半導(dǎo)體光電子學(xué)課件》緒論-全文預(yù)覽
【正文】 《 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) 》 上?？萍汲霭嫔? 《 半導(dǎo)體激光器 》 電子工業(yè)出版社 。 LD泵浦的 固體激光器、光纖激光器 。 80年代以來(lái)由于晶體外延生長(zhǎng)新工藝，分子束外延（ MBE） ﹑ 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（ MOCVD）和化學(xué)束外延（ CBE）的發(fā)展，出現(xiàn)了各類量子阱激光器 ﹑ 應(yīng)變量子激光器 ﹑垂直腔面發(fā)射激光器。 A/cm178。 A/c㎡ 。 20世紀(jì) 60年代伯納德 (Bernard)和杜拉福格 (Duraffourg)給出了半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)受激輻射時(shí)的必要條件 —— 非平衡電子 ,空穴濃度的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)差必須大于受激發(fā)射能量。1953年 9月，美國(guó)馮 ?紐曼預(yù)言在半導(dǎo)體中產(chǎn)生受激發(fā)射的可能。 19681970年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的潘尼希（ P
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