freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

半導(dǎo)體光電子學(xué)課件緒論-展示頁

2025-01-27 18:59本頁面
  

【正文】 MOCVD)和化學(xué)束外延( CBE)的發(fā)展,出現(xiàn)了各類量子阱激光器 ﹑ 應(yīng)變量子激光器 ﹑垂直腔面發(fā)射激光器。 A/cm178。 A/cm178。工作特點(diǎn):把載流子和光場限制在 PGaAs薄層有源區(qū)中。 A/c㎡ 。 1962年, GE公司的霍爾 (Hall)用諧振腔觀察到 GaAs PN結(jié)正向偏置的相干光發(fā)射。 20世紀(jì) 60年代伯納德 (Bernard)和杜拉福格 (Duraffourg)給出了半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)受激輻射時(shí)的必要條件 —— 非平衡電子 ,空穴濃度的準(zhǔn)費(fèi)米能級差必須大于受激發(fā)射能量。半導(dǎo)體光電子學(xué) 緒 論 1897年湯姆遜發(fā)現(xiàn)電子, 1905年愛因斯坦提出電子學(xué)說 —— 為半導(dǎo)體光電子學(xué)奠定了基礎(chǔ)。1953年 9月,美國馮 ?紐曼預(yù)言在半導(dǎo)
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1