【正文】 2p2p2pwtwtw t當(dāng) ＝60176。在電源電壓 u2的負(fù)半周期，負(fù)載電感 L 釋放能量，晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通。解： ＝0176。和 60176。9. 試說明 IGBT、GTR、GTO 和電力 MOSFET 各自的優(yōu)缺點(diǎn)。答：全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓，du/dt 或過電流和 di/dt，減小器件的開關(guān)損耗。電力 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)：要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸入電阻，驅(qū)動(dòng)功率小且電路簡單。GTR 驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流有足夠陡的前沿，并有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗，關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動(dòng)電流，并加反偏截止電壓，以加速關(guān)斷速度。 20 的擊穿電壓，所以為防止MOSFET 因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：① 一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；② 裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地，測試時(shí)所有儀器外殼必須接地；③ 電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高④ 漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。6. 如何防止電力 MOSFET 因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力 MOSFET 的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。而 GTO 則為a1+a2187。a1+a2＞1，兩個(gè)等效晶體管過飽和而導(dǎo)通；a1+a2＜1，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。 Im2187。I 187。 Im1187。I 187。02 Imd (wt) =1Imc) Id3= π 41 p242。pp4Imsin td( t) = πw2w2Im213 +11(Imsin t) d ( t) =4p242p187。ppw wIm(2 + ) 187。pp4wt2wtπIm=223 +1187。ppw wImsin td( t) =Im(2 + 1 ) 187。3. 圖 143 中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im，試計(jì)算各波形的電流平均值 IdIdId3與電流有效值 III3。2. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。目錄目錄 ............................................................................................................................................... 1 第 1 章 緒論 ................................................................................................................................. 1 第 2 章 電力電子器件 ............................................................................................................... 1 第 3 章 整流電路 ....................................................................................................................... 5 第 4 章 逆變電路 ..................................................................................................................... 21 第 5 章 直流直流變流電路 .................................................................................................... 24 第 6 章 交流交流變流電路 .................................................................................................... 31 第 7 章 PWM 控制技術(shù) ........................................................................................................... 36 第 8 章 軟開關(guān)技術(shù) ................................................................................................................... 40 第 9 章 電力電子器件應(yīng)用的共性問題 ................................................................................... 41 第 10 章 電力電子技術(shù)的應(yīng)用 ................................................................................................. 41 第 2 章1. 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？電力電子器件答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）?；颍簎AK0 且 uGK0。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。0 pp2p0pp 5p2p 0p2p4a)4b)42c)圖 143 圖143晶閘管導(dǎo)電波形解：a) Id1=1 242。 Im1π242。 ImI1=2p4(Imsin ) d ( )42p1 242。 Imb) Id2=πI2= p 242。 1 242。02 2w1ImI3=2pImd ( t) =24. 上題中如果不考慮安全裕量,問 100A 的晶閘管能送出的平均電流 IdIdId3各為多少？這時(shí)，相應(yīng)的電流最大值 ImImIm3各為多少? 解：額定電流 I T(AV) =100A 的晶閘管，允許的電流有效值 I =157A，由上題計(jì)算結(jié)果知a) Im1187。 ，Id1187。 b) Im2187。 , Id2187。 c) Im3=2 I = 314, Id3=41Im3= 能？5. GTO 和普通晶閘管同為 PNPN 結(jié)構(gòu)，為什么 GTO 能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不答：GTO 和普通晶閘管同為 PNPN 結(jié)構(gòu)，由 P1N1P2和 N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管 VV2,分別具有共基極電流增益a1和a2，由普通晶閘管的分析可得，a1+a2=1 是器件臨界導(dǎo)通的條件。GTO 之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因?yàn)?GTO 與普通晶閘管在設(shè)計(jì)和工藝方面有以下幾點(diǎn)不同：1) GTO 在設(shè)計(jì)時(shí)a2較大，這樣晶體管 V2控制靈敏，易于 GTO 關(guān)斷；2) GTO 導(dǎo)通時(shí)的a1+ a2更接近于 1，普通晶閘管 a1+a 179。 ，GTO 的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件；3) 多元集成結(jié)構(gòu)使每個(gè) GTO 元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。MOSFET 的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過 177。7. IGBT、GTR、GTO 和電力 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)？2 答：IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻，IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，IGBT 的驅(qū)動(dòng)多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。GTO 驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是：GTO 要求其驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流，關(guān)斷需施加負(fù)門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門極反偏電路三部分。8. 全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么？試分析 RCD 緩沖電路中各元件的作用。RCD 緩沖電路中，各元件的作用是：開通時(shí)，Cs經(jīng) Rs放電，Rs起到限制放電電流的作用；關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電流經(jīng) VDs從 Cs分流，使 du/dt 減小，抑制過電壓。解：對(duì) IGBT、GTR、GTO 和電力 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)的比較如下表：器 件IGBT GTR GTO 電 力MOSFET 優(yōu) 點(diǎn)開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率小耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡單，工作頻率高，不存在3 缺 點(diǎn)開 關(guān) 速 度 低 于 電 力MOSFET,電壓，電流容量不及 GTO 開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過 10kW的電力電子裝置二次擊穿問題4 第 3 章整流電路 1. 單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng) ＝0176。時(shí)的負(fù)載電流 Id，并畫出 ud與 id波形。時(shí)，在電源電壓 u2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電感 L 儲(chǔ)能，在晶閘管開始導(dǎo)通時(shí)刻，負(fù)載電流為零。因此，在電源電壓 u2的一個(gè)周期里，以下方程均成立：Ldid= 2U2sinwtd t考慮到初始條件：當(dāng)wt＝0 時(shí) id＝0 可解方程得：U22(1 cos )id= wLwt=12p242。時(shí)，在 u2正半周期 60176。期間晶閘管導(dǎo)通使電感 L 儲(chǔ)能，電感 L 儲(chǔ)藏的能量在 u2負(fù)半周期 180176。期間釋放，因此在 u2一個(gè)周期中 60176。期間以下微分方程成立：Ldid= 2U2sinwtd t考慮初始條件：當(dāng)wt＝60176。p22(coswt wt)d( ) =dp23wL22wL此時(shí) ud與 id的波形如下圖：u20 audid++++wtwtwt 2．圖 29 為具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路，問該變壓器還有直流磁化問題嗎？試說明：①晶閘管承受的最大反向電壓為 2其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)相同。因?yàn)閱蜗嗳煽卣麟娐纷儔浩鞫螠y繞組中，正負(fù)半周內(nèi)上下繞組內(nèi)電流的方向相反，波形對(duì)稱，其一個(gè)周期內(nèi)的平均電流為零，故不會(huì)有直流磁化的問題。① 以晶閘管 VT2為例。② 當(dāng)單相全波整流電路與單相全控橋式整流電路的觸發(fā)角a 相同時(shí)，對(duì)于電阻負(fù)載：（0~ ）期間無晶閘管導(dǎo)通，輸出電壓為 0；（ ~π）期間，單相全波電路中 VT1導(dǎo)通，單相全控橋電路中 VTVT4導(dǎo)通，輸出電壓均與電源電壓 u2相等；(π~π＋ )期間，均無晶閘管導(dǎo)通，輸出電壓為 0；(π＋ ~ 2π)期間，單相全波電路中 VT2導(dǎo)通，