ecvd質(zhì)量檢驗員培訓(xùn)-展示頁
2025-01-19 11:18本頁面
【正文】 粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除?？涛g、清洗、鍍膜簡介 周延豐 等離子刻蝕 ? 干法刻蝕：激光刻蝕、等離子刻蝕 ＊ 缺點(diǎn)：襯底損傷、殘余物污染、金屬雜質(zhì) ＊ 優(yōu)點(diǎn)： 優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 （這是各向同性反應(yīng)） 、對溫度變化不那么敏感、重復(fù)性好、避免了化學(xué)廢液 ? 濕法刻蝕：化學(xué)腐蝕 ＊ 缺點(diǎn)：缺乏各向同性、工藝難控制和過度的顆粒沾污 ＊ 優(yōu)點(diǎn)：一般不產(chǎn)生襯底損傷 等離子刻蝕 ?刻蝕的目的 由于在擴(kuò)散過程中，硅片的所有表面（包括邊緣）都將不可避免地擴(kuò)散上磷。 PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到 PN結(jié)的背面，而造成短路，所以要通過刻蝕去除邊緣的擴(kuò)散層。 CF4?CF CF CF、 F、 C以及他們的離子 等離子刻蝕 ? 等離子刻蝕的一般步驟 反應(yīng)室的氣體被等離子體 分離 成可化學(xué)反應(yīng)的元素 這些元素 擴(kuò)散并吸附 在硅片表面 這些元素在硅表面上進(jìn)行 表面擴(kuò)散 ，直到發(fā)生反應(yīng) 反應(yīng)生成物 解吸 ，離開硅片并排放 等離子刻蝕 ?等離子刻蝕工藝參數(shù) 射頻功率（反射功率） 輝光時間 壓力 氣體流量 等離子刻蝕 ?刻蝕不當(dāng)造成的影響 等離子刻蝕 ?刻蝕不當(dāng)造成的影響 等離子刻蝕 ?太陽電池等效電路 ocscpmpmVIVIFF ?inocscinmPVIFFPPE f f ???等離子刻蝕 ? 刻蝕的控制 ＊ 防止刻蝕不夠：關(guān)注設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)、主要是檢查輝光功率與反射功率、控制輝光時間、關(guān)注輝光顏色 ＊ 防止刻蝕過頭：目前的功率下等離子對硅片的轟擊作用應(yīng)該是不大的，需要將硅片盡量的夾緊，硅片之間縫隙盡量的小，當(dāng)然還要控制碎片率 等離子刻蝕 ?冷熱探針法原理 等離子刻蝕 ? 冷熱探針法原理 ＊ 熱探針和 N型半導(dǎo)體接觸時，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言將是低的。 ＊ 此電勢差可以用簡單的微伏表測量。 等離子刻蝕 ? 冷熱探針檢驗注意事項 先放冷探針，再放熱
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