材料科學(xué)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)考試(已修改)
2025-04-29 02:41 本頁面
【正文】 安慶師范學(xué)院 20102011學(xué)年度第一學(xué)期期末復(fù)習(xí)考試 《材料科學(xué)基礎(chǔ)》課程院系 化學(xué)化工學(xué)院 專業(yè) 材料化學(xué) 班級 姓名 學(xué)號□□□□□□□□□題 號一二三四五總分得 分注 意 事 項(xiàng)本試卷共五大題?？忌痤}時必須準(zhǔn)確填寫院系、專業(yè)、班級、姓名、學(xué)號等欄目，字跡要清楚、工整。得 分一．選擇題：(本大題共十小題，每小題1分，共10分，將答案填入下面表格中）12345678910右圖最可能是哪種晶體的結(jié)構(gòu)（ ）A．螢石結(jié)構(gòu) B．尖晶石結(jié)構(gòu)C．鈣鈦礦結(jié)構(gòu) D．金紅石結(jié)構(gòu)，哪項(xiàng)不會影響填隙型固溶體的固溶度……（ ） A尺 寸 B離子價 C導(dǎo)電性 D電負(fù)性下圖為六方最密堆積(A3)，則其每個原子的配位數(shù)為( )個。A．2 B．4 C．8 D．12在燒結(jié)模型中，中心距縮短的雙球模型適用于( )傳質(zhì)的燒結(jié)。A蒸發(fā)冷凝 B溶解沉淀 C晶格擴(kuò)散 D表面擴(kuò)散過冷熔體的結(jié)晶過程是由兩步組成的，它包括( )A．晶核生長和晶體生長 B．晶核生長和析出晶體C．析出晶體和晶體生長 D．快速冷卻和析出晶體 下列圖中哪個晶胞最可能是尖晶石晶體結(jié)構(gòu)（ ）陰離子具有立方密堆積，陽離子填滿所有四面體空隙的是下列哪種結(jié)構(gòu)（ ）A．螢石結(jié)構(gòu) B．反螢石結(jié)構(gòu)C．尖晶石結(jié)構(gòu) D．反尖晶石結(jié)構(gòu)下列缺陷中屬于線缺陷的是( )A．位錯 B．晶界C．層錯 D．空位當(dāng)硅氧四面體被共用的頂點(diǎn)數(shù)S=4時，其形成的結(jié)構(gòu)為（ ） A．島狀結(jié)構(gòu) B．鏈狀結(jié)構(gòu) C．層狀結(jié)構(gòu) D．骨架結(jié)構(gòu)下圖中，高溫熔體M緩慢析晶將在（ ）點(diǎn)結(jié)束。A．K點(diǎn) B．P點(diǎn)C．E點(diǎn) D．D點(diǎn)得 分得 分二、填空題（本大題共13小題，共27分）燒結(jié)是一個 過程（1 分），
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