半導體元器件的基本知識-展示頁
2025-03-02 15:11本頁面
【正文】 np 在本征半導體中摻入少量 三價 元素原子，稱為 空穴型半導體 或 P型半導體 。 擴散運動： 由于濃度差引起的非平衡載流子的運動 。 PN結形成過程分解： 2. PN結的單向導電性 無外接電壓的 PN結 → 開路 PN結，平衡狀態(tài) PN結 PN結外加電壓時 → 外電路產生電流 正向偏置（簡稱正偏） PN結： PN結外加直流電壓 V： P區(qū)接高電位（正電位） ,N區(qū)接低電位（負電位） → 正偏 → 正向電流 反向偏置（簡稱反偏） PN結反偏： P區(qū)接低電位（負電位）， N區(qū)接高電位（正電位）。 PN 結反向偏置 － － － － + + + + 內電場 外電場 變厚 N P + _ 內電場被被加強，多子的擴散受抑制。 R E 三、二極管的構成及類型 PN結 +管殼 +引線 負極引線 面接觸型 N型鍺 PN 結 正極引線 鋁合金 小球 底座 金銻 合金 點接觸型 正極 引線 觸絲 N 型鍺片 外殼 負極 引線 正極 引線 負極 引線 集成電路中平面型 P N P 型支持襯底 陽極 A 陰極 K 二極管符號 四、二極管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死區(qū) 電壓 iD = 0 Uth = V V (硅管 ) (鍺管 ) U ? Uth iD 急劇上升 0 ? U ? Uth 正向壓降 硅管 ( ? ) V ( ? ) V 鍺管 反向特性 IS U (BR) 反向擊穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS ?A(硅 ) 幾十 ?A (鍺 ) U U(BR) 反向電流急劇增大 (反向擊穿 ) 溫度影響 T 升高時，由本征激發(fā)產生的少子濃度增加，導致PN結內建電位差 UB減小。 — PN 結燒毀。 2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好，小于 Imin 時不穩(wěn)壓。 晶體管 一 . 基本結構 N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基極 發(fā)射極 集電極 符號： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN PNP 基區(qū)：最薄， 摻雜濃度最低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 發(fā)射結 集電結 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 結構特點： 集電區(qū)： 面積最大 二 .電流分配和放大原理 ? 1. 三極管放大的外部條件 B E C
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