半導體光電子學課件》緒論-預覽頁
【正文】 anish)研究成功 AlGaAs/GaAs單異質(zhì)結 激光器 Jth = 10 179。室溫下 J=4 10 179。 雙異質(zhì)結構發(fā)展的主要標志： 1）為了降低閾值電流，研究出側(cè)向增益波導和折射率波導結構 2）輸出功率從幾毫瓦～幾瓦 3） 570～ 1600nm 室溫連續(xù)工作 InGaN多量子阱 — 417nm ZnSe藍綠光 — 480nm 4）獲單模、窄線寬、波長可調(diào)（動態(tài)單模）DBRLD 和 DFBLD 目前從 570nm到 1600nm波長范圍內(nèi)均有室溫連續(xù)工作的激光器。 70年代發(fā)展起來的光纖通信促使了半導體光電子學的發(fā)展， 光發(fā)射機 中有電 光轉(zhuǎn)換的半導體激光器和發(fā)光二極管， 光接受機 中有量子效率高的光 電轉(zhuǎn)換光電探
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