第5章存儲(chǔ)系統(tǒng)-展示頁(yè)
2025-07-29 11:28本頁(yè)面
【正文】 PU可直接訪問(wèn) 。 – 特點(diǎn) ： 慢，容量大，順序存取 /塊存取 。 – 通常由 磁、光存儲(chǔ)器 構(gòu)成，也可以由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成 – 磁盤(pán)、磁帶 、 CDROM、 DVDROM、 固態(tài)盤(pán) 8 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 由能夠表示二進(jìn)制數(shù)“ 0”和“ 1”的、具有記憶功能的一些半導(dǎo)體器件組成。 能存放一位二進(jìn)制數(shù)的器件稱為一個(gè)存儲(chǔ)元。 9 內(nèi)存儲(chǔ)器的分類 內(nèi)存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM） Random Access Memory 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） Read Only Memory 10 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM） RAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器（ SRAM） Static RAM 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（ DRAM） Dynamic RAM 11 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 只讀存儲(chǔ)器 掩模 ROM 一次性可寫(xiě) ROM EPROM EEPROM 12 存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) 存儲(chǔ)容量 ： 存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù) M 每單元位數(shù) N 存取時(shí)間 ： 從啟動(dòng)讀 (寫(xiě) )操作到操作完成的時(shí)間 存取周期 ： 兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需間隔的最小時(shí)間 平均故障間隔時(shí)間 MTBF（ 可靠性 ） 功耗 ：動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗 13 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 要求掌握： SRAM與 DRAM的主要特點(diǎn) 幾種常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù) 14 一、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 特點(diǎn)： 用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息。 在 PC機(jī)中， SRAM被廣泛地用作高速緩沖存儲(chǔ)器Cache。反之，若 SRAM芯片的地址線數(shù)為 K，則可以推斷其單元數(shù)為 2K個(gè)。 21 全地址譯碼 用全部的高位地址信號(hào)作為譯碼信號(hào)，使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)唯一的內(nèi)存地址。 ≥ 1 CS1 A12 ～ A0 D7 ～ D0 高位地址線全部參加譯碼 6264 A12A0 D7D0 OE WE 23 部分地址譯碼 用 部分高位地址 信號(hào)（而不是全部）作為譯碼信號(hào)，使得被選中得存儲(chǔ)器芯片占有幾組不同的地址范圍。 24 部分地址譯碼例 同一物理存儲(chǔ)器占用兩組地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不參與譯碼 A19 A17 A16 A15 A14 A13 amp。 選擇使用 74LS138譯碼器構(gòu)成譯碼電路 Y0 G1 Y1 G2A Y2 G2B Y3 Y4 A Y5 B Y6 C Y7 片選信號(hào)輸出 譯碼允許信號(hào) 地址信號(hào) （接到不同的存儲(chǔ)體上） 74LS138邏輯圖： 26 74LS138的真值表：（注意：輸出低電平有效） 可以看出，當(dāng)譯碼允許信號(hào)有效時(shí)， Yi是輸入 A、 B、 C的函數(shù)，即 Y=f(A,B,C) 1 1 1 1 1 1 1 1 X X X 其 他 值 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 C B A G1 G2A G2B 27 應(yīng)用舉例 (續(xù) ): D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 G1 G2A G2B C B A amp。 A19 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 下圖中 A18不參與譯碼，故6264的地址范圍為： ?38000H~39FFFH ?78000H~79FFFH 6264 28 二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM 特點(diǎn)： – DRAM是靠 MOS電路中的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息的，由于電容上的電荷會(huì)逐漸泄漏，需要定時(shí)充電以維持存儲(chǔ)內(nèi)容不丟失（稱為 動(dòng)態(tài)刷新 ），所以動(dòng)態(tài) RAM需要設(shè)置 刷新 電路，相應(yīng)外圍電路就較為復(fù)雜。 – DRAM在微機(jī)中應(yīng)用非常廣泛，如微機(jī)中的內(nèi)存條（主存）、顯卡上的顯示存儲(chǔ)器幾乎都是用 DRAM制造的。SDRAM的工作頻率目前最大可達(dá) 150MHz，存取時(shí)間約為 5～10ns，最大數(shù)據(jù)率為 150MB/s，是當(dāng)前微機(jī)中流行的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存類型。其最大數(shù)據(jù)率可達(dá) 。主要應(yīng)用在主板和高速顯示卡上。 2）隨機(jī)存取，存取任一單元所需的時(shí)間相同。當(dāng)斷電后，存儲(chǔ)器中的內(nèi)容立即消失。 行地址
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