無機材料典型晶體結(jié)構(gòu)-展示頁
2025-01-09 23:03本頁面
【正文】 置 )。(AB 型 )屬于立方 ZnS型結(jié)構(gòu)的化合物有：β ZnS 、 β SiC、 AIP、 GaAS、 InSb、立方 BN等。）。ZnS）型S2作面心立方 緊 密堆積 ， Zn2+離子相 間 占據(jù)其中 1/2的四面體空隙（ r+ / r 如： NaCl、 NaI、 MgO、 SrO、 BaO、 CdO、 MnO、 CoO、 NiO、 TiN、 ScN、 LaN、 ZrN、 CrN、 TiC 這一結(jié)構(gòu)的化合物，多數(shù)具有熔點高、穩(wěn)定性好等特 點，如 MgO的熔點為 2852℃ ， CaO的熔點為 2600℃ ， TiC的熔點為 3140℃ 。 屬于 NaCl型結(jié)構(gòu)的化合物有： （ i）離子鍵型的堿金屬鹵化物、堿土金屬氧化物和硫化物 。(2) Cl作面心立方緊密積， Na+填滿所有的 4個八面體空隙 （ r+ / r = ） 。 Si4+－ O2的靜 電鍵 強 度 為 4/4 = 1, O2電價為 2價， 每個 O2要與 2個 Si4+ 離子 鍵連 。例 3：硅酸鹽離子晶體中 ，Si4+處 于 O2負離子的正四面體空隙中，配位數(shù)為 4。 Ca2+至 F的靜 電鍵 強 度： S= Na+ ? Cl??????????????????????? ??????????????????? ???????例 2： CaF2晶體 即每個 Cl是 6個 [NaCI6]= 第二規(guī)則 （ 電價規(guī)則 ）例 1： NaCl晶體 r+ / r Na+Cl靜電鍵強度 s=1/6， 6個 Na+至 Cl的 諸鍵 強 之和正 好等于 Cl的 電 價數(shù)（ 1）。靜電鍵強度 :負離子的電價數(shù) : 該規(guī)則指明了一個負離子與幾個正離子相連 , 它是關(guān)于 幾個配位多面體公用頂點 的規(guī)則。褐色圓球表示處于空隙位置的正離子 在一個穩(wěn)定的離子晶體結(jié)構(gòu)中，每個負離子的 電價 Z— 等于或接近等于相鄰各正離子至該負離子的 靜電強度 S的總和。4 四面體 ~ 鮑林（ Pauling）規(guī)則鮑林規(guī)則概括總結(jié)了離子晶體中圍繞正離子堆積的負離子配位多面體的性質(zhì)和相互連接規(guī)律。第二章第二章 無機材料的晶體結(jié)構(gòu)與缺陷無機材料的晶體結(jié)構(gòu)與缺陷 晶態(tài)與非晶態(tài) 化學(xué)鍵和晶體的類型 等徑球體密堆積 鮑林（ Pauling）規(guī)則 無機材料典型晶體結(jié)構(gòu) 間隙相和間隙化合物 晶體結(jié)構(gòu)的缺陷 第一規(guī)則 （ 負離子配位多面體規(guī)則 ） 在離子晶體中，正離子的周圍形成一個負離子配位多面體，正負離子間的平衡距離取決于離子半徑之和，正離子的配位數(shù)取決于正負離子的半徑比。此規(guī)則指明
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