霍爾效應測磁場實驗報告-展示頁
2025-05-23 03:55本頁面
【正文】 將“輸入選擇”開關置于“VH”擋，將“電壓表量程”選擇按鍵開關置于“200” mV擋，霍爾傳感器的靈敏度為：245mV/mA/T。1．接線：霍爾傳感器的3腳為工作電流輸入，分別接“IH輸出”的正、負端； 4腳為霍爾電壓輸出，分別接“VH輸入”的正、負端。八、實驗步驟及操作：（一）研究通電螺線管軸線上的磁場分布。五、實驗目的：研究通電螺線管內部磁場強度六、實驗內容：（一）測量通電螺線管軸線上的磁場強度的分布情況，并與理論值相比較；（二）研究通電螺線管內部磁場強度與勵磁電流的關系。在的作用下，電荷將在元件沿Z方向的兩端面堆積形成電場（見圖2），它會對載流子產生一靜電力，其大小為方向與洛侖茲力相反，即它是阻止電荷繼續(xù)堆積的。 圖1 霍耳效應示意圖 圖2 霍耳效應解釋（二）霍耳效應的解釋現研究一個長度為l、寬度為b、厚度為d的N型半導體制成的霍耳元件。因成品霍耳元件（根據霍耳效應制成的器件）的d也是一常數，故常用另一常數K來表示，有 （2）式中，K稱為霍耳元件的靈敏度，它是一個重要參數，表示該元件在單位磁感應強度和單位電流作用下霍耳電壓的大小。如圖1所示，這種現象稱為霍耳效應，稱為霍耳電壓。 WORD資料可編輯 實 驗 報 告學生姓名： 學 號： 指導教師： 實驗地點： 實驗時間：一、實驗室名稱：霍爾效應實驗室 二、 實驗項目名稱：霍爾效應法測磁場三、實驗學時： 四、實驗原理：（一）霍耳效應現象將一塊半導體（或金屬
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