[工學]模擬電路第一章-二極管-展示頁
2024-12-16 23:40本頁面
【正文】 取代，形成共價鍵 產(chǎn)生一個空位 吸引束縛電子來填補 受主 原子 硼原子成為不能移動 的負離子 空穴是多子，電子是少子 Positive (3)、雜質(zhì)半導體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半導體 雜質(zhì) 型半導體 多子 和 少子 的移動都能形成電流。 摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。 雜質(zhì)半導體 ? N 型半導體 +4 +4 +5 +4 磷原子 多余 電子 摻入少量的五價元素磷（或銻） 取代，形成共價鍵 多出一個電子 磷原子成為不能移動 的正離子 施主 原子 +4 +4 +5 +4 N 型半導體中的載流子是什么？ 由 施主原子 提供的電子，濃度與施主原子相同。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。 溫度 是影響半導體性能的一個重要的外部因素。 空穴的遷移相當于正 電荷的移動，因此可 以認為空穴是 載流子 。 即為本征半導體 本征半導體的結構示意圖 +4 +4 +4 +4 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩(wěn)定結構。 第一章 常用半導體器件 第一章 常用 器件 半導體 類別 項目 導體 絕緣體 代表物質(zhì) 一般最外層電子數(shù) 外層電子受原子核的束縛力 導電性 金屬 惰性氣體 硅、鍺 4 4 =4 小 易 大 二者之間 不易 二者之間 半導體 本征半導體 半導體基礎知識 純凈的晶體結構的半導體 無雜質(zhì) ??? Ge Si 半導體硅和鍺的最外層電子（ 價電子 ）都是四個。 ?結構特點 通過一定的工藝過程，可將其制成 晶體 。 共用電子 常溫下價電子 很難脫離共價鍵 成為 自由電子 導電能力很弱 +4 +4 +4 +4 熱和光的作用 自由電子 空穴 一些價電子獲得足夠的 能量而脫離共價鍵束縛 電子空穴對 本征激發(fā) （熱激發(fā)） 帶正電 帶負電 游離的部分自由電子 也可能回到空穴中去， 稱為 復合 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下， 空穴吸引附近的電子 來填補，這樣的結果 相當于空穴的遷移。 ?本征半導體的兩種載流子 溫度越高，載流子的濃度越高，導電能力越強。這是半導體的一大特點。 本征半導體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 在本征半導體中摻入 少量合適的雜質(zhì) ，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。 本征半導體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多子 ），空穴稱為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。但由于數(shù)量的關系，起導電作用的主要是多子 。 小結 P型半導體中 空穴 是多子， 自由電子 是少子。 半導體的導電能力與 溫度 、光強、雜質(zhì)濃度 和材料性質(zhì)有關。 在一定溫度下，本征半導
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