【正文】 tes failure is described and radiation environment of space is introduced. Next, the mechanism and various factors which influence the incidence of multiplebit upset are discussed in detail. Later, single and double MOS transistor models are made by Sentaurus TCAD and simulation experiments are conducted on bipolar amplification effect and diffusion effect which are the reasons for causing multiplebit upset. Finally, according to the idea of “mechanismmodelinghardening”, a discussion on multiplebit upset hardening is presented in detail and an effective hardening measurement is proposed. Keywords: single event effect。隨后用Sentaurus TCAD建立130 nm單管模型和雙管模型，就導(dǎo)致單粒子多位翻轉(zhuǎn)的雙極放大效應(yīng)和擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。文章開頭介紹了衛(wèi)星失效故障的調(diào)查結(jié)果和空間的輻射環(huán)境。但是隨著集成電路的發(fā)展，單個(gè)晶體管的尺寸越來越小，這就增大了電路輻射效應(yīng)中的單粒子效應(yīng)特別是單粒子多位翻轉(zhuǎn)的發(fā)生率。同意其參加答辯，建議成績評定為 。該生已基本具備了查閱相關(guān)文獻(xiàn)、分析和解決問題的能力。該生在研究中積極地查閱了相關(guān)文獻(xiàn)，學(xué)習(xí)使用了Sentaurus TCAD軟件建模和Origin畫圖軟件對仿真結(jié)果進(jìn)行了較好的處理，并對MOS管有源極和無源極進(jìn)行對比，得出模型的主要電荷收集方式?，F(xiàn)代集成電路單個(gè)晶體管的尺寸越來越少，電源電壓也越來越低，而電路的抗輻射能力卻越來越脆弱。最后依據(jù)“機(jī)制建模加固”的思路，對單粒子多位翻轉(zhuǎn)的加固進(jìn)行了詳細(xì)的討論，并指出了增加兩個(gè)MOS管的距離和添加保護(hù)環(huán)能夠有效的抑制多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。隨后用Sentaurus TCAD建立130 nm單管模型和雙管模型，就導(dǎo)致單粒子多位翻轉(zhuǎn)的雙極放大效應(yīng)和擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。文章開頭介紹了衛(wèi)星失效故障的調(diào)查結(jié)果和空間輻射效應(yīng)。由于現(xiàn)代集成電路的發(fā)展，單個(gè)晶體管的尺寸越來越小，這就增大了輻射效應(yīng)中的單粒子效應(yīng)特別是單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的發(fā)生率。論文（設(shè)計(jì)）質(zhì)量，論述是否充分，結(jié)構(gòu)是否嚴(yán)謹(jǐn)合理；實(shí)驗(yàn)是否正確，設(shè)計(jì)、計(jì)算、分析處理是否科學(xué)；技術(shù)用語是否準(zhǔn)確，符號(hào)是否統(tǒng)一，圖表圖紙是否完備、整潔、正確，引文是否規(guī)范；，有無觀點(diǎn)提煉，綜合概括能力如何；，有無創(chuàng)新之處。 三、進(jìn)度安排序號(hào)各階段完成的內(nèi)容 完成時(shí)間1查看文獻(xiàn)1月20日~3月5日2學(xué)習(xí)TCAD工具仿真3月6日~4月5日3建立模型并仿真4月6日~5月6日4撰寫論文5月7日~5月17日5修改論文并制作ppt5月18日~5月26日6答辯5月26日四、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻(xiàn)[1] P. Roche, G. Gasiot, et a1. Comparison of soft error rate for SRAMs in mercial SOI and bulk below the 130 nm technology node [J]. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2003, 50(6): 20462454. [2] 劉必慰. 集成電路的單粒子效應(yīng)建模與加固方法研究 [D]. 博士學(xué)位論文. 國防科技大學(xué), 2009. [3] J. A. Zoutendyk, H. R. Schwartz, et al. Lateral charge transport from heavyion tracks in integrated circuits [J]. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1988, 35(6): 16441647. [4] O. A. Ausan, A. F. Witulski, et a1. Charge collection and charge sharing in a 130nm CMOS technology [J] IEEE Trans. Nucl. Sci, 2006, 53(6): 32533258. [5] 賀朝會(huì), 李國政等. CMOS SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的解析分析 [J]. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào), 2000, 21(2): 174 178. [6] 劉征. 納米集成電路單粒子效應(yīng)電荷收集及若干影響因素的研究 [D]. 博士學(xué)位論文. 國防科技 大學(xué), 2011. [7] M. Zhu, L. Y. Xiao, et al. Reliability of memories protected by multibit error correction codes against MBUs [J]. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2011, 58(1): 289295. [8] A. D. Tipton, X. W. Zhu, et al. 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