【摘要】第五章:快速熱處理技術(shù)RapidThermalProcessing–目的:注入離子的電激活氧化層缺陷和界面態(tài)的消除消除缺陷和應(yīng)力金屬化(金屬硅化反應(yīng))玻璃介質(zhì)(磷、硼硅玻璃)的熔流覆蓋層的固化表面的平坦化上述的熱處理,多數(shù)屬于后工序。因而,低溫
2024-10-25 19:51
【摘要】審定成績(jī):序號(hào):25自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)報(bào)告題目:集成電路設(shè)計(jì)認(rèn)識(shí)學(xué)生姓名顏平班級(jí)0803院別物理與電子學(xué)院專業(yè)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)號(hào)14072500125指導(dǎo)老師易立華設(shè)計(jì)時(shí)間。15
2025-01-26 03:13
【摘要】集成電路課程設(shè)計(jì)論文劉旭波目錄【摘要】 -2-1.設(shè)計(jì)目的與任務(wù) -3-2.設(shè)計(jì)要求及內(nèi)容 -3-3.設(shè)計(jì)方法及分析 -4-74HC138芯片簡(jiǎn)介 -4-工藝和規(guī)則及模型文件的選擇 -5-電路設(shè)計(jì) -6-輸出級(jí)電路設(shè)計(jì) -6-.內(nèi)部基本反相器中的各MOS尺寸的計(jì)算 -9-.四輸入與非門MO
2025-01-27 17:35
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)認(rèn)定申請(qǐng)表申報(bào)企業(yè)(蓋章)所在地區(qū)申報(bào)日期年月日
2025-07-10 00:42
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-05-09 13:59
【摘要】集成電路課程設(shè)計(jì)論文劉旭波-1-目錄【摘要】...................................................................................................................................-2-1.設(shè)計(jì)目的與任務(wù)...
2025-06-16 22:13
【摘要】第一章集成電路的發(fā)展(IntegratedCircuits)?集成電路:指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管,二極管等有源器件和電阻,電容,電感等無源器件,按照一定的電路互連,”集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件.(Moore’sLaw)?它對(duì)集成電路的發(fā)展有
2025-03-12 05:55
【摘要】目錄1設(shè)計(jì)任務(wù)……………………………………………………………………………1設(shè)計(jì)目的………………………………………………...………………………..1設(shè)計(jì)要求…………………………………………………………………….........1功能擴(kuò)展…………………………………………………………………….........1方案對(duì)比…………………………………………………………
2025-07-09 15:48
【摘要】常用數(shù)字集成電路引腳圖74LS51雙與或非門74LS112雙J-K下降沿觸發(fā)器74LS126三態(tài)緩沖器
2025-07-03 19:41
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-24 18:10
【摘要】集成電路分析與設(shè)計(jì)第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對(duì)于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-16 01:53
【摘要】集成電路后端設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介第一部分簡(jiǎn)單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,并封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-16 01:54
【摘要】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年?yáng)|?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2024-08-16 14:45
【摘要】55/55PLD設(shè)計(jì)問答1.?答:SCF文件是MAXPLUSII的仿真文件,可以在MP2中新建.1.用Altera_Cpld作了一個(gè)186(主CPU)控制sdram的控制接口,發(fā)現(xiàn)問題:要使得sdram讀寫正確,必須把186(主CPU)的clk送給sdram,而不能把clk經(jīng)cpld的延時(shí)送給sdram.兩者相差僅僅4ns.而時(shí)序通過邏輯分析儀
2025-07-18 12:48