【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長(zhǎng)問(wèn)
2024-12-17 07:59
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識(shí)通過(guò)一定的
2025-03-16 23:13
【摘要】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進(jìn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
2025-01-07 06:43
【摘要】半導(dǎo)體材料的拋光摘要磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片必要方式,然而磨削和研磨會(huì)導(dǎo)致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對(duì)生產(chǎn)微電子原件來(lái)說(shuō)是十分重要的。這次講座將會(huì)介紹到寄出的拋光過(guò)程以及不同的過(guò)程模型。另外也會(huì)對(duì)硅、砷化鎵等不同的半導(dǎo)體襯底材料進(jìn)行討論。關(guān)鍵字:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)三軸拋光機(jī)床半導(dǎo)體拋光1簡(jiǎn)介,但拋光和平展化任然是制備微電子原
2024-08-09 13:57
【摘要】第八章半導(dǎo)體電子材料材料優(yōu)值的概念?某類器件究竟采用哪種材料更合適??材料的某些基本性質(zhì)決定的材料優(yōu)值,并用此材料優(yōu)值來(lái)定量比較常用的幾種材料優(yōu)值?約翰遜優(yōu)值?凱斯優(yōu)值?巴利加優(yōu)值?高頻器件用材料優(yōu)值?熱性能優(yōu)值約翰遜優(yōu)值?最大輸出功率:電壓?
2025-01-11 09:27
【摘要】第二章半導(dǎo)體材料特性1提綱2原子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵材料分類硅可選擇的半導(dǎo)體材料新型半導(dǎo)體電子與光電材料原子結(jié)構(gòu)原子由三種不同的粒子構(gòu)成:中性中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負(fù)電核的電子,質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。圖碳原子的基本模型
2025-03-16 23:56
【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說(shuō)明之。解:在一定溫度下,價(jià)帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過(guò)程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對(duì)的電子-空穴對(duì)。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會(huì)有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說(shuō)明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫
2025-04-02 23:10
【摘要】第一章半導(dǎo)體中電子狀態(tài)(二)量子力學(xué)初步第一朵烏云出現(xiàn)在光的波動(dòng)理論上,第二朵烏云出現(xiàn)在關(guān)于能量均分的麥克斯韋-玻爾茲曼理論上世紀(jì)之交的1900年,經(jīng)典物理學(xué)輝煌的大廈已近完成。物理學(xué)泰斗開爾文爵士在物理學(xué)大會(huì)的演講中宣布:“Thereisnothingnewtobediscoveredin
2025-05-10 22:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量?半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及導(dǎo)電機(jī)構(gòu)?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1、金剛石型結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵?化學(xué)鍵:構(gòu)成晶體的結(jié)合力.?共價(jià)鍵:由同種晶體組成的元素半導(dǎo)體,其
2025-01-27 16:52
【摘要】半導(dǎo)體物理教材:劉恩科王延來(lái)15124750239固體物理的分支半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學(xué)特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)等學(xué)習(xí)要求深刻理解概念、物理機(jī)制48學(xué)時(shí),3學(xué)分,閉卷考試,平時(shí)30%,期末70%第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n半導(dǎo)體材料分類n晶體材料:?jiǎn)尉Ш投嗑?/span>
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國(guó)章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時(shí)間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點(diǎn):內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求:著重物理概
2025-01-07 07:03
【摘要】?jī)?nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無(wú)限深勢(shì)阱中的粒子?激光原理?晶體點(diǎn)陣及電子波在周期勢(shì)場(chǎng)中的傳播應(yīng)用Atoms(原子核)(外層電子、價(jià)帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-14 18:14
【摘要】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)QJ/TBJ053063-2004
2025-06-28 16:55
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過(guò)來(lái),它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄
2025-01-18 18:29
【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-07-08 04:43