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正文內(nèi)容

晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向v-展示頁

2025-05-22 00:49本頁面
  

【正文】 術(shù)研究中心 分析下表的內(nèi)容得出以下結(jié)論:要將電池的生產(chǎn)成本降低到 1美元 /WP以下,電池的轉(zhuǎn)換效率必須要高于 18%,并要求生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)能力高。 80年代初至今 ? 硅太陽能電池進入快速發(fā)展,開發(fā)的電池效率大幅度提高,商業(yè)化生產(chǎn)成本進一步降低,應用不斷擴大。 20世紀 70年代 ? 硅太陽電池開始在地面應用。晶體硅太陽能電池技術(shù)發(fā)展方向 李紅波 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 太陽能電池的分類 Page 2 太 陽 能 電 池晶 體 硅 電 池非 晶 硅 薄 膜 電 池銅 銦 硒 ( C I S ) 電 池碲 化 鎘 ( C d T e ) 電 池砷 化 鎵 電 池 等硅成為太陽電池的主體材料 地球上儲量第二大元素 性能穩(wěn)定無毒 研究得最多,技術(shù)最成熟 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 Page 3 晶體硅太陽能電池發(fā)展簡史 1839年 ? 法國科學家貝克雷爾,光照能使半導體材料的不同部位之間產(chǎn)生電位差,光伏效應 1954年 ? 美國科學家恰賓和皮爾松,美國貝爾實驗室,首次制成實用單晶硅太陽能電池(效率為 6%)。 1958年 ? 硅太陽能電池首先在航天器上得到應用。 到 70年代末地面用太陽能電池產(chǎn)量己經(jīng)超過空間電池產(chǎn)量,并促使成本不斷降低。 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 晶體硅太陽能電池的新技術(shù) ? 熱氧化 SiO2鈍化 , 氫鈍化, aSi鈍化等 鈍化技術(shù) ? 表面織構(gòu)化技術(shù),減反射技術(shù) 陷光技術(shù) ? 背場可以降低飽和電流,改善開路電壓,提高電池效率。 350( $/m2) 300( $/m2) 250( $/m2) 200( $/m2) 150( $/m2) 10% $ $ $ $ $ 12% $ $ $ $ $ 15% $ $ $ $ $ 18% $ $ $ $ $ 成本 效率 晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 Page 6 晶體硅太陽能電池的發(fā)展趨勢 兩個主要因素 提高轉(zhuǎn)換效率 降低成本 發(fā)展趨勢: 高效化 薄片化 日本 NEDO晶體硅太陽能電池至 2022年的技術(shù)開發(fā)目標 : 超薄型超高效率電池的開發(fā) 壽命 30年 的實現(xiàn) 原料問題的解決 低成本化的實現(xiàn) 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 ? 澳大利亞 新南威爾士大學研發(fā) ? 鈍化發(fā)射區(qū)和背面局部擴散( PERL)單晶硅電池 ? ? = % 單晶硅高效化: PERL電池 上海太陽能工程技術(shù)研究中心 PERL電池有七個工藝特點(目前制造實驗室高效電池的主要技術(shù)之一) 表面采用倒金字塔結(jié)構(gòu),減小光在前表面反射 硅表面磷摻雜的濃度較低,減少表面的復合,避免表面 “ 死層 ” 電極下面局部采用高濃度擴散,減小電極區(qū)復合,形成好的歐姆接觸 表面電極很窄,電極間距變窄,遮光面積降低,減少橫向?qū)щ婋娮璧膿p失; 電極采用更匹配的金屬如鈦、鈀、銀
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