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全球和中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史和大事記-展示頁

2025-06-30 13:33本頁面
  

【正文】 提出了“加快基地建設(shè),形成規(guī)模生產(chǎn),注重發(fā)展專用電路,加強(qiáng)科研和支持條件,振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略?! ?988年9月,上無十四廠在技術(shù)引進(jìn)項目,建了新廠房的基礎(chǔ)上,成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子制造有限公司?! ?986年,電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會,提出“七五”期間我國集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略,即普及推廣5微米技術(shù),開發(fā)3微米技術(shù),進(jìn)行1微米技術(shù)科技攻關(guān)?! ?982年10月,國務(wù)院為了加強(qiáng)全國計算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo),成立了以萬里副總理為組長的“電子計算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”,制定了中國IC發(fā)展規(guī)劃,提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。(6600萬美元),建設(shè)目標(biāo)是月投10000片3英寸硅片的生產(chǎn)能力,年產(chǎn)2648萬塊IC成品,產(chǎn)品為雙極型消費類線性電路,包括電視機(jī)電路和音響電路?! ?982年,江蘇無錫的江南無線電器材廠(742廠)IC生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn),這是一條從日本東芝公司全面引進(jìn)彩色和黑白電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線,不僅擁有部封裝,而且有3英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線,不但引進(jìn)了設(shè)備和凈化廠房及動力設(shè)備等“硬件”,而且還引進(jìn)了制造工藝技術(shù)“軟件”。  1973年,我國7個單位分別從國外引進(jìn)單臺設(shè)備,期望建成七條3英寸工藝線,最后只有北京878廠,航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。各省市所建廠主要有:上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體(一)廠、航天部西安691廠等等。之后,又研制成CMOS電路?! ?968年,上海無線電十四廠首家制成PMOS(P型金屬-氧化物半導(dǎo)體)電路(MOSIC)。標(biāo)志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。1966年底,在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品?! ?964年,河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管?! ?962年,我國研究制成硅外延工藝,并開始研究采用照相制版,光刻工藝。  1960年,中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所,同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所(河北半導(dǎo)體研究所)?! ?958年,美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路(IC)之后,發(fā)展極為迅猛,從SSI(小規(guī)模集成電路)起步,經(jīng)過MSI(中規(guī)模集成電路),發(fā)展到LSI(大規(guī)模集成電路),然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI(超大規(guī)模集成電路)及最近的ULSI(特大規(guī)模集成電路),甚至發(fā)展到將來的GSI(甚大規(guī)模集成電路),屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學(xué)院院士王陽元(北京大學(xué)微電子所所長)、工程院院士許居衍(華晶集團(tuán)中央研究院院長)和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺(北方華虹設(shè)計公司董事長)。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè),共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。全球和中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史和大事記1947年,美國貝爾實驗室發(fā)明了半導(dǎo)體點接觸式晶體管,從而開創(chuàng)了人類的硅文明時代?! ?956年,我國提出“向科學(xué)進(jìn)軍”,根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進(jìn)程,提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué),把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。培養(yǎng)出了第一批著名的教授:北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三?! ?957年,北京電子管廠通過還原氧化鍺,拉出了鍺單晶。當(dāng)年,中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)?! ?959年,天津拉制出硅(Si)單晶。  1962年,天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs),為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。  1963年,河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管?! ?965年12月,河北半導(dǎo)體研究所召開鑒定會,鑒定了第一批半導(dǎo)體管,并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數(shù)字邏輯電路。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主,還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等?! ?968年,組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠,至1970年建成投產(chǎn),形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕,并在七十年代初,永川半導(dǎo)體研究所(現(xiàn)電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路?! ∑呤甏?,IC價高利厚,需求巨大,引起了全國建設(shè)IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮,共有四十多家集成電路工廠建成,四機(jī)部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風(fēng)光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等?! ?972年,中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。  1976年11月,中國科學(xué)院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機(jī),所使用的電路為中國科學(xué)院109廠(現(xiàn)中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。這是中國第一次從國外引進(jìn)集成電路技術(shù)。到1984年達(dá)產(chǎn),產(chǎn)量達(dá)到3000萬塊,成為中國技術(shù)先進(jìn)、規(guī)模最大,具有工業(yè)化大生產(chǎn)的專業(yè)化工廠?! ?983年,針對當(dāng)時多頭引進(jìn),重復(fù)布點的情況,國務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”,集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn)略,南方基地主要指上海、江蘇和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈陽,一個點指西安,主要為航天配套。  1988年,871廠紹興分廠,改名為華越微電子有限公司。  1988年,在上海元件五廠、上無七廠和上無十九廠聯(lián)合搞技術(shù)引進(jìn)項目的基礎(chǔ)上,組建成中外合資公司――上海飛利浦半導(dǎo)體公司(現(xiàn)在的上海先進(jìn))?! ?989年8月8日,742廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團(tuán)公司?! ?991年,首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司?! ?995年10月,電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會,獻(xiàn)計獻(xiàn)策,加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?! ?997年7月17日,由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司組建,
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