【摘要】微電子工藝課程設(shè)計一、摘要仿真(simulation)這一術(shù)語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上,甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。不同的書刊和字典對仿真這一術(shù)語的定義性簡釋大同小異,以下3種最有代表性,仿真是一個系統(tǒng)或過程的功能用另一系統(tǒng)或過程的功能的仿真表示;用能適用于計算機的數(shù)學(xué)模型表示實際物理過程或系統(tǒng);不同實驗對問題的檢驗。仿真(也即模擬)
2025-07-08 12:49
【摘要】目錄一·課程設(shè)計目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-07-08 13:20
【摘要】微電子器件與工藝課程設(shè)計?設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計任務(wù)具體要求:1、制造目標:發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2025-01-02 20:50
【摘要】第十章微電子工藝實驗實驗內(nèi)容1.熱氧化生長二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測量等。2.熱擴散對硅片進行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-05-08 01:06
【摘要】課程設(shè)計課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專業(yè)班級08微電子學(xué)1班學(xué)號3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛香
2024-08-11 17:47
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)
2025-05-21 07:50
【摘要】微電子工藝基礎(chǔ)第5章氧化工藝微電子工業(yè)基礎(chǔ)第5章氧化工藝本章(4學(xué)時)目標:1、掌握硅器件中二氧化硅層的用途2、熟悉熱氧化的機制3、熟悉干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點4、摻氯氧化的作用5、氧化膜質(zhì)量的檢測方法微電子工
2025-05-08 05:53
【摘要】下一頁總目錄章目錄返回上一頁第17章電子電路中的負反饋反饋的基本概念放大電路中的負反饋振蕩電路中的正反饋下一頁總目錄章目錄返回上一頁第17章電子電路中的負反饋本章要求:1.能判別反饋類型2.了解負反饋對放大電路工作性能的影響3.了解正弦波振蕩
2024-10-27 22:15
【摘要】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-03 15:55
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-05-08 01:25
【摘要】任務(wù)二手工焊接工藝什么是焊接?焊接是使金屬連接的一種方法。它利用加熱手段,在兩種金屬的接觸面,通過焊接材料的原子或分子的相互擴散作用,使兩種金屬間形成一種永久的牢固結(jié)合。利用焊接的方法進行連接而形成的接點叫焊點。?手工焊接是傳統(tǒng)的焊接方法,雖然批量電子產(chǎn)品生產(chǎn)已較少采用手工焊接了,但
2025-01-12 03:20
【摘要】1、名詞解釋1.水汽氧氧化:氧化(氧氣)中攜帶一定量的水氣,氧化特性介于干氧與濕氧之間。2.恒定源擴散:在擴散過程中,硅片表面的雜質(zhì)濃度Ns始終保持不變。例如,基區(qū)、發(fā)射區(qū)的預(yù)淀積,箱法擴散。3.?dāng)U散系數(shù):描述粒子擴散快慢的物理量,是微觀擴散的宏觀描述。4.外延:一種在單晶或多晶襯底上生長一層單晶或多晶薄膜的技術(shù)。5.分辨率:光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸,用來表征
2025-04-03 01:57
【摘要】PN結(jié)的開關(guān)特性PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕僧?dāng)作開關(guān)使用。理想開關(guān)的特性直流特性:“開”態(tài)時電壓為0,“關(guān)”態(tài)時電流為0。瞬態(tài)特性:打開的瞬間應(yīng)立即出現(xiàn)穩(wěn)態(tài)電流,關(guān)斷的瞬間電流應(yīng)立即消失。本節(jié)將討論實際PN結(jié)的開
2025-05-08 02:11
【摘要】集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計過程:設(shè)計創(chuàng)意+仿真驗證集成電路芯片設(shè)計過程框架From吉利久
2025-05-11 18:06
【摘要】高密度封裝吳錦志1111122712一、封裝級別?按照制作和安裝上的先后順序,電子封裝一般可劃分成如下幾個級別:1.芯片本身的內(nèi)部連接,即門電路的連接,通常被稱為零級封裝;2.第一級封裝是器件上單個或多個芯片與襯底連接并被封閉的過程,可分為兩類:包含單個芯片,叫做單芯片模塊(SCM);能支持多于一個芯片,叫做多芯片模塊(
2025-02-23 15:11