直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究畢業(yè)設(shè)計(jì)-展示頁(yè)
2024-09-09 07:50本頁(yè)面
【正文】 氣純度： % 氬氣壓力： ～ 氬氣流量： 100L/mim 氬氣管道泄漏率： 3）泵組系統(tǒng)泵 直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究 5 泵與主機(jī)之間設(shè)置有電動(dòng)閥及除塵器，中間用波紋管 連接，以減少振動(dòng)傳遞。建議用戶為本設(shè)備 的 “ 熱 場(chǎng)加熱電源”配備諧波抑制裝置，以利于提高電能利用效率，減少干擾。 10%， 50HZ 功率：大于 150KW/臺(tái) 配電盤應(yīng)裝有 500V、 400A 的空 氣開關(guān) ，及 380V、 400A 的隔離開關(guān)。 電源以及電控柜：電控柜 、 濾波柜控制以及連接線。 底座機(jī)架：全鑄鐵機(jī)架和底座。 爐筒：包括取光孔。 副室：主要是 副室筒以及上下法蘭組成。 圖 直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究 3 第 2 章 直拉單晶爐設(shè)備結(jié)構(gòu)及保養(yǎng)與維護(hù) 直拉單晶爐的結(jié)構(gòu) 單晶爐的主要構(gòu)成部件有提拉頭 、 副室 、 爐蓋 、 爐筒 、 下爐筒 、 底座機(jī)架 、坩堝下傳動(dòng)裝置 、 分水器以及水路布置 、 氬氣管道布置 、 真空泵以及真空除塵裝置和電源以及電控柜。 和自由表面處生長(zhǎng)，而與坩堝接觸，可以減少熱應(yīng)力。根據(jù)生長(zhǎng)晶體不同的要求， 加熱方式用高頻中頻感應(yīng)加熱或電阻加熱法。直拉法；該法的簡(jiǎn)單描述為：原料裝在一個(gè)坩堝中，坩堝上方有一可旋轉(zhuǎn)和升降的籽晶桿，桿的下端有一夾頭，其上捆上一根籽晶。 直拉單晶硅的特點(diǎn) 單晶硅的生產(chǎn) 方法以直拉法和區(qū)熔法為主，世界單晶硅產(chǎn)量，其中 70～ 80%是直拉法生產(chǎn)， 20～ 30%是區(qū)熔和其他方法生產(chǎn)的。 但用此法制單晶硅時(shí)，原料易被坩堝污染，單晶硅純度降低，拉制的單晶硅電阻率大于 50 歐姆 用直拉法制備硅單晶時(shí)，把高純多晶硅放入高純石英坩堝，在 硅單晶爐內(nèi)熔化；然后用一根固定在籽晶軸上的籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便在籽晶下端生長(zhǎng)。 目前區(qū)熔單晶應(yīng)用范圍比較窄，不及直拉工藝成熟，單晶中一些結(jié)構(gòu)缺陷沒(méi)有解決。 區(qū)熔法不使用坩堝，污染少，經(jīng)區(qū)熔提純后生長(zhǎng)的單晶硅純度較高，含氧量和含碳量低。 區(qū)熔法 區(qū)熔法又稱 Fz 法，即 懸浮區(qū)熔法。 Process Improvement 直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究 1 第 1 章 緒論 單晶硅的制備方法 為了制備 性能良好的單晶硅，在生產(chǎn)實(shí)踐中，人們通過(guò)不斷探索 、 發(fā)展和完善了 單晶硅 生長(zhǎng)技術(shù)。 Single crystal furnace。 關(guān)鍵詞：直拉法；單晶硅；單晶爐；熱場(chǎng)；工藝改進(jìn) 直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究 II Czochralski silicon device and process research Abstract Thanks to the rapid development of the global PV industry, the photovoltaic industry in China in recent years to take off quickly. At present, China has bee a large photovoltaic industry, vigorously develop around the solar industry, many of monocrystalline silicon panies have launched. Study and master the monocrystalline silicon preparation process is particularly important. The monocrystalline prepared Czochralski method, zone melting, while most of the domestic monocrystalline Czochralski prepared. Czochralski method of growing monocrystalline Si devices and the process is relatively simple, easy to achieve automatic control, high production efficiency, easy to prepare a largediameter single crystal, easy to control the concentration of impurities in the single crystal can be prepared by a lowresistance single crystal. This paper details the the the Czochralski crystal furnace structure and Czochralski silicon process, mon problems encountered and the actual production may last some key processes, such as the design of the thermal field remendations for improvement. Keyword: Czochralski。直拉法生長(zhǎng)單晶硅的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)效率高，易于制 備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻單晶。研究和掌握單晶硅的制取工藝顯得尤為重要。直拉單晶硅設(shè)備與工藝研究 目 錄 摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ⅰ Abstract .......................................................... Ⅱ 第一章 緒論 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 單晶硅的制備方法 ...............................................1 區(qū)熔法 .................................................... 1 直拉法 .................................................... 1 直拉單晶硅 的 特點(diǎn) ...............................................2 第二章 直拉單晶爐設(shè)備結(jié)構(gòu)及保養(yǎng)與維護(hù) .............................3 直拉單晶硅 爐 的結(jié)構(gòu) .............................................3 直拉單晶設(shè)備中的各類裝置 .......................................4 直拉單晶爐保養(yǎng)和維修簡(jiǎn) 介 .......................................7 第三章 直拉單晶硅的工藝流程與常見(jiàn)故障處理 ....................... 8 直拉單晶硅的一般工藝流程 .......................................8 拉晶過(guò)程中的異常情況及處理 .....................
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