[信息與通信]微電子工藝課件chapter11zhang-展示頁
2025-03-31 06:58本頁面
【正文】 性較差，臺階覆蓋能力差，易產(chǎn)生霧狀顆粒、粉末等。 在更低的反應(yīng)溫度和壓力下，表面反應(yīng)速度會降低，此時為 反應(yīng)速度限制淀積工藝。 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 24 CVD 傳輸和反應(yīng)步驟 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 速度限制階段： 溫度升高會促進表面反應(yīng)速度的增加，反應(yīng)速度最慢的階段將決定淀積過程的速度。 第十一章 淀積 — CVD化學(xué)過程 21 異類反應(yīng)（表面）、同類反應(yīng)（表面上方） 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 22 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 23 CVD工藝特點 CVD成膜溫度遠低于體材料的熔點或軟化點，因而減輕了襯底片的熱形變，減小了沾污，抑制了缺陷生成，減輕了雜質(zhì)的再分布，適于制造淺結(jié)分立器件以及 VLSI電路； 薄膜的成分精確可控、配比范圍大，重復(fù)性好； 淀積速率一般高于 PVD（ 物理氣相淀積，如蒸發(fā)、濺射等）；厚度范圍從幾百 197。 產(chǎn)生化學(xué)變化（化學(xué)反應(yīng)、熱分解）； 膜中的所有的材料物質(zhì)來源于外部的源； CVD工藝中的反應(yīng)物以氣相形式參加反應(yīng)。 第十一章 淀積 — 薄膜特性 12 第十一章 淀積 — 薄膜特性 13 第十一章 淀積 — 薄膜特性 14 第十一章 淀積 — 薄膜特性 15 薄膜生長三階段 ： （島生長） 高表面速率、低的成核速度 低表面速率、高的成核速度 無定形膜 單晶 多晶 第十一章 淀積 — 薄膜生長 16 第十一章 淀積 — 薄膜生長 17 薄膜生長步驟 第十一章 淀積 — 膜淀積技術(shù) CVD用于淀積金屬膜或介質(zhì)膜， SOD用來淀積液態(tài)介質(zhì)膜，對金屬材料而言， PVD最常用。第十一章 淀積 學(xué)習(xí)目標： 描述多層金屬化，敘述并解釋薄膜生長的三個階段； 不同薄膜不同淀積技術(shù)； 化學(xué)汽相淀積（ CVD）反應(yīng)的 8個基本步驟，包括不 同類型的化學(xué)反應(yīng)； 描述 CVD反應(yīng)如何受限制，解釋反應(yīng)動力學(xué)以及對 CVD薄膜摻雜的效應(yīng)； 描述不同類型的 CVD淀積系統(tǒng)，設(shè)備的功能，討論特 定工具對薄膜應(yīng)用的優(yōu)點和局限； 解釋絕緣材料對芯片技術(shù)的重要性； 討論外延技術(shù)和三種不同的外延層淀積方法； 解釋絕緣旋涂介質(zhì)（ SOD） 1 第十一章 淀積 2 薄膜分類： （ 11章） 作用： 、電路的一部分（電感） 內(nèi)容安排： 11章 SiO2 Si3N4 多晶硅層 12章 金屬層 微芯片加工是平面加工工藝，包含在硅片上生 長不同膜層的步驟； 淀積工藝是成膜手段之一（ 還有哪幾種？ ）； 導(dǎo)電薄膜（ 12章）和絕緣薄膜（本章）； 結(jié)構(gòu)的一部分或犧牲層； 術(shù)語： 金屬層、關(guān)鍵層、介質(zhì)層 第十一章 淀積 — 引言 3 第十一章 淀積 — 引言 4 金屬層 材料： 鋁 、銅 名稱： M M6 金屬層： 增加一層成本增加： 15% 關(guān)鍵層： 底層金屬 M1 非關(guān)鍵層： 上層金屬 考慮： 速度與功耗，寄生參數(shù)（電容、電感、電阻） 第十一章 淀積 — 引言 MSI 的 MOS晶體管的各層薄膜（ 不平 ） 5 第十一章 淀積 — 引言 6 第十一章 淀積 — 引言 Multilevel Metallization on a ULSI Wafer 7 第十一章 淀積 — 引言 8 第十一章 淀積 — 引言 9 介質(zhì)層 ILD 層間介質(zhì) interlayer dielectric SiO2介電常數(shù) ~ 作用： ? 電學(xué) ? 物理 薄膜 ：在一種襯底上生長的薄固體物質(zhì)； 薄膜淀積 ：任何在硅片襯底上物理淀積一層膜 的工藝（半導(dǎo)體、導(dǎo)體或絕緣物質(zhì)）。 第十一章 淀積 — 膜淀積 10 第十一章 淀積 — 膜淀積 11 薄膜所應(yīng)該具備的特性 ： 好的臺階覆蓋能力； 填充高的深寬比能隙的能力； 好的厚度均勻性
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