中采取了一些新的技術措施。低電壓供電的單片機電源下限已由 降至 、 。允許使用的電源電壓范圍也 越來越寬。 Motorola 最近推出任選的 可在 50M/48MIPS全速工作,功率約為 20mW。 68HC08 單片機使用 外部振蕩器而內部時鐘達 32M,而 M68K 系列 32位單片機使用 32K 的外部振蕩器頻率內部時鐘可達 16MHz 以上。而單片機則有所不同,為提高單片機抗干擾能力,降低噪聲,降低時鐘頻率而不犧牲運算速度是單片機技術發(fā)展之追求。過去認為由于 8 位單片機功能越來越強, 32位機越來越便宜,使 16位單片機生存空間有限,而 16 位單片機的發(fā)展無論從品種和產(chǎn)量方面,近年來都有較大幅度的增長。隨著移動通訊、網(wǎng)絡技術、多媒體技術等高科技產(chǎn)品進入家庭, 32位單片機應用得到了長足發(fā)展。 8 位、 16 位、 32 位單片機共同發(fā)展 這是當前單片機技術發(fā)展的另一動向。可以預見,一些成功上市的相對年輕的 CPU核心,也會隨著 I/O 功能模塊的不斷豐富,有著相當長的生存周期。隨著半導體技術的飛速發(fā)展, MPU更新?lián)Q代的速度越來越快,以 38 48 586為代表的 MPU,很短的時間內就被淘汰出局,而傳統(tǒng)的單片機如 68HC0 8051等年齡已有 15歲,產(chǎn)量仍是上升的??v觀 20年來單片機發(fā)展歷程可以看出,單片機技術的發(fā)展以微處理器 (MPU)技術及超大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展為先導,以廣泛的應用領域拉動,表現(xiàn)出較微處理器更具個性的發(fā)展趨勢。又研制了一種新型 CO電化學式氣體傳感器,即把多壁碳納米管自組裝到鉑微電極上,制備多壁碳納米管粉末微電極,以其為工作電極, Ag/AgCl為參比電極, Pt絲為對比電極,多孔聚四氟乙烯膜作為透氣膜制成傳感器,對 CO具有顯著的電化學催化效應,其響應時間短,重復性好 [8]. 利用 CO 氣體近紅外吸收機理,研究了一種光譜吸收型光纖 CO氣體傳感器,該儀器檢測靈敏度可達到 *106 [9].另一種光學型傳感器是用溶膠 — 凝膠鹽酸催化法和超聲制得 SiO2 薄膜,將薄膜浸入氯化鈀、氯化銅混合溶液,勻速提拉,干燥后制得敏感膜,利用鈀鹽與 CO反應,生成鈀單質,引起吸光度變化 [8]. 現(xiàn)知國外有研究,采用超頻率音響增強電鍍鐵酸鹽方法獲得磁敏感膜,磁飽和度和矯頑磁力決定對氣體的響應敏感度。現(xiàn)國外有研究對 SnO2基材料中摻雜 Pt Pd Au等,并發(fā)現(xiàn)當傳感器工作在 220℃ 時,在 SnO2中摻雜 2%的 Pt時,傳感器對 CO具有最大的敏感度。 比色法是根據(jù) CO 氣體是還原性 氣體,能使氧化物發(fā)生反應,因而使化合物顏色改變,通過顏色變化來測定氣體的濃度,這種傳感器的主要優(yōu)點是沒有電功耗 。近年來氣體檢測技術與計算機技術的想結合,實現(xiàn)氣敏傳感器的智能化和多功能化。而報警器的種類相當繁多,有用于一般 家庭、集體住宅、飲食酒店、醫(yī)院、學校、工廠的各種氣體報警器和系統(tǒng),有單位
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