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晶體硅太陽能電池生產線清洗制絨工序-展示頁

2025-05-09 03:20本頁面
  

【正文】 料位 清洗制絨的工藝設備及操作流程工藝 : ? 設備架構: ? 鏈式制絨,槽體根據功能不同分為入料段、濕法刻蝕段、水洗段、堿洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。 : 降低硅表面張力,促進氫氣泡的釋放,是金字塔更加均勻一致。 ?設備特點: ? 可根據不同清洗工藝配置相應的清洗單元; ? 清洗功能單元模塊化,各部分有獨立的控制單元,可隨意組合; ? 結構緊湊,凈化占地面積小,造型美觀、實用,操作符合人機工程原理。 confidential confidential ? 絨面制作方法: 目前,晶體硅太陽電池的絨面一般的是通過化學腐蝕的方法制作完成,針對不同 的硅片類型,有兩種不同的化學液體系: 清洗制絨的作用及方法 2)多晶硅絨面制作: 多晶硅絨面 單晶硅絨面 1)單晶硅絨面制作: Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2↑ ? 此反應為各向異性反應,也是形成金字塔絨面的原因 3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O SiO2+4HF→SiF4+2H2O SiF4 +4HF→H2SiF6 ? 此反應為各向同性反應,形成蠕蟲狀絨面 confidential confidential ?絨面反射率: 清洗制絨的作用及方法 ? 制絨前:硅片表面的反射率一般為 20%左右; ? 制絨后:單晶的反射率可降至 10% ;多晶可降至 15 %; 0300 400 500 600 700 800 900 1000 1100Wavelength (nm)Reflectancesmooth texture清洗制絨可有效提升對光線的吸收效率,提升電池性能。晶體硅太陽能電池生產線 清洗制絨工序培訓
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