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模擬電子電路基礎(chǔ)答案(胡飛躍)第四章答案-展示頁(yè)

2025-07-03 23:33本頁(yè)面
  

【正文】 電流稱為漏極電流,記為。而增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管需要外加電壓VGS產(chǎn)生溝道。 簡(jiǎn)述耗盡型和增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的區(qū)別;對(duì)于適當(dāng)?shù)碾妷浩茫╒DS0V,VGSVT),畫出P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)要說明溝道、電流方向和產(chǎn)生的耗盡區(qū),并簡(jiǎn)述工作原理。解:耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在制造過程中預(yù)先在襯底的頂部形成了一個(gè)溝道,連通了源區(qū)和漏區(qū),也就是說,耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管不用外加電壓產(chǎn)生溝道。隨著VSG逐漸增大,柵極下面的襯底表面會(huì)積聚越來越多的空穴,當(dāng)空穴數(shù)量達(dá)到一定時(shí),柵極下面的襯底表面空穴濃度會(huì)超過電子濃度,從而形成了一個(gè)“新的P型區(qū)”,它連接源區(qū)和漏區(qū)。當(dāng)一定,而持續(xù)增大時(shí),則相應(yīng)的減小,近漏極端的溝道深度進(jìn)一步減小,直至,溝道預(yù)夾斷,進(jìn)入飽和區(qū)。 考慮一個(gè)N溝道MOSFET,其===求下列情況下的漏極電流:(1)VGS5V且VDS1V;(2)VGS2V且VDS;(3)VGS;(4)VGSVDS5V。=(2) 根據(jù)條件,該場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。圖(a)P溝道耗盡型圖 (b) P溝道增強(qiáng)型 一個(gè)NMOS晶體管有Vt1V。=為了使rDS500W,則VGS為多少?當(dāng)晶體管的W為原W的二分之一時(shí),求其相應(yīng)的電阻值。== =解:(1) (2) 用歐姆表的兩測(cè)試棒分別連接JFET的漏極和源極,測(cè)得阻值為R1,然后將紅棒(接負(fù)電壓)同時(shí)與柵極相連,發(fā)現(xiàn)歐姆表上阻值仍近似為R1,再將黑棒(接正電壓)同時(shí)與柵極相連,得歐姆表上阻值為R2,且R2 R1,試確定該場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道還是P溝道。 ,晶體管VT1和VT2有
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