學(xué)時(shí)第三章二極管電路模型和穩(wěn)壓管-展示頁
2025-05-23 07:21本頁面
【正文】 A， f最高 =150MHz 8 (3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造工藝中。 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，極間電容大，用于工頻大的電流整流電路。 10 11 二極管的伏安 (VI)特性 二極管的伏安特性曲線可用下式表示 )1e( /SD D ?? TVvIi 0 vD / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8 ? 10 ? 20 ? 3 0 ? 4 0 5 10 1 5 20 ? 10 ? 20 ? 3 0 ? 40 i D /? A i D / m A 死區(qū) V th V BR 硅二極管 2CP10的 VI 特性 0 v D / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 ? 2 0 ? 4 0 ? 60 5 10 1 5 20 ? 10 ? 20 ? 3 0 ? 40 i D /? A i D / m A ② ① ③ V th V BR 鍺二極管 2AP15的 VI 特性 +i Dv DR正向特性 反向特性 反向擊穿特性 ( d ) 代表符號(hào)k 陰極陽極 a12 二極管的參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR和 最大反向工作電壓 VRM (3) 反向電流 IR (4) 極間電容 CJ（ CB、 CD ） 0 vD / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 0 .8 ? 10 ? 20 ? 3 0 ? 4 0 5 10 1 5 20 ? 10 ? 20 ? 3 0 ? 40 i D /? A i D / m A 死區(qū) V th V BR 硅二極管 2CP10的 VI 特性 BRRM V21V ?IR 最大正向平均電流 13 (a) 勢(shì)壘電容 CB P N (a ) 電壓增加時(shí) V D P N ( b ) 電壓減小時(shí) V D 描述勢(shì)壘區(qū)的空間電荷隨電壓變化而產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 勢(shì)壘電容與結(jié)電阻并聯(lián)，它只有在外加電壓改變時(shí)才起作用，特別是外加電壓的頻率越高 CB的作用就越明顯。利用這種特性可做成各種變?nèi)荻O管。 當(dāng) PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使多數(shù)載流子穿過 PN結(jié)，在對(duì)方區(qū)域 PN結(jié)附近有高于正常情況時(shí)的電荷累積。離結(jié)越遠(yuǎn)，由于空穴與電子的復(fù)合，濃度將隨之減小。 15 二極管的基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 16
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