模擬電子電路基礎(chǔ)答案(胡飛躍)第四章答案-展示頁(yè)
2025-07-03 23:33本頁(yè)面
【正文】 電流稱為漏極電流，記為。而增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管需要外加電壓VGS產(chǎn)生溝道。 簡(jiǎn)述耗盡型和增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的區(qū)別；對(duì)于適當(dāng)?shù)碾妷浩茫╒DS0V，VGSVT），畫出P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)要說明溝道、電流方向和產(chǎn)生的耗盡區(qū)，并簡(jiǎn)述工作原理。解：耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在制造過程中預(yù)先在襯底的頂部形成了一個(gè)溝道，連通了源區(qū)和漏區(qū)，也就是說，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管不用外加電壓產(chǎn)生溝道。隨著VSG逐漸增大，柵極下面的襯底表面會(huì)積聚越來越多的空穴，當(dāng)空穴數(shù)量達(dá)到一定時(shí)，柵極下面的襯底表面空穴濃度會(huì)超過電子濃度，從而形成了一個(gè)“新的P型區(qū)”，它連接源區(qū)和漏區(qū)。當(dāng)一定，而持續(xù)增大時(shí)，則相應(yīng)的減小，近漏極端的溝道深度進(jìn)一步減小，直至，溝道預(yù)夾斷，進(jìn)入飽和區(qū)。 考慮一個(gè)N溝道MOSFET，其===求下列情況下的漏極電流：（1）VGS5V且VDS1V；（2）VGS2V且VDS；（3）VGS；（4）VGSVDS5V。=(2) 根據(jù)條件，該場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。圖（a）P溝道耗盡型圖 (b) P溝道增強(qiáng)型 一個(gè)NMOS晶體管有Vt1V。=為了使rDS500W，則VGS為多少？當(dāng)晶體管的W為原W的二分之一時(shí)，求其相應(yīng)的電阻值。== =解：（1） (2) 用歐姆表的兩測(cè)試棒分別連接JFET的漏極和源極，測(cè)得阻值為R1，然后將紅棒（接負(fù)電壓）同時(shí)與柵極相連，發(fā)現(xiàn)歐姆表上阻值仍近似為R1，再將黑棒（接正電壓）同時(shí)與柵極相連，得歐姆表上阻值為R2，且R2 R1，試確定該場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道還是P溝道。 ，晶體管VT1和VT2有
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