【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-08-01 00:26
【摘要】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進?雙極型數(shù)字電路的版圖設計3?集成電路設計與制造的主要流程框架設計
2025-01-23 10:46
【摘要】求和運算電路積分和微分運算電路對數(shù)和指數(shù)運算電路模擬乘法器及其應用有源濾波器[引言]:運算電路是集成運算放大器的基本應用電路,它是集成運放的線性應用。討論的是模擬信號的加法、減法積分和微分、對數(shù)和反對數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運算。為了分析方便,把運放均視為理想器件:
2025-05-13 18:03
【摘要】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學習版圖設計打下基礎。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-05-07 22:22
【摘要】555定時器及其應用555定時器用555定時器組成施密特觸發(fā)器用555定時器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時器組成多諧振蕩器555定時器是一種應用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號的產(chǎn)生、變換、控制與檢測。555定時器及其應用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-14 18:18
【摘要】CMOS集成電路設計基礎-數(shù)字集成電路基礎對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應偏離設計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-24 18:10
【摘要】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-05-09 13:59
【摘要】2022年5月28日星期六集成電路原理及應用能源工程學院1第8章語音和圖像集成電路收音機集成電路語音集成電路功放集成電路電視機及圖像處理集成電路家庭影院集成電路2022年5月28日星期六集成電路原理及應用能源工程學院2收音機集成電路收音
2025-05-09 12:02
【摘要】集成電路工藝原理復旦大學微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導體集成電路工藝原理2第四章擴散(Diffusion)§引言§擴散機理§擴散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-27 20:36
【摘要】集成電路分析與設計第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-16 01:53
【摘要】集成電路后端設計簡介第一部分簡單導言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導體晶片上,并封裝在一個外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-16 01:54
【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎1、半導體材料:N型半導體:N-NN+P型半導體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-23 01:31
【摘要】山東浪潮華光光電子股份有限公司集成電路產(chǎn)業(yè)狀況介紹浪潮華光任忠祥202208052山東浪潮華光光電子股份有限公司
2024-08-16 14:45
【摘要】集成電路版圖基礎——電容版圖設計光電工程學院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-05-09 18:27
【摘要】第九章版圖設計實例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖