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[信息與通信]微電子工藝課件chapter11zhang-展示頁(yè)

2025-03-31 06:58本頁(yè)面
  

【正文】 性較差,臺(tái)階覆蓋能力差,易產(chǎn)生霧狀顆粒、粉末等。 在更低的反應(yīng)溫度和壓力下,表面反應(yīng)速度會(huì)降低,此時(shí)為 反應(yīng)速度限制淀積工藝。 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 24 CVD 傳輸和反應(yīng)步驟 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 速度限制階段: 溫度升高會(huì)促進(jìn)表面反應(yīng)速度的增加,反應(yīng)速度最慢的階段將決定淀積過(guò)程的速度。 第十一章 淀積 — CVD化學(xué)過(guò)程 21 異類(lèi)反應(yīng)(表面)、同類(lèi)反應(yīng)(表面上方) 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 22 第十一章 淀積 — CVD反應(yīng) 23 CVD工藝特點(diǎn) CVD成膜溫度遠(yuǎn)低于體材料的熔點(diǎn)或軟化點(diǎn),因而減輕了襯底片的熱形變,減小了沾污,抑制了缺陷生成,減輕了雜質(zhì)的再分布,適于制造淺結(jié)分立器件以及 VLSI電路; 薄膜的成分精確可控、配比范圍大,重復(fù)性好; 淀積速率一般高于 PVD( 物理氣相淀積,如蒸發(fā)、濺射等);厚度范圍從幾百 197。 產(chǎn)生化學(xué)變化(化學(xué)反應(yīng)、熱分解); 膜中的所有的材料物質(zhì)來(lái)源于外部的源; CVD工藝中的反應(yīng)物以氣相形式參加反應(yīng)。 第十一章 淀積 — 薄膜特性 12 第十一章 淀積 — 薄膜特性 13 第十一章 淀積 — 薄膜特性 14 第十一章 淀積 — 薄膜特性 15 薄膜生長(zhǎng)三階段 : (島生長(zhǎng)) 高表面速率、低的成核速度 低表面速率、高的成核速度 無(wú)定形膜 單晶 多晶 第十一章 淀積 — 薄膜生長(zhǎng) 16 第十一章 淀積 — 薄膜生長(zhǎng) 17 薄膜生長(zhǎng)步驟 第十一章 淀積 — 膜淀積技術(shù) CVD用于淀積金屬膜或介質(zhì)膜, SOD用來(lái)淀積液態(tài)介質(zhì)膜,對(duì)金屬材料而言, PVD最常用。第十一章 淀積 學(xué)習(xí)目標(biāo): 描述多層金屬化,敘述并解釋薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段; 不同薄膜不同淀積技術(shù); 化學(xué)汽相淀積( CVD)反應(yīng)的 8個(gè)基本步驟,包括不 同類(lèi)型的化學(xué)反應(yīng); 描述 CVD反應(yīng)如何受限制,解釋反應(yīng)動(dòng)力學(xué)以及對(duì) CVD薄膜摻雜的效應(yīng); 描述不同類(lèi)型的 CVD淀積系統(tǒng),設(shè)備的功能,討論特 定工具對(duì)薄膜應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)和局限; 解釋絕緣材料對(duì)芯片技術(shù)的重要性; 討論外延技術(shù)和三種不同的外延層淀積方法; 解釋絕緣旋涂介質(zhì)( SOD) 1 第十一章 淀積 2 薄膜分類(lèi): ( 11章) 作用: 、電路的一部分(電感) 內(nèi)容安排: 11章 SiO2 Si3N4 多晶硅層 12章 金屬層 微芯片加工是平面加工工藝,包含在硅片上生 長(zhǎng)不同膜層的步驟; 淀積工藝是成膜手段之一( 還有哪幾種? ); 導(dǎo)電薄膜( 12章)和絕緣薄膜(本章); 結(jié)構(gòu)的一部分或犧牲層; 術(shù)語(yǔ): 金屬層、關(guān)鍵層、介質(zhì)層 第十一章 淀積 — 引言 3 第十一章 淀積 — 引言 4 金屬層 材料: 鋁 、銅 名稱(chēng): M M6 金屬層: 增加一層成本增加: 15% 關(guān)鍵層: 底層金屬 M1 非關(guān)鍵層: 上層金屬 考慮: 速度與功耗,寄生參數(shù)(電容、電感、電阻) 第十一章 淀積 — 引言 MSI 的 MOS晶體管的各層薄膜( 不平 ) 5 第十一章 淀積 — 引言 6 第十一章 淀積 — 引言 Multilevel Metallization on a ULSI Wafer 7 第十一章 淀積 — 引言 8 第十一章 淀積 — 引言 9 介質(zhì)層 ILD 層間介質(zhì) interlayer dielectric SiO2介電常數(shù) ~ 作用: ? 電學(xué) ? 物理 薄膜 :在一種襯底上生長(zhǎng)的薄固體物質(zhì); 薄膜淀積 :任何在硅片襯底上物理淀積一層膜 的工藝(半導(dǎo)體、導(dǎo)體或絕緣物質(zhì))。 第十一章 淀積 — 膜淀積 10 第十一章 淀積 — 膜淀積 11 薄膜所應(yīng)該具備的特性 : 好的臺(tái)階覆蓋能力; 填充高的深寬比能隙的能力; 好的厚度均勻性
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