材料科學(xué)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)考試-展示頁(yè)
2025-04-26 02:41本頁(yè)面
【正文】 下列圖中哪個(gè)晶胞最可能是尖晶石晶體結(jié)構(gòu)（ ）陰離子具有立方密堆積，陽(yáng)離子填滿所有四面體空隙的是下列哪種結(jié)構(gòu)（ ）A．螢石結(jié)構(gòu) B．反螢石結(jié)構(gòu)C．尖晶石結(jié)構(gòu) D．反尖晶石結(jié)構(gòu)下列缺陷中屬于線缺陷的是( )A．位錯(cuò) B．晶界C．層錯(cuò) D．空位當(dāng)硅氧四面體被共用的頂點(diǎn)數(shù)S=4時(shí)，其形成的結(jié)構(gòu)為（ ） A．島狀結(jié)構(gòu) B．鏈狀結(jié)構(gòu) C．層狀結(jié)構(gòu) D．骨架結(jié)構(gòu)下圖中，高溫熔體M緩慢析晶將在（ ）點(diǎn)結(jié)束。得 分一．選擇題：(本大題共十小題，每小題1分，共10分，將答案填入下面表格中）12345678910右圖最可能是哪種晶體的結(jié)構(gòu)（ ）A．螢石結(jié)構(gòu) B．尖晶石結(jié)構(gòu)C．鈣鈦礦結(jié)構(gòu) D．金紅石結(jié)構(gòu)，哪項(xiàng)不會(huì)影響填隙型固溶體的固溶度……（ ） A尺 寸 B離子價(jià) C導(dǎo)電性 D電負(fù)性下圖為六方最密堆積(A3)，則其每個(gè)原子的配位數(shù)為( )個(gè)。安慶師范學(xué)院 20102011學(xué)年度第一學(xué)期期末復(fù)習(xí)考試 《材料科學(xué)基礎(chǔ)》課程院系 化學(xué)化工學(xué)院 專業(yè) 材料化學(xué) 班級(jí) 姓名 學(xué)號(hào)□□□□□□□□□題 號(hào)一二三四五總分得 分注 意 事 項(xiàng)本試卷共五大題?？忌痤}時(shí)必須準(zhǔn)確填寫院系、專業(yè)、班級(jí)、姓名、學(xué)號(hào)等欄目，字跡要清楚、工整。A．2 B．4 C．8 D．12在燒結(jié)模型中，中心距縮短的雙球模型適用于( )傳質(zhì)的燒結(jié)。A．K點(diǎn) B．P點(diǎn)C．E點(diǎn) D．D點(diǎn)得 分得 分二、填空題（本大題共13小題，共27分）燒結(jié)是一個(gè) 過(guò)程（1 分）， （1分）是推動(dòng)燒結(jié)進(jìn)行的基本動(dòng)力。晶體產(chǎn)生Fenkel缺陷時(shí)，晶體體積 （1分），晶體密度 （1分
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