[理學]模擬電子技術(shù)期末復(fù)習總結(jié)-展示頁
2025-03-31 02:16本頁面
【正文】 的控制作用及 vDS對 iD的影響； ? MOSFET的工作原理； ? JFET的輸出特性、轉(zhuǎn)移特性及主要參數(shù)； ?電路的分析（靜態(tài)和動態(tài)）； ?與三極管放大電路各組態(tài)的比較。設(shè) VT VT2特性相同，且 UBE＝ ，電源電壓 VCC＝ 12V，電阻 R1＝ 34k?， R2＝ 10k?， R5＝ 20k?，R6＝ 10k?，現(xiàn)要求靜態(tài)工作電流 ICQ2＝ 1mA，且 VT VT2均應(yīng)工作在放大區(qū)。 例 1：用萬用表的 R 100檔測得某二極管的正向電阻值為 500Ω，若改用 R 1K檔，測同一二極管，則其正向電阻值（ ） a ：已知 uimUR， UD=0， 試畫出輸出電壓波形。 －－－理查德 .費曼 《 模擬電子技術(shù) 》 第一、八、十章 概念 ?數(shù)字信號、模擬信號；數(shù)字電路、模擬電路的區(qū)別和聯(lián)系； ?功率放大電路的特點、類型、計算； ?直流穩(wěn)壓電源的組成、各部分作用及電路特點。物理學家們看待這個世界的方式，我相信，是這個現(xiàn)代化時代真正文化內(nèi)涵的主要部分。 我的目的不是教你們?nèi)绾螒?yīng)付考試，甚至不是讓你們掌握這些知識，以便更好地為今后你們面臨的工業(yè)或軍事工作服務(wù)。我最希望的是，你們能夠像真正的物理學家一樣，欣賞到這個世界的美妙。也許你們學會的不僅僅是如何欣賞這種文化，甚至也愿意參加到這個人類思想誕生以來最偉大的探索中來。 第三章 半導(dǎo)體二極管 ?雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理； ? PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦裕? ?半導(dǎo)體二極管的伏安特性； ?要注意基本概念與實驗的結(jié)合。 答案： 1） 第四章 半導(dǎo)體三極管及 放大電路基礎(chǔ) ?半導(dǎo)體三極管放大的條件（發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏），會判斷電路能否正常放大； ?半導(dǎo)體三極管的電流控制和放大作用； ?直流通路與靜態(tài)工作點的確定； ?交流通路與 H參數(shù)模型（熟練掌握）及電壓增益、輸入輸出電阻的求解； 三極管工作情況總結(jié) 1： 狀態(tài) 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) I C截止 反偏或零偏 反偏 0放大 正偏 反偏 ? I B飽和 正偏 正偏 ? I B三極管處于放大狀態(tài)時，三個極上的 電流關(guān)系： 電位關(guān)系： ? ?BCEBEBCIIIIIII???????1 NP N PN Pc 最高 最低b 中VB=VE+ 0. 7V中VB=VE 0. 7Ve 最低 最高單管放大電路的三種基本接法 —— 組態(tài) 共射組態(tài) 共集組態(tài) 共基組態(tài) A u R i R o ebebeRrRR)1()1(?????????1//bebe rRRebeb RrR )1( ????ebecRrR)1( ??????? 1bee rRCRbebcrRR???CRbeb rR ?（反相 ,大） （同相 ,大） （同相， ?1） （最大） （最?。? （最小） (中 ) (大 ) (大 ) 。 1)電阻 R3應(yīng)選多大？ 2)電阻 R4的阻值有無限制？若有，其極限值為多大？ R2R3R4R6+ VCCuIuOVT1VT2R1R5mA1C Q 2C Q 1 ?? II 212CCB Q 1 ??? RRRVU???? k2C Q 1B E 1B Q 13 IUUR解： 1） V4656CCB Q 2 ??? RRRVU BQ 1BE 2BQ 2CQ 1 ????? UUUUV4BQ 24CQ 2CCCQ 2 ???? URIVU???? k8C Q 2B Q 1CC4 IUVR ?? k84 m a xR2） 故 VT1工作在放大區(qū)。 場效應(yīng)管總結(jié) VPVT結(jié)型 N VP0VGSVP時工作結(jié)型 P VP0VGSVP時工作NMOS 增強 VT0VGSVP時工作NMOS 耗盡 VGS可正可負VGSVP時工作PM OS 增強 VT0VGSVT時工作PM O S 耗盡 VGS可正可負VGSVP時工作各類場效應(yīng)管總結(jié) 絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 增 強 型 P 溝 道 增 強 型 20 )1( ??TGSDD VvIi絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 結(jié)型場效應(yīng)管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 2 )1(PGSD S SD Vvii ??路，要求不改變電源電壓和電阻、電容元件的數(shù)量。 1)電壓放大倍數(shù)比較大，應(yīng)選 ____。 3)電壓放大倍數(shù)接近 1，并且輸出電壓與輸入電壓反相，應(yīng)選____。 VDABJT幾種方式指標比較 VCACMRKbeLc )21//(rRR?? beLc2)//(rRR??beLc )21//(rRR??beLc2)//(rRR??0?oLc2//rRR?? 0?oLc2//rRR???? beorr?? ? ?? be
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1