【正文】 。6非均勻成核：借助于表面、界面、微粒裂紋、器壁以及各種催化位置而形成晶核的過程。肖特基缺陷：如果正常格點(diǎn)上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置，遷移到晶體的表面，在晶格內(nèi)正常格點(diǎn)上留下空位，即為肖特基缺陷。 3晶胞：指晶體結(jié)構(gòu)中的平行六面體單位，其形狀大小與對(duì)應(yīng)的空間格子中的單位平行六面體一致。（6分）（10分）答：（5分）b．CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體 （5分）七、 計(jì)算題（10分）解：因?yàn)閚/N=exp（?Gf/2kT）?Gf=1019=1019J T=1600+273=1873K所以 n/N=exp（1019/210231873）= exp（）=108 （5分）在CaF2晶體中，含有百分之一的YF3 雜質(zhì)，缺陷方程如下： 此時(shí)產(chǎn)生的缺陷為，=108，故在1873K時(shí)雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì)或 ）此時(shí)產(chǎn)生的缺陷為 ，=108，故在1873K時(shí)雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì) （5分）1螺位錯(cuò)：柏格斯矢量與位錯(cuò)線平行的位錯(cuò)。初期：主要是石英顆粒的分化；中期：縮聚并伴隨變形；后期：在一定時(shí)間和一定溫度下，聚合和解聚達(dá)到平衡。C軸可膨脹以及陽離子交換容量大，是蒙脫石結(jié)構(gòu)上的特征。（5分）而蒙脫石是為2:1型結(jié)構(gòu)，鋁氧八面體層中大約1/3的Al3+被Mg2+取代，為了平衡多余的負(fù)電價(jià)，在結(jié)構(gòu)單位層之間有其它陽離子進(jìn)入，而且以水化陽離子的形式進(jìn)人結(jié)構(gòu)。（10分）答：（1）泥漿的流動(dòng)性 KCl CaCl2 （2分）（2）泥漿的觸變性 KCl CaCl2 （2分）（3）泥漿的可塑性 KCl CaCl2 （2分） （4）坯體的致密度 KCl CaCl2 （2分）（5）黏土的ζ電位 KCl CaCl2 （2分）（10分）答：高嶺石的陽離子交換容量較小，而蒙脫石的陽離子交換容量較大。（）硼反?，F(xiàn)象：硼酸鹽玻璃與相同條件下的硅酸鹽玻璃相比，其性質(zhì)隨R2O或RO加入量的變化規(guī)律相反，這種現(xiàn)象稱硼反常現(xiàn)象。即泥漿靜止不動(dòng)時(shí)似凝固體，一經(jīng)擾動(dòng)或搖動(dòng)，凝固的泥漿又重新獲得流動(dòng)。這類氧化物不能形成玻璃，但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，從而使玻璃性質(zhì)改變。（） 網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)改變體； 網(wǎng)絡(luò)形成體：?jiǎn)捂I強(qiáng)度大于335KJ/mol的氧化物，可單獨(dú)形成玻璃。（） 肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷； 肖特基缺陷：如果正常格點(diǎn)上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置遷移到晶體的表面，在晶體內(nèi)正常格點(diǎn)上留下空位，這即是肖特基缺陷。如果CaF2晶體中，含有百萬分之一的YF3 雜質(zhì)，則在1600℃時(shí)CaF2晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢(shì)還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì)？（玻爾茲曼常數(shù)k=102電子的電荷e=1019）無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)試卷六答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)二、 名詞解釋（20分） 晶胞、反螢石結(jié)構(gòu)：反螢石結(jié)構(gòu)：這種結(jié)構(gòu)與螢石完全相同，只是陰、陽離子的個(gè)數(shù)及位置剛好與螢石中的相反，即金屬離子占有螢石結(jié)構(gòu)中F—的位置，而02—離子或其他負(fù)離子占Ca2+的位置，這種結(jié)構(gòu)稱為反螢石結(jié)構(gòu)。（10分）（1）泥漿的流動(dòng)性 （2）泥漿的觸變性 （3）泥漿的可塑性 （4）坯體的致密度 （5）黏土的ζ電位高嶺石和蒙脫石的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并解釋為什么蒙脫石具有膨脹性和高的陽離子交換容量，而高嶺石則不具有膨脹性、陽離子交換容量也很低。1同價(jià)陽離子飽和的黏土膠粒的ξ電位隨陽離子半徑的增加而（ ）。按此分類法可將硅酸鹽礦物分為（ ）結(jié)構(gòu)、（ ）結(jié)構(gòu)、（ ）結(jié)構(gòu)、（ ）結(jié)構(gòu)和（ ）結(jié)構(gòu)。晶體的熱缺陷有（ ）和（ ）兩類，熱缺陷濃度與溫度的關(guān)系式為（ ）。形成連續(xù)固溶體的條件是（ ）、（ ）和（ ）。Zn1+x O在還原氣氛中可形成（ ）型半導(dǎo)體，缺陷濃度與氧分壓的1/6次方成（ ），如果減少周圍氧氣的分壓，Zn1+x O的密度將（ ）。a=b≠c α=β=γ=900的晶體屬（ ）晶系。 A、對(duì)稱型 B、點(diǎn)群 C、微觀對(duì)稱的要素的集合 D、空間群1在ABO3(鈣鈦礦)型結(jié)構(gòu)中，B離子占有（ ）。熔體的臨界冷卻速率越大，就（ ）形成玻璃。該晶面的晶面指數(shù)為（ ）。A、高級(jí)等軸 B、低級(jí)正交 C、中級(jí)六方 D、高級(jí)六方下列性質(zhì)中（ ）不是晶體的基本性質(zhì)。A、4 B、12 C、8 D、6在單位晶胞的CaF2晶體中，其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為（ ）。A、近程有序，遠(yuǎn)程無序 B、近程無序，遠(yuǎn)程無序 C、近程無序，遠(yuǎn)程有序依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)（ ）體心立方堆積的堆積系數(shù)。無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)試卷六一、 名詞解釋（20分） 反螢石結(jié)構(gòu)、晶胞； 肖特基缺陷、弗倫克爾缺陷； 網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)改變體； 觸變性、硼反?，F(xiàn)象；二、選擇題（8分） 粘土泥漿膠溶必須使介質(zhì)呈（ ） A、酸性 B、 堿性 C、 中性硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的（ ）的聚集體。A、大于 B、小于 C、等于 D、不確定某晶體AB，A—的電荷數(shù)為1，A—B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為（ ）。A、4，8 B、8，4 C、1，2 D、2，4點(diǎn)群L6PC屬（ ）晶族（ ）晶系。A、自限性 B、最小內(nèi)能性 C、有限性 D、各向異性晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為1/2a、1/3b、1/6c。A、（236） B、（326） C、（321） D、（123）非化學(xué)計(jì)量化合物Cd1+xO中存在（ ）型晶格缺陷A、陰離子空位 B、陽離子空位 C、陰離子填隙 D、陽離子填隙可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。A、越難 B、越容易 C、很快 D、緩慢1晶體結(jié)構(gòu)中一切對(duì)稱要素的集合稱為（ ）。 A、四面體空隙 B、八面體空隙 C、立方體空隙 D、三方柱空隙晶體 三、填空（17分）在玻璃形成過程中，為避免析晶所必須的冷卻速率的確定采用（ ）的方法。六方緊密堆積的原子密排面是晶體中的（ ）面，立方緊密堆積的原子密排面是晶體中的（ ）面。b 與位錯(cuò)線（ ）的位錯(cuò)稱為刃位錯(cuò)，；b 與位錯(cuò)線（ ）的位錯(cuò)稱為螺位錯(cuò)。在AB2O4型尖晶石結(jié)構(gòu)中，若以氧離子作立方緊密堆積排列，在正尖晶石結(jié)構(gòu)中，A離子占有（ ）空隙，B離子占有（ ）空隙。硅酸鹽晶體分類的依據(jù)是（ ）。陶瓷元件表面被銀，為提高瓷件與銀層間的潤(rùn)濕性，瓷面表面應(yīng)（ ）。1Ca黏土泥漿膠溶時(shí)，加入NaOH和Na2SiO3電解質(zhì)，（ ）效果好？四、 問答題（45分） 為什么等軸晶系有原始、面心、體心格子，而沒有單面心格子？（6分） 用KCl和CaCl2分別稀釋同一種黏土泥漿，當(dāng)電解質(zhì)加入量相同時(shí)，試比較兩種泥漿下列性質(zhì)的差異。（10分）說明熔體中聚合物形成過程？從結(jié)構(gòu)上來說明在SiO2熔體中隨著Na2O加入量的不同，熔體粘度、形成玻璃能力如何變化，為什么? （9分）出下列反應(yīng)的合理缺陷反應(yīng)式（10分）a．NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體b．CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體五、