光催化降解小分子有機(jī)污染物甲醛的研究-展示頁(yè)
2025-05-25 15:10本頁(yè)面
【正文】 吸附在 低價(jià)金屬離子上 ↗ ↘ ↗ P型 NiO 1/2H2→ H+ Ni3+→ Ni2+ 正離子 氣體吸附在 低價(jià)金屬離子上 ↗ ↘ ↘ P型半導(dǎo)體和它的 EF能級(jí) ?當(dāng)過(guò)渡技術(shù) 形成低價(jià)氧化物如 NiO， Cu2O， CoO等，常形成金屬陽(yáng)離子缺位的非計(jì)量化合物。 （ 2） p型半導(dǎo)體上吸附 O2相當(dāng)于受主雜質(zhì)，可接受滿帶的電子增加滿帶空穴量，隨氧壓的增加導(dǎo)電率增大，由于滿帶中有大量電子，因此吸附可一直進(jìn)行，表面吸附氧濃度較高。 雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體催化劑的 影響 ? 對(duì) n型半導(dǎo)體 A） 加入施主型雜質(zhì)， EF↗ Φ ↘ 導(dǎo)電率 ↗ B） 加入受主雜質(zhì)， EF ↘ Φ ↗ 導(dǎo)電率 ↘ ? 對(duì) p型半導(dǎo)體 A） 加入施主型雜質(zhì) EF↗ Φ ↘ 導(dǎo)電率 ↘ B） 加入受主型雜質(zhì) EF ↘ Φ ↗ 導(dǎo)電率 ↗ 半導(dǎo)體催化劑化學(xué)吸附與催化作用 化學(xué)吸附 A） 受電子氣體吸附（以 O2為例） （ 1）在 n型半導(dǎo)體上吸附 O2電負(fù)性大，容易奪導(dǎo)帶電子，隨氧壓增大而使導(dǎo)帶中自由電子減少，導(dǎo)電率下降。 ? 溫度升高，降低受主能級(jí)位置或增加受主雜質(zhì)濃度都可以提高 p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。 C） 向晶格摻入電負(fù)性在的間隙原子。 P型半導(dǎo)體生成條件 A） 非化學(xué)計(jì)量比氧化物中出現(xiàn)正離子缺位。 半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)與逸出功的關(guān)系 φφφ施 主受 主EFEF本 征 n pEFn型半導(dǎo)體與 p型半導(dǎo)體的生成 n型半導(dǎo)體生成條件 ? A） 非化學(xué)計(jì)量比化合物中含有過(guò)量的金屬原子或低價(jià)離子可生成 n型半導(dǎo)體。在受主能級(jí)上有空穴存在。這種半導(dǎo)體稱(chēng)為 n型半導(dǎo)體。 ? 如果能級(jí)出現(xiàn)在靠近半導(dǎo)體導(dǎo)帶下部稱(chēng)為施主能級(jí)。 ? 雜質(zhì)是以原子、離子或集團(tuán)分布在金屬氧化物晶體中，存在于晶格表面或晶格交界處。半導(dǎo)體的禁帶寬度一般在 。 ? 空帶：根本沒(méi)有填充電子的能帶。LOGO 工 業(yè) 催 化 原 理 Catalysis in industrial processes 廈門(mén)大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院化工系 過(guò)渡金屬半導(dǎo)體氧化物催化劑 金屬氧化物中缺陷和半導(dǎo)體性質(zhì) ? 滿帶：凡是能被子電子完全充滿的能帶叫滿帶。 ? 導(dǎo)帶：凡是能帶沒(méi)有完全被電子充滿的。 ? 禁帶：在導(dǎo)帶（空帶）和滿帶之間沒(méi)有能級(jí)不能填充電子這個(gè)區(qū)間叫禁帶。 導(dǎo) 體E（ a ）絕 緣 體E（ b ）5 e V ~ 1 0 e V本 征 半 導(dǎo) 體E（ c ）0 . 2 e V ~ 0 . 3 e VN 型 半 導(dǎo) 體E （ d ）施 主 能 線P 型 半 導(dǎo) 體E （ e ）受 主 能 線E fE fE f本征半導(dǎo)體、 n型半導(dǎo)體、 P型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體和 p型半導(dǎo)體的形成
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1