【正文】 開(kāi)關(guān)全波整流的負(fù)載時(shí)， 請(qǐng)選擇V型或功率MOSFET繼電器。這種負(fù)載中的負(fù)載電流會(huì)如下圖所示， 變?yōu)榻咏诰匦尾ǖ牟ㄐ?。但半波整流的制?dòng)器線圈的開(kāi)關(guān)則不受此限制， 請(qǐng)另行商談。1. 連接流過(guò)SSR負(fù)載電流約20%的電流的泄放電阻。為此， 在帶過(guò)零觸發(fā)功能的SSR中， 可能導(dǎo)致無(wú)法關(guān)閉。⑤半波整流電路有些交流用電磁計(jì)數(shù)器及螺線管內(nèi)置有二極管， 半波整流。如果次級(jí)無(wú)負(fù)載， 勵(lì)磁電流最大。SSR關(guān)閉時(shí)由于馬達(dá)發(fā)出的反電動(dòng)勢(shì)可能會(huì)導(dǎo)致SSR的破壞， 請(qǐng)實(shí)行過(guò)電壓保護(hù)。另外， 接通電流流通的時(shí)間也會(huì)變長(zhǎng)。(參照下圖的重復(fù)曲線＜虛線＞)重復(fù)施加超出接通電流耐量1/2的接通電流， 會(huì)導(dǎo)致SSR輸出元件的電流破壞。②燈負(fù)載白熾燈、鹵素?zé)舻冉油娏骱艽蟆＜兘饘兕?、陶瓷類的加熱器在常溫下電阻值較低， 因此SSR中流過(guò)過(guò)載電流， 可能導(dǎo)致SSR破壞。還可以使用帶過(guò)零觸發(fā)功能的SSR， 大幅抑制噪聲的產(chǎn)生。①加熱器(阻性負(fù)載)沒(méi)有浪涌電流的負(fù)載。(SSR中不能組成自保持電路)。在一般情況下， SSR也可能出現(xiàn)復(fù)位不良。齊納浪涌功率＝PRSM＞VZ負(fù)載電流安全率(2～3)＊如果齊納電壓(Vz) 增高， 則齊納二極管的容量(PRSM) 將變大。－ (電源電壓＋2V)齊納電壓＝VZ＜SSR的集電極發(fā)射極之間電壓正向電流＝IF≥負(fù)載電流②齊納二極管的選擇方法耐電壓＝VRM≥電源電壓2表1 吸收元件例(參考)①二極管的選擇方法另外， 可以使用二極管和齊納二極管縮短復(fù)位時(shí)間。但螺線管、電磁閥的復(fù)位時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)。作為相應(yīng)措施，可以將表1的元件和負(fù)載并聯(lián)插入。浪涌連接螺線管、電磁閥等負(fù)載時(shí)， 請(qǐng)連接防止反電動(dòng)勢(shì)的二極管。SSR的場(chǎng)合， 不可能出現(xiàn)輸出側(cè)兩頭都為ON的情況， 因此負(fù)載電流不會(huì)增加。本公司是在以下條件下通過(guò)耐沖擊電壓試驗(yàn)， 來(lái)確認(rèn)SSR輸出側(cè)耐量的。G3NA、G3S、G3PA、G3PB、G3PC、G3NE、G3J、G3NH、 G9H、G3DZ、G3RZ、G3FM以外的機(jī)種中沒(méi)有內(nèi)置浪涌吸收用可變電阻。最終使用階段可確認(rèn)沒(méi)有浪涌的場(chǎng)合除外。SSR 使用的交流電源中疊加有能量較大的浪涌電壓的場(chǎng)合， 由于插入SSR的LOAD端子之間的C、R緩沖電路(內(nèi)置在SSR 中) 的抑制能力不足， 會(huì)超出SSR瞬態(tài)峰值電壓， 導(dǎo)致SSR的過(guò)電壓破壞。下面是代表例。④輸入阻抗在輸入電壓有一定寬度的SSR (如G3F、G3H) 中， 有些機(jī)種的輸入阻抗會(huì)隨著輸入電壓發(fā)生變化， 輸入電流也隨之發(fā)生變化。復(fù)位電流 I＝1V/ ＝泄放電阻值 R＝ (1V1/2)/(IL－)③開(kāi)關(guān)頻率如果是交流負(fù)載開(kāi)關(guān)， 請(qǐng)將開(kāi)關(guān)頻率控制在10Hz下使用， 如果是直流負(fù)載開(kāi)關(guān)， 請(qǐng)將開(kāi)關(guān)頻率控制在100Hz以下使用。SSR的復(fù)位電流＝復(fù)位電壓的最小值/輸入阻抗恒定電流輸入電路的SSR(G3NA、G3PA、G3PB等) 計(jì)算。利用下列公式計(jì)算泄放電阻R。②漏電流對(duì)策通過(guò)晶體管輸出驅(qū)動(dòng)SSR的場(chǎng)合， 有時(shí)會(huì)由于斷開(kāi)時(shí)晶體管的漏電流導(dǎo)致復(fù)位不良。此外，對(duì)高頻設(shè)備發(fā)出的噪聲，請(qǐng)附加C、R濾波器。感應(yīng)噪聲可能導(dǎo)致SSR 誤動(dòng)作。請(qǐng)注意上述2點(diǎn)，確定C、R。為滿足SSR的輸入電壓， 在R和電源電壓E的關(guān)系上確定R的上限。①脈沖性噪聲利用C、R吸收噪聲非常有效。如果噪聲施加到端子， 會(huì)引起誤動(dòng)作?！鲫P(guān)于輸入電路●關(guān)于輸入側(cè)的接線SSR的輸入阻抗有一定參差， 應(yīng)避免若干個(gè)輸入的串聯(lián)連接， 否則容易造成誤動(dòng)作。②有關(guān)目錄中記載的各額定性能值，如果沒(méi)有特別指明，則所有值都是在JIS C5442標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)狀態(tài)(溫度15～30℃、相對(duì)濕度25～ 85%RH、氣壓86～106kPa)下的值。為此，必須盡可能地進(jìn)行測(cè)試。泄放電阻為了正常開(kāi)關(guān)極小負(fù)載而用于增加視在負(fù)載電流，與負(fù)載并聯(lián)的電阻。表示商用頻率、1周期的波高值。保存溫度不施加電壓，可以放置保存的溫度范圍。耐壓輸入端子－輸出端子之間以及輸入輸出端子－金屬外殼(散熱片)之間可以忍耐1分鐘以上的交流電壓的有效值。復(fù)位時(shí)間切斷施加到輸入上的信號(hào)電壓后，直到輸出斷開(kāi)為止的延遲時(shí)間。最小負(fù)載電流SSR可以正常開(kāi)關(guān)負(fù)載的最小負(fù)載電流。漏電流輸出處于斷開(kāi)狀態(tài)，施加指定負(fù)載電壓時(shí)流經(jīng)輸出端子之間的電流。輸出負(fù)載電壓可以在負(fù)載開(kāi)關(guān)及連續(xù)斷開(kāi)狀態(tài)下使用的電源電壓的有效值。復(fù)位電壓從輸出斷開(kāi)狀態(tài)到接通狀態(tài)時(shí)的輸入電壓的最大值。恒電流輸入電路方式隨輸入電壓發(fā)生變動(dòng)。使用電壓輸入信號(hào)的容許電壓范圍。緩沖電路由R、C構(gòu)成，抑制施加到晶閘管開(kāi)關(guān)等上的急劇啟動(dòng)電壓，防止SSR晶閘管開(kāi)關(guān)誤啟動(dòng)的電路。過(guò)零觸發(fā)電路(參照144頁(yè))在交流負(fù)載電壓的零相位附近開(kāi)始動(dòng)作的電路。＊2. 200V型的輸出開(kāi)關(guān)元件上使用了晶閘管。耦合器G3FM＊1. 過(guò)零觸發(fā)功能具有過(guò)零觸發(fā)功能的SSR在交流負(fù)載電壓為零或接近零時(shí)動(dòng)作。直流負(fù)載用無(wú)光電下表表示信號(hào)用(相當(dāng)于G3VM) 的示例。信號(hào)用MOS FET繼電器G3VM不含變阻器。用源共通連接2個(gè)功率MOS FET， 可控制AC負(fù)載。輸入端子中有電流流過(guò)時(shí)， LED會(huì)發(fā)光?！馦OS FET繼電器的構(gòu)成和動(dòng)作原理MOS FET繼電器是在輸出元件中使用功率MOS FET的SSR。相位控制接受溫控器的電流輸出4～20mA的信號(hào)， 使輸出量每半循環(huán)發(fā)生變化?？赡艹霈F(xiàn)以上情況。由于變壓器負(fù)載中的接通電流非常大(通常電流的10倍左右)(1)SSR的額定沒(méi)有余量導(dǎo)致SSR的破壞。 從而控制輸出電力。在電磁繼電器中也可進(jìn)行相同的控制， 但是以數(shù)秒間隔控制ON/OFF， 使用數(shù)年時(shí)需要SSR。而且原理簡(jiǎn)單可低成本加工。固態(tài)繼電器(SSR)的構(gòu)成固態(tài)繼電器(SSR) (交流負(fù)載開(kāi)關(guān)的代表示例)電磁繼電器(EMR:Electro Magnetic Relay)向線圈施加輸入電壓， 使其發(fā)生電磁力， 移動(dòng)可動(dòng)鐵片， 從而切換接點(diǎn)。其中最大的優(yōu)點(diǎn)是， 不會(huì)像有接點(diǎn)繼電器一樣因開(kāi)關(guān)而損耗接點(diǎn)。光電耦合器的特點(diǎn)是用光的信號(hào)在絕緣空間中進(jìn)行傳送， 所以絕緣性更好， 傳送速度也更快。在動(dòng)作上與有接點(diǎn)繼電器相同， 但是該繼電器使用半導(dǎo)體閘流管、晶閘管開(kāi)關(guān)元件、二極管、晶體管等半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。歐姆龍固態(tài)繼電器工作原理■固態(tài)繼電器(SSR)的定義●SSR和有接點(diǎn)繼電器的不同所謂SSR， 是固態(tài)繼電器(Solid State Relay) 的簡(jiǎn)稱， 是無(wú)可動(dòng)接點(diǎn)部分的繼電器(無(wú)接點(diǎn)繼電器)。另外也使用名為光電耦合器的光半導(dǎo)體， 使其輸入輸出絕緣。SSR是用無(wú)接點(diǎn)的電子零件制造的， 比有接點(diǎn)的有很多優(yōu)點(diǎn)。特別是：●可以對(duì)應(yīng)高速、高頻率開(kāi)關(guān) ●沒(méi)有接觸不良 ●發(fā)生干擾小 ●沒(méi)有動(dòng)作音等， 適用于廣泛的領(lǐng)域。不僅可在控制柜上使用， 還可用于其他范圍?！馭SR的控制(ON/OFF控制、循環(huán)控制、相位控制)ON/OFF控制接受溫控器的電壓輸出信號(hào)， 通過(guò)開(kāi)關(guān)SSR來(lái)控制加熱器的ON/OFF。循環(huán)控制(G32AEA) (固定) 為控制周期。接受溫控器的電流輸出4~20mA來(lái)控制。循環(huán)控制中的注意點(diǎn)進(jìn)行循環(huán)控制時(shí)， 每秒鐘接通電源5次(控制周期為 )。(2)負(fù)載電路上的斷路器發(fā)生觸發(fā)。因此， 循環(huán)控制中不能進(jìn)行變壓器一次側(cè)的電力控制。可進(jìn)行高精度的溫度控制， 多用于半導(dǎo)體制造裝置中。為使功率MOS FET動(dòng)作， 光電二極管陣列作為受光元件使用。這個(gè)光使光電二極管陣列中發(fā)生光電流， 這使柵極電壓使功率MOS FET置于ON。DC專用的類型中有帶1個(gè)電源 MOS FET的類型。●MOS FET繼電器的名稱該商品為新型商品， 在各個(gè)公司有各種名稱、商標(biāo)。廠商名樣本上的名稱東芝光繼電器松下電工Photo MOS繼電器日本電氣光MOSFET繼電器沖電氣光MOS開(kāi)關(guān)沖田制作所Photo DMOSFET繼電器HPSolid State Relay歐姆龍MOS FET繼電器■SSR的內(nèi)部電路構(gòu)成例負(fù)載規(guī)格過(guò)零觸發(fā)功能絕緣方式電路構(gòu)成型號(hào)交流負(fù)載用有 ＊1光電耦合器G3HG3BG3FG3NA(AC輸入)無(wú)光電三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)G3NEG3JG3FG3HG3TAOA有 ＊1光電三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)G3PAVDG3PB(單相)G3NA(DC輸入)G3NE有 ＊1光電三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)G3PB2(N)(三相) ＊2有 ＊1光電三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)G3PB3(N)(三相) ＊2有 ＊1光電耦合器G3NA4□□B型G3NHG3PA4□□B型G3PB5□□B型直流負(fù)載用——光電耦合器G3FD、 G3HD