emmiobirch原理及應(yīng)用-展示頁(yè)
2025-05-16 18:06本頁(yè)面
【正文】 帶電子和價(jià)帶空穴。這意味著顯微發(fā)光信號(hào)正比于空間電荷區(qū)的載流子倍增。只有在飽和時(shí)，電流通過(guò)空間電荷區(qū)從夾斷區(qū)到達(dá)漏極。這一發(fā)光現(xiàn)象和熱載流子有關(guān)。這是因?yàn)楦叩木植侩娏髅芏热刍藫舸﹨^(qū)，擴(kuò)大了擊穿區(qū)使電流密度下降。這一電壓降導(dǎo)致了發(fā)光顯微鏡光譜區(qū)內(nèi)的場(chǎng)加速載流子散射發(fā)光。但薄氧化層擊穿不一定會(huì)產(chǎn)生空間電荷區(qū)，特別是多晶硅和阱的摻雜類型相同時(shí)。當(dāng)反偏電壓增加時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光區(qū)的面積都增大，直到整個(gè)結(jié)區(qū)都發(fā)光。當(dāng) pn結(jié)反偏至雪崩擊穿后，首先在局部觀察到明亮的發(fā)光點(diǎn)。只有當(dāng)反偏 pn結(jié)已經(jīng)擊穿，或者結(jié)上存在缺陷而產(chǎn)生漏電時(shí)，反偏 pn結(jié)發(fā)的光才能被探測(cè)到。所發(fā)射的光子的能量可以大于禁帶能量。這時(shí)的結(jié)電流主要是耗盡區(qū)中注入載流子的復(fù)合。 pn結(jié) 正向偏置 時(shí)，發(fā)光的空間分布相對(duì)均勻，下圖是正向偏置的 pn結(jié)的發(fā)光原理示意圖和實(shí)際 EMMI相片： pn結(jié)及其相關(guān)結(jié)構(gòu)的發(fā)光機(jī)制 Latchup of CMOS device 閂鎖是 CMOS電路中的一種失效機(jī)制。 Abstract Failure Analysis Flow 將宏觀的電學(xué)測(cè)試和微觀的結(jié)構(gòu)剖析連接起來(lái) 1. OBIRCH的基本原理 2. OBIRCH lockin簡(jiǎn)介 3. OBIRCH的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 4. EMMI的基本原理 5. Advanced EMMI (InGaAs)簡(jiǎn)介 6. EMMI的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 7. OBIRCH與 EMMI的區(qū)別 Outlines 1. OBIRCH的基本原理 2. OBIRCH lockin簡(jiǎn)介 3. OBIRCH的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 4. EMMI的基本原理 5. Advanced EMMI (InGaAs)簡(jiǎn)介 6. EMMI的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 7. OBIRCH與 EMMI的區(qū)別 Construction and BASICPrinciple of IROBIRCH Bias apply to device using with voltage source or current source. When laser scan, current (or voltage) is changed caused by resistance change with laser heating at the laser beam point. 1. OBIRCH的基本原理 2. OBIRCH lockin簡(jiǎn)介 3. OBIRCH的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 4. EMMI的基本原理 5. Advanced EMMI (InGaAs)簡(jiǎn)介 6. EMMI的應(yīng)用及實(shí)際失效案例分析 7. OBIRCH與 EMMI的區(qū)別 Principle of Lockin Detection Method 1. OBIRCH的基本
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