【正文】 face Mount Component (表面帖裝元件 ) ? PLCC – Description: Small Outline Integrated Circuit (SOIC) – Class letter: U, IC, AR, C, Q, R – Lead Type : Jlead – of Pins: 2084 (Up to 100+) – Body Type: Plastic – Lead Pitch: 50 mils ( mm) – Orientation: Dot, notch, stripe indicate pin 1 and lead counts counterclockwise. Surface Mount Component (表面帖裝元件 ) ? MELF(金屬電極表面連接元件 ) – Description(描述 ): Metal Electrode Face (MELF) have metallized terminals cylindrical body. MELF ponent include Zener diodes, Resistors, Capacitors, and Inductors. – Class letter: Depends on ponent type – Value Range: Depends on ponent type – Tolerance: Depends on ponent type – Orientation: By polarity – Polarity: Capacitors have a beveled anode end. Diodes have a band at the cathode end. 二、 QFP塑料方型扁平式封裝和 PFP塑料扁平組件式封裝 ? QFP（ Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笮图呻娐范疾捎眠@種封裝形式，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。 ，故體積也較大。老化后測(cè)試（ postburnin electrical test） 芯片封裝介紹 一、 DIP雙列直插式封裝 ? DIP(DualIn－ line Package) 絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路 (IC) 其引腳數(shù)一般不超過 100個(gè)。高低溫電測(cè)試 ? 11。 離心測(cè)試（ constant acceleration） ? 9。穩(wěn)定性烘焙（ stabilization bake） ? 6。芯片粘貼測(cè)試（ die attach） ? 4。芯片測(cè)試（ wafer sort） ? 2。 硅器件失效機(jī)理 ? 1 氧化層失效：針孔、熱電子效應(yīng) ? 2 層間分離： ALSi、 CuSi合金與襯底熱膨脹系數(shù)不匹配。 8封 裝 ? 制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。 7檢驗(yàn)（ Inspection） ? 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合於使用。剪切與成形主要由一部衝壓機(jī)配上多套不同製程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu) 所組成。 5剪切 /成形（ Trim /Form） ? 剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開，並 把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（ dejunk）。 4封膠（ Mold） 封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支 持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。 3銲線（ Wire Bond） IC構(gòu)裝製程（ Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路（ Integrated Circuit；簡(jiǎn)稱 IC），此製程的目的是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。 2黏晶（ Die Bond） 黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導(dǎo)線架上並以銀膠（ epoxy）黏著固定。 欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行 晶圓黏片，而後再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。 測(cè)試制程（ Initial Test and Final Test） 1 晶片切割（ Die Saw） ? 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 晶粒（ die）切割分離。 半導(dǎo)體制造過程 ? 後段（ Back End） 后工序 構(gòu)裝（ Packaging）： IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ ceramic）及塑膠（ plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。亦由于銅的抗電子遷移（電版移民）能力比鋁好，因此可減輕其電移作用，提高芯片的可靠度。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。此外，對(duì)已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測(cè)。光罩檢測(cè)機(jī)臺(tái)則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進(jìn)的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。 光罩檢測(cè)（ Retical檢查） ? 光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。 制 程 監(jiān) 控 量測(cè)芯片內(nèi)次微米電路之微距，以確保制程之正確性。在進(jìn)行研磨時(shí)，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會(huì)被置于晶圓與研磨墊間。 化 學(xué) 機(jī) 械 研 磨 技 術(shù) ? 化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（化學(xué)機(jī)器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的 機(jī)械式研磨 與酸堿溶液的 化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達(dá)到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。離子植入制程可對(duì)植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制。 離子植入（ Ion Implant） ? 離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導(dǎo)體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子特性。離子化這些金屬原子的目的是，讓這些原子帶有電價(jià)，進(jìn)而使其行進(jìn)方向受到控制，讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進(jìn)，就像電漿蝕刻及化學(xué)氣相沉積制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。 CVD技術(shù)是半導(dǎo)體 IC制程中運(yùn)用極為廣泛的薄膜形成方法，如介電材料（ dielectrics）、導(dǎo)體或半導(dǎo)體等薄膜材料幾乎都能用 CVD技術(shù)完成。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產(chǎn)生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（ Radical）與晶片表面原子間的化學(xué)反應(yīng)，甚至也可能是以上兩者的復(fù)合作用。 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù) :最小可分辨圖形尺寸 Lmin(nm) 聚焦深度 DOF 曝光方式 :紫外線、 X射線、電子束、極紫外 蝕刻技術(shù)（ Etching Technology） 蝕刻技術(shù)（ Etching Technology）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)物理撞擊作用而移除的技術(shù)。 一般清洗技術(shù) 工藝 清潔源 容器 清潔效果 剝離光刻膠 氧等離子體 平板反應(yīng)器 刻蝕膠 去聚合物 H2SO4:H2O=6:1 溶液槽 除去有機(jī)物 去自然氧化層 HF:H2O1:50 溶液槽 產(chǎn)生無氧表面 旋轉(zhuǎn)甩干 氮?dú)? 甩干機(jī) 無任何殘留物 RCA1(堿性 ) NH4OH:H2O2:H2O=1:1: 溶液槽 除去表面顆粒 RCA2(酸性 ) HCl:H2O2:H2O =1:1:5 溶液槽 除去重金屬粒子 DI清洗 去離子水 溶液槽 除去清洗溶劑 光 學(xué) 顯 影 光學(xué)顯影是在感光膠上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。但在整體固態(tài)晶體內(nèi)，眾多小晶體的方向不相，則為復(fù)晶體（或多晶體）。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 集成電路中電阻 1 AL SiO2 R+ P P+ PSUB N+ R VCC N+BL Nepi P+ 基區(qū)擴(kuò)散電阻 集成電路中電阻 2 SiO2 R N+ P+ PSUB R