電力電子技術(shù)(第二版)課后習題及解答-展示頁
2025-04-03 06:06本頁面
【正文】 P100的電流額定值為100Ａ，裕量達５倍，太大了。主要用于高壓大功率場合。即。，晶閘管的觸發(fā)電流、正反向漏電流、維持電流以及正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓如何變化？答：溫度升高時，晶閘管的觸發(fā)電流隨溫度升高而減小，正反向漏電流隨溫度升高而增大，維持電流IH會減小，正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓隨溫度升高而減小。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答：晶閘管的關(guān)斷條件是：要使晶閘管由正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，可采用陽極電壓反向使陽極電流IA減小，IA下降到維持電流IH以下時，晶閘管內(nèi)部建立的正反饋無法進行?！峨娏﹄娮蛹夹g(shù)》習題及解答第1章 思考題與習題? 導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答：晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓，并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流（或脈沖）。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定，負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。進而實現(xiàn)晶閘管的關(guān)斷，其兩端電壓大小由電源電壓UA決定。？答：非正常導(dǎo)通方式有：(1) Ig=0，陽極電壓升高至相當高的數(shù)值；(1) 陽極電壓上升率du/dt過高；(3) 結(jié)溫過高。答：晶閘管從正向陽極電流下降為零到它恢復(fù)正向阻斷能力所需的這段時間稱為關(guān)斷時間。？答：快速晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管等。答：光控晶閘管是在普通晶閘管的門極區(qū)集成了一個光電二極管，在光的照射下，光電二極管電流增加，此電流便可作為門極電觸發(fā)電流使晶閘管開通。，維持電流IH=4mA的晶閘管，為什么?(暫不考慮電壓電流裕量) 答：（a）因為，所以不合理。（c）因為，大于額定值，所以不合理。解：圖(a)： IT(AV)==IT== Kf== 圖題1．9圖(b)： IT(AV)== ImIT==Kf==圖(c)： IT(AV)== ImIT== ImKf==圖(d)： IT(AV)==ImIT== ImKf==圖(e)： IT(AV)==IT==Kf==圖(f)： IT(AV)==IT==Kf==2，如不考慮安全裕量，問額定電流100A的晶閘管允許流過的平均電流分別是多少?解：(a)，則有： = , IT(AV) = 100 A(b)，則有： = , IT(AV)=(c)，則有： = , IT(AV)=(d)，則有： = , IT(AV)=(e)，則有： =, IT(AV)=(f)圖波形系數(shù)為2，則有： 2= , IT(AV)=，試問型號規(guī)格代表什么意義?解：KP代表普通型晶閘管，200代表其晶閘管的額定電流為200A，8代表晶閘管的正反向峰值電壓為800V，D代表通態(tài)平均壓降為。 解：其波形如下圖所示：，若要使用單次脈沖觸發(fā)晶閘管T導(dǎo)通，門極觸發(fā)信號（觸發(fā)電壓為脈沖）的寬度最小應(yīng)為多少微秒（設(shè)晶閘管的擎住電流IL=15mA）？ 解：由題意可得晶閘管導(dǎo)通時的回路方程：可解得 ， ==1要維維持持晶閘管導(dǎo)通，必須在擎住電流IL以上，即 ， 所以脈沖寬度必須大于150181。，交流電源電壓有效值為220V。 什么叫GTR的一次擊穿?什么叫GTR的二次擊穿?答：處于工作狀態(tài)的GTR，當其集電極反偏電壓UCE漸增大電壓定額BUCEO時，集電極電流IC急劇增大（雪崩擊穿），但此時集電極的電壓基本保持不變，這叫一次擊穿。?答：安全工作區(qū)是指在輸出特性曲線圖上GTR能夠安全運行的電流、電壓的極限范圍。正偏工作區(qū)又叫開通工作區(qū)，它是基極正向偏量條件下由GTR的最大允許集電極功耗PCM以及二次擊穿功率PSB，ICM，BUCEO四條限制線所圍成的區(qū)域。 GTR對基極驅(qū)動電路的要求是什么？答：要求如下：（1）提供合適的正反向基流以保證GTR可靠導(dǎo)通與關(guān)斷，（2）實現(xiàn)主電路與控制電路隔離，（3）自動保護功能，以便在故障發(fā)生時快速自動切除驅(qū)動信號避免損壞GTR。?答：緩沖電路可以使GTR在開通中的集電極電流緩升，關(guān)斷中的集電極電壓緩升，避免了GTR同時承受高電壓、大電流。?答：GTR是電流型器件，功率MOS是電壓型器件，與GTR相比，功率MOS管的工作速度快，開關(guān)頻率高，驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，無二次擊穿問題，安全工作區(qū)寬，并且輸入阻抗可達幾十兆歐。，功率MOS管與VDMOS管有何區(qū)別
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