第四章存儲器和存儲系統(tǒng)-展示頁
2024-10-23 11:32本頁面
【正文】 P 基片 N+ N+ S D G SiO2 ? 靜態(tài) RAM（ SRAM） VCC T1 T3 T2 T4 T5 T6 A’ A 位線 B’ 位線 B 地址選擇 ? 動態(tài) RAM 字線 數(shù)據(jù)線 T CS 利用存儲器芯片構(gòu)造存儲系統(tǒng) ? 利用與非門實(shí)現(xiàn)譯碼 例：假設(shè)某微處理器有 20根地址線 A0， A1， A2， ………… ， A19 8根數(shù)據(jù)線 D0， D1， D2， ………… ， D7 20根地址線： CPU可以訪問 1M個(gè)存儲單元 8根數(shù)據(jù)線： CPU和存儲器之間每次傳送的數(shù) 據(jù)為 8位 存儲器使用 2K * 8 EPROM： 11根地址線， 8 根數(shù)據(jù)線 2K*8 EPROM 數(shù)據(jù)線 D0~D7 地址線 A0~A10 CE OE VPP VCC RD 地址線 A12~A19 地址線 A11 M/IO 2K * 8 EPROM被譯為地址 FF000H~FF7FFH ? 利用譯碼器實(shí)現(xiàn)譯碼 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 A B C G1 G2A G2B 譯碼輸入 輸入使能 74LS138譯碼器 G2A G2B G1 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 1 X X X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 X 1 X X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 X X 0 X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 例：假設(shè)微處理器系統(tǒng)中從 0E0000H開始的 64K存儲區(qū) 無存儲器，已知某一類 RAM是 8K*8的存儲芯片， 如何進(jìn)行擴(kuò)充？ 8K*8 CE W/R 數(shù)據(jù)線 D0~D7 地址線 A0~A12 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 A0~A12 D0~D7 A0~A12 D0~D7 數(shù)據(jù)線 地址線 RD W/R W/R A13~A15 A16 A17~A19 A B C G1 G2A G2B E0000~E1FFF E2020~E3FFF E4000~E5FFF E6000~E7FFF E8000~E9FFF EA000~EBFFF EC000~EDFFF EE000~EFFFF CE CE ……………… ………… 存儲器的擴(kuò)展 ? 存儲器的位擴(kuò)展 位擴(kuò)展 是指增加存儲器的字長，如 1K*4的存 儲器，可組成 1K*8的存儲器 2114 2114 A0~A9 D4~D7 D0~D3 CS WE ? 存儲器的字?jǐn)U展 字?jǐn)U展 是指增加存儲器的字的數(shù)量，如 2片 1K*8的存儲器，可組成 2K*8的存儲器， 即存儲器的容量增加了一倍 D0~D7 1K * 8 A 1K * 8 B WE A0~A9 A10 存儲器的容量為 2K，即 000 0000 0000 100 0000 0000 011 1111 1111 111 1111 1111 1 K 1 K CS0 CS1 ? 存儲器的字、位擴(kuò)展 字、位擴(kuò)展 是指既增加存儲器的字的數(shù)量又增 加字長，如 4片 1K*4的存儲器，可 組成 2K*8的存儲器，即存儲器的 容量、字長都增加了一倍。 一個(gè)存儲器芯片引腳的數(shù)目為 10 則地址范圍為 00 0000 0000 – 11 1111 1111 存儲容量為 210 = 1024 個(gè)存儲單元，即 1KB。第四章 存儲器和存儲系統(tǒng) 分層的存儲系統(tǒng) ? 基本概念 ? 存儲容量 存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量 ? 存儲器包含的存儲單元的總數(shù) 存儲容量 = 存儲單元（字節(jié)） ? 存儲器所能記憶的全部二進(jìn)制信息量 例如：某存儲器有 4096字節(jié)的存儲單元 則存儲器的存儲容量為 4KB = 32KBit ? 存儲系統(tǒng)的分層結(jié)構(gòu) 寄存器組 高速緩沖存儲器 主 存 儲 器 輔 助 存 儲 器 CPU內(nèi)部 主機(jī)內(nèi)部 外部設(shè)備 價(jià)格 高 低 容量 小 大 Cache CPU RAM ROM 外存 主存 帶 Cache 的結(jié)構(gòu)層次 ? 存儲系統(tǒng)中的主存 ? 按存儲介質(zhì)分類 ? 半導(dǎo)體存儲器 體積小、功耗低、存取時(shí)間短、信息容易丟失 ? 磁表面存儲器 信息不易丟失 ? 磁芯存儲器 體積龐大、工藝復(fù)雜、功耗大 ? 光盤存儲器 記錄密度高、耐用性好、可靠性高、可互換性強(qiáng) ? 按存取方式分類 ? 只讀存儲器（ ROM） 掩膜 ROM、 PROM、 EPROM、 EEPROM、 FLASH memory ? 隨機(jī)存取存儲器（ RAM） SRAM、 DRAM ? 串行訪問存儲器 磁帶存儲器 譯碼器與驅(qū)動 地址寄存器 讀寫電路 控制電路 存 儲 體 讀 寫 地址總線 數(shù)據(jù)總線 控制總線 圖 主存的基本組成 ? 主存的工作過程 ? 主存的技術(shù)指標(biāo) ? 存儲容量 主存中能存放二進(jìn)制代碼的總數(shù) 存儲容量 = 存儲單元數(shù) * 字長 ? 存儲速度 ? 存取時(shí)間：又叫存儲器的訪問時(shí)間，是指啟動一次存儲器操作（讀或?qū)懀┑酵瓿?
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