微電子學概論--b03-文庫吧資料
2025-03-12 00:38本頁面
【正文】 生或復合 北京大學 微電子學研究所 9. 載流子的輸運 漂移電流 EqnqnvJ dD eif t ???遷移率 ? 電阻率 ? pn qpqn ??? ?? 1?? mq??單位電場作用下載流子獲得平均速度 反映了載流子在電場作用下輸運能力 載流子的漂移運動： 載流子在電場作用下的運動 引 入 遷 移 率 的 概 念 影 響 遷 移 率 的 因 素 北京大學 微電子學研究所 影響遷移率的因素： 有效質(zhì)量 平均弛豫時間（散射〕 體現(xiàn)在：溫度和 摻雜濃度 半導體中載流子的散射機制： 晶格散射（ 熱 運 動 引 起） 電離雜質(zhì)散射 北京大學 微電子學研究所 擴散電流 電子擴散電流： dxdnqDJndif fn ?,空穴擴散電流： dxdpqDJpdif fp ??,愛因斯坦關系 : ?qkTD ?載流子的擴散運動： 載流子在化學勢作用下運動 北京大學 微電子學研究所 過剩載流子的擴散和復合 過剩載流子的復合機制： 直接復合、間接復合、 表面復合、俄歇復合 過剩載流子的擴散過程 擴散長度 Ln和 Lp: L=(D?)1/2 描述半導體器件工作的基本方程 泊松方程 高斯定律 描述半導體中靜電勢的變化規(guī)律 靜電勢由本征費米能級 Ei的變化決定 qE i???能帶向下彎， 靜電勢增加 方程的形式 1 ? ?02 x,????st ???方程的形式 2 ? ???ssdxxE ??? 01電荷密度 ?(x)
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