脫溶與調(diào)幅分解ppt課件-展示頁
2025-05-12 04:54本頁面
【正文】 脫溶驅(qū)動(dòng)力大 ②當(dāng)晶界不均勻成核幾率大 ③晶界擴(kuò)散系數(shù)大 不連續(xù)脫溶與連續(xù)脫溶的主要區(qū)別： ① 前者主要析出物在晶界上，并形成胞狀物 后者主要析出物在晶內(nèi)，較為均勻 ②前者屬短程擴(kuò)散 后者屬長程擴(kuò)散 ③前者脫溶物附近成分不連續(xù)變化 后者脫溶物附近成分連續(xù)變化 ④前者伴隨再結(jié)晶 后者沒有再結(jié)晶 實(shí)例： Al(2~%Cu) 130℃ 時(shí)效析出析出序列： α→G 1 過飽和固溶體的脫溶 連續(xù)均勻脫溶： 如果沉淀過程在母相中各處同時(shí)發(fā)生，母相的成分連續(xù)變化，但其晶粒外形及位向均未改變。一、脫溶沉淀現(xiàn)象 定義： 從過飽和固溶體中析出一個(gè)成分不同的新相或形成溶質(zhì)原子富集的亞穩(wěn)區(qū)過渡相的過程。 條件：①合金固溶度隨溫度而變化， T↑ ，固溶度 ↓ ②合金從單相區(qū)進(jìn)入雙向區(qū) 類型： 第三章 脫溶（沉淀） 不連續(xù)脫溶 連續(xù)脫溶 均勻脫溶 局部脫溶 脫溶 167。 連續(xù)沉淀形成的魏氏組織， SiMnAl合金， 800℃ 緩冷 連續(xù)不均勻脫溶 ： 沉淀相擇優(yōu)地析出與晶界、亞晶界、位錯(cuò)、非共格的孿晶界等處 發(fā)生條件： 連續(xù)均勻脫溶 —— △ T↑ 連續(xù)不均勻脫溶 —— △ T↓ 不連續(xù)脫溶 :高度過飽和固溶體發(fā)生的胞狀沉淀，如 CuZn、 CuMg、 CuBe合金等。PP P 四方結(jié)構(gòu)： a=b=, c= 與基體保持共格 成分接近 CuAl2 ???? ???和 ?在 150左右便可出現(xiàn) ?四方結(jié)構(gòu)： a=b=, c= ?與基體保持部分共格 ?成分接近 ?圓盤狀 ?與基體有一定的位向關(guān)系 ???四方結(jié)構(gòu)： a=b=, c= ?與基體形成非共格界面 ?成分 CuAl2 ?不均勻地在晶界上形核 ?θ出現(xiàn)的時(shí)候合金的硬度已經(jīng)下降 ?彈性應(yīng)力場強(qiáng)化基體理論 （ MottNabarro理論） 沉淀粒子與基體間晶格錯(cuò)配引起的內(nèi)應(yīng)力場是強(qiáng)化源之一 三、強(qiáng)化機(jī)制： 濃度梯度強(qiáng)化理論 濃度梯度對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生附加阻力 （當(dāng)刃位錯(cuò)與梯度方向一致，螺位錯(cuò)與梯度方向垂直） 第二相與位錯(cuò)交互作用理論 第二相粒子強(qiáng)化的應(yīng)用： 有色合金： 時(shí)效 鋼： 微合金化鋼（ V、 Nb、 Ti等），馬氏體時(shí)效鋼 P/M材料： 彌散強(qiáng)化 顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料 （ PRMMC） 表面強(qiáng)化技術(shù)： CN共滲、離子注入 電鍍： 合金電鍍（ NiP電鍍形成 Ni3P粒子） 分散電鍍（細(xì)硬粒子與金屬發(fā)生共沉積） 四 、 脫溶驅(qū)動(dòng)力 脫溶驅(qū)動(dòng)力： 化學(xué)自由能 （ 體積自由能 ， △ Gv） 圖解法求脫溶驅(qū)動(dòng)力： △ Gv～ C%曲線 粗化方式： 小粒子溶解、大粒子長大 粗化驅(qū)動(dòng)力： 界面能的降低（或濃度梯度） 粒子濃度與尺寸的關(guān)系：
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