第1章半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管-展示頁
2025-07-29 08:29本頁面
【正文】 可以忽略不計(jì)。勢(shì)壘電 容不是常數(shù)，與 PN結(jié)的面積、空間電荷區(qū)的寬度 和外加電壓的大小有關(guān)。 N區(qū)的電子向 P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合 P區(qū)的空穴向 N區(qū)擴(kuò)散并與電子復(fù)合 空間電荷區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)方向 PN 結(jié) 第 1章 多子擴(kuò)散 少子漂移 內(nèi)電場(chǎng)方向 空間電荷區(qū) P 區(qū) N 區(qū) 在一定的條件下，多子擴(kuò)散與少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡， 空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定下來。 第 1章 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中 摻入少量的三價(jià)元 素 ,如硼 ,則形成 P 型 半導(dǎo)體。 價(jià)電子填補(bǔ)空穴 第 1章 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體 1 . N 型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體 中 摻入少量的 五價(jià)元 素 ,如磷 , 則形成 N型半導(dǎo) 體。故半導(dǎo)體中有電子和空穴兩 種載流子。 它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。第 1章 半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓管 半導(dǎo)體三極管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 第 1章 目錄 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 在熱力學(xué)溫度零度 和沒有外界激發(fā)時(shí) , 本征半導(dǎo)體不導(dǎo)電。 把純凈的沒有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶 稱為本征半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 硅原子 價(jià)電子 第 1章 本征半導(dǎo)體 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 本征激發(fā) 復(fù)合 在常溫下自由電子和空穴的形成 成對(duì)出現(xiàn) 成對(duì)消失 第 1章 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外電場(chǎng)方向 空穴導(dǎo)電的實(shí)質(zhì)是共價(jià)鍵中的束縛電子依次填補(bǔ)空穴形成電流。 空穴移動(dòng)方向 電子移動(dòng)方向 在外電場(chǎng)作用下， 電子和空穴均能 參與導(dǎo)電。 磷原子 +4 +5 多余價(jià)電子 自由電子 正離子 第 1章 N 型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖 少數(shù)載流子 多數(shù)載流子 正離子 在 N型半導(dǎo)中 ,電子是多數(shù)載流子 , 空穴是少數(shù)載流子。 +4 +4 硼原子 填補(bǔ)空位 +3負(fù)離子 第 1章 P 型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖 電子是少數(shù)載流子 負(fù)離子 空穴是多數(shù)載流子 第 1章 P 區(qū) N 區(qū) PN 結(jié)的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上 ,形成 P型半導(dǎo)體區(qū)域 和 N型半導(dǎo)體區(qū)域 ,在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè) PN 結(jié)。 第 1章 內(nèi)電場(chǎng)方向 E 外電場(chǎng)方向 R I PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? P 區(qū) N 區(qū) 外電場(chǎng)驅(qū)使 P區(qū)的空穴進(jìn)入空間 電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間
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