晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線清洗制絨工序(已修改)
2025-05-12 03:20 本頁面
【正文】 晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線 清洗制絨工序培訓(xùn) 王大男 光伏電池評(píng)測中心 confidential confidential 目錄 清洗制絨的作用及方法； 清洗制絨的工藝設(shè)備及操作流程； 主要檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)； 常見問題及解決方法； 未來工藝的發(fā)展方向； confidential confidential 清洗制絨的作用及方法 ?太陽電池生產(chǎn)流程： 清洗制絨 擴(kuò)散 去 PSG 印刷 刻蝕 PECVD 硅片 燒結(jié) 電池 電池生產(chǎn)線 硅片生產(chǎn)線 組件生產(chǎn)線 ?清洗制絨 作為太陽電池生產(chǎn)中的第一道工序，其主要作用有兩個(gè)： 損傷層 1）祛除硅片表面的雜質(zhì)損傷層 ：損傷層是在硅片切割過程中形成的表面（ 10微米左右）晶格畸變，具有較高的表面復(fù)合。 2）形成陷光絨面結(jié)構(gòu) ：光線照射在硅片表面通過多次折射，達(dá)到減少反射率的目的。 confidential confidential ? 絨面制作方法： 目前，晶體硅太陽電池的絨面一般的是通過化學(xué)腐蝕的方法制作完成，針對(duì)不同 的硅片類型，有兩種不同的化學(xué)液體系： 清洗制絨的作用及方法 2）多晶硅絨面制作： 多晶硅絨面 單晶硅絨面 1）單晶硅絨面制作： Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2↑ ? 此反應(yīng)為各向異性反應(yīng)，也是形成金字塔絨面的原因 3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O SiO2+4HF→SiF4+2H2O SiF4 +4HF→H2SiF6 ? 此反應(yīng)為各向同性反應(yīng)，形成蠕蟲狀絨面 confidential confidential ?絨面反射率： 清洗制絨的作用及方法 ? 制絨前：硅片表面的反射率一般為 20%左右； ? 制絨后：單晶的反射
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