電子技術基礎(模擬部分)試卷二及答案-展示頁
2025-06-09 12:20本頁面
【正文】 試卷二系別 學號 姓名 成績 考試課程 模擬電子技術基礎 考試日期 2002 年 １２ 月１２日題號一二三四五六七八九總分分數得分核分人閱卷人1．單項選擇題(在每一小題的四個備選答案中，選出一個正確的答案，并將其序號寫在題干后的( )內。每小題2分，共20分)(1)雜質半導體中的少數載流子濃度取決于( )。①2V②8V③ A．正向導通狀態(tài) B．反向電擊穿狀態(tài) C．反向截止狀態(tài) D．反向熱擊穿狀態(tài)(3)測得一放大電路中的三極管各電極相對于“地”的電壓如圖1所示，A．NPN型硅管 B．NPN型鍺管 C．PNP型鍺管 D．PNP型硅管(4)溫度上升時，半導體三級管的( )。 A．共集電極放大電路 B．共基極放大電路 C．共漏極放大電路 D．共射極放大電路(6)在四種反饋組態(tài)中，能夠使輸出電壓穩(wěn)定，并提高輸人電阻的負反饋是( )。 A．Aｕ等于各級電壓放大倍數之積 B．Rｉ等于輸入級的輸入電阻 C．R。A．︱Aｕｄ︱ B． ︱Aｕｅ︱ C．Ｒｉｄ D．ＫＣＭＲ(9)電路如圖2所示，其中U２＝20V，C＝100ｕF。+u1－TR+u2－D1D4D3D2C
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