如何看懂mosfet規(guī)格書-展示頁
2024-08-08 05:28本頁面
【正文】 的，這個最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃時，MOSFET上電壓不超過600V才算是工作在安全狀態(tài)。2ID相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式（比如 20N60~），慢慢的都轉變成Rds(on)和電壓的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指 Rds(on)~).其實從電流到 Rds(on)這種命名方式的轉變就表明 ID 和 Rds(on)是有著直接聯(lián)系的，那么它們之間有什么關系呢？在說明 ID 和 Rds(on)的關系之前，先得跟大家聊聊封裝和結溫：1). 封裝：影響我們選擇 MOSFET 的條件有哪些？a) 功耗跟散熱性能 比如：體積大的封裝相比體積小的封裝能夠承受更大的損耗；) 對于高壓 MOSFET 還得考慮爬電距離 高壓的 MOSFET 就沒有 SO8 封裝的，因為G/D/S 間的爬電距離不夠c) 對于低壓 MOSFET 還得考慮寄生參數(shù) 引腳會帶來額外的寄生電感、電阻，寄生電感往往會影響到驅(qū)動信號，寄生電阻會影響到 Rds(on)的值d) 空間/體積 對于一些對體積要求嚴格的電源，貼片 MOSFET 就顯得有優(yōu)勢了2). 結溫：MOSFET 的最高結溫 Tj_max=150℃，超過此溫度會損壞 MOSFET，實際使用中建議不要超過 70%~90% Tj_max. 回到正題，MOSFET ID和Rds(on)的關系: (1) 封裝能夠承受的損耗和封裝的散熱性能(熱阻)之間的關系 (2) MOSFET通過電流ID產(chǎn)生的損耗 (1), (2)聯(lián)立，計算得到ID和Rds_on的關系今天看到一篇文檔，上面有提到MOSFET的壽命是跟溫度有關的。4Vgs(th)相信這個值大家都熟悉，但是Vgs(th)是負溫度系數(shù)有多少人知道，你知道嗎？(下面兩圖分別來自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)相信會有很多人沒有注意到Vgs(th)的這一特性，這也是正常的，因為高壓MOSFET的datasheet中壓根就沒有這個圖，這一點可能是因為高壓MOSFET的Vgs(th)，高溫時也就到2V左右。所以，低壓MOSFET使用時一定要留意Vgs(th)的這個負溫度系數(shù)的特性！！5Ciss, Coss, CrssMOSFET 帶寄生電容的等效模型Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=CgdCiss, Coss, Crss的容值都是隨著
醫(yī)療健康相關推薦
鄂ICP備17016276號-1