【摘要】微電子工藝課程設(shè)計(jì)一、摘要仿真(simulation)這一術(shù)語(yǔ)已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書(shū)書(shū)刊上,甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。不同的書(shū)刊和字典對(duì)仿真這一術(shù)語(yǔ)的定義性簡(jiǎn)釋大同小異,以下3種最有代表性,仿真是一個(gè)系統(tǒng)或過(guò)程的功能用另一系統(tǒng)或過(guò)程的功能的仿真表示;用能適用于計(jì)算機(jī)的數(shù)學(xué)模型表示實(shí)際物理過(guò)程或系統(tǒng);不同實(shí)驗(yàn)對(duì)問(wèn)題的檢驗(yàn)。仿真(也即模擬)
2025-07-08 12:49
【摘要】目錄一·課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計(jì)的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計(jì)……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-07-08 13:20
【摘要】微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)?設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時(shí),β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計(jì)任務(wù)具體要求:1、制造目標(biāo):發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2025-01-02 20:50
【摘要】第十章微電子工藝實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測(cè)量等。2.熱擴(kuò)散對(duì)硅片進(jìn)行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴(kuò)散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測(cè)量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-05-08 01:06
【摘要】課程設(shè)計(jì)課程名稱(chēng)微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱(chēng)PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專(zhuān)業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛(ài)香
2024-08-11 17:47
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話(huà):13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)
2025-05-21 07:50
【摘要】微電子工藝基礎(chǔ)第5章氧化工藝微電子工業(yè)基礎(chǔ)第5章氧化工藝本章(4學(xué)時(shí))目標(biāo):1、掌握硅器件中二氧化硅層的用途2、熟悉熱氧化的機(jī)制3、熟悉干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點(diǎn)4、摻氯氧化的作用5、氧化膜質(zhì)量的檢測(cè)方法微電子工
2025-05-08 05:53
【摘要】下一頁(yè)總目錄章目錄返回上一頁(yè)第17章電子電路中的負(fù)反饋反饋的基本概念放大電路中的負(fù)反饋振蕩電路中的正反饋下一頁(yè)總目錄章目錄返回上一頁(yè)第17章電子電路中的負(fù)反饋本章要求:1.能判別反饋類(lèi)型2.了解負(fù)反饋對(duì)放大電路工作性能的影響3.了解正弦波振蕩
2024-10-27 22:15
【摘要】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測(cè)試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測(cè)試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測(cè)試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-03 15:55
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性?xún)?nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-05-08 01:25
【摘要】任務(wù)二手工焊接工藝什么是焊接?焊接是使金屬連接的一種方法。它利用加熱手段,在兩種金屬的接觸面,通過(guò)焊接材料的原子或分子的相互擴(kuò)散作用,使兩種金屬間形成一種永久的牢固結(jié)合。利用焊接的方法進(jìn)行連接而形成的接點(diǎn)叫焊點(diǎn)。?手工焊接是傳統(tǒng)的焊接方法,雖然批量電子產(chǎn)品生產(chǎn)已較少采用手工焊接了,但
2025-01-12 03:20
【摘要】1、名詞解釋1.水汽氧氧化:氧化(氧氣)中攜帶一定量的水氣,氧化特性介于干氧與濕氧之間。2.恒定源擴(kuò)散:在擴(kuò)散過(guò)程中,硅片表面的雜質(zhì)濃度Ns始終保持不變。例如,基區(qū)、發(fā)射區(qū)的預(yù)淀積,箱法擴(kuò)散。3.?dāng)U散系數(shù):描述粒子擴(kuò)散快慢的物理量,是微觀擴(kuò)散的宏觀描述。4.外延:一種在單晶或多晶襯底上生長(zhǎng)一層單晶或多晶薄膜的技術(shù)。5.分辨率:光刻時(shí)所能得到的光刻圖形的最小尺寸,用來(lái)表征
2025-04-03 01:57
【摘要】PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕僧?dāng)作開(kāi)關(guān)使用。理想開(kāi)關(guān)的特性直流特性:“開(kāi)”態(tài)時(shí)電壓為0,“關(guān)”態(tài)時(shí)電流為0。瞬態(tài)特性:打開(kāi)的瞬間應(yīng)立即出現(xiàn)穩(wěn)態(tài)電流,關(guān)斷的瞬間電流應(yīng)立即消失。本節(jié)將討論實(shí)際PN結(jié)的開(kāi)
2025-05-08 02:11
【摘要】集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久
2025-05-11 18:06
【摘要】高密度封裝吳錦志1111122712一、封裝級(jí)別?按照制作和安裝上的先后順序,電子封裝一般可劃分成如下幾個(gè)級(jí)別:1.芯片本身的內(nèi)部連接,即門(mén)電路的連接,通常被稱(chēng)為零級(jí)封裝;2.第一級(jí)封裝是器件上單個(gè)或多個(gè)芯片與襯底連接并被封閉的過(guò)程,可分為兩類(lèi):包含單個(gè)芯片,叫做單芯片模塊(SCM);能支持多于一個(gè)芯片,叫做多芯片模塊(
2025-02-23 15:11