【正文】 ? DIP(DualIn－ line Package) 絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路 (IC) 其引腳數(shù)一般不超過 100個。芯片粘貼測試（ die attach） ? 4。 7檢驗（ Inspection） ? 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 檢驗之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合於使用。 3銲線（ Wire Bond） IC構(gòu)裝製程（ Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路（ Integrated Circuit；簡稱 IC），此製程的目的是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半導(dǎo)體制造過程 ? 後段（ Back End） 后工序 構(gòu)裝（ Packaging）： IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ ceramic）及塑膠（ plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。光罩檢測機臺則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。 化 學(xué) 機 械 研 磨 技 術(shù) ? 化學(xué)機械研磨技術(shù)（化學(xué)機器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的 機械式研磨 與酸堿溶液的 化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進行。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。 一般清洗技術(shù) 工藝 清潔源 容器 清潔效果 剝離光刻膠 氧等離子體 平板反應(yīng)器 刻蝕膠 去聚合物 H2SO4:H2O=6:1 溶液槽 除去有機物 去自然氧化層 HF:H2O1:50 溶液槽 產(chǎn)生無氧表面 旋轉(zhuǎn)甩干 氮氣 甩干機 無任何殘留物 RCA1(堿性 ) NH4OH:H2O2:H2O=1:1: 溶液槽 除去表面顆粒 RCA2(酸性 ) HCl:H2O2:H2O =1:1:5 溶液槽 除去重金屬粒子 DI清洗 去離子水 溶液槽 除去清洗溶劑 光 學(xué) 顯 影 光學(xué)顯影是在感光膠上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到感光膠下面的薄膜層或硅晶上。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 12。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 8。阱區(qū)注入及推進，形成阱區(qū) NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 3。減小寄生 PNP管的影響 SiO2 PSUB N+BL 要求： 1。然後晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨立的晶粒 三、 IC構(gòu)裝制程 ? IC構(gòu)裝製程（ Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 ? 目的：是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 ? 超凈間：潔凈等級主要由 微塵顆粒數(shù) /m3 I級 35 3 1 NA 10 級 350 75 30 10 NA 100級 NA 750 300 100 NA 1000級 NA NA NA 1000 7 半 導(dǎo)體元件制造過程 前段（ Front End）制程 前工序 晶圓處理制程（ Wafer Fabrication；簡稱 Wafer Fab） 典型的 PN結(jié)隔離的摻金 TTL電路工藝流程 一次氧化 襯底制備 隱埋層擴散 外延淀積 熱氧化 隔離光刻 隔離擴散 再氧化 基區(qū)擴散 再分布及氧化 發(fā)射區(qū)光刻 背面摻金 發(fā)射區(qū)擴散 反刻鋁 接觸孔光刻 鋁淀積 隱埋層光刻 基區(qū)光刻 再分布及氧化 鋁合金 淀積鈍化層 中測 壓焊塊光刻 橫向晶體管刨面圖 C B E N P PNP P+ P+ P P 縱向晶體管刨面圖 C B E N P C B E N P N+ p+ NPN PNP NPN晶體管刨面圖 AL SiO2 B P P+ PSUB N+ E C N+BL Nepi P+ P型 Si ρ ? 111晶向 ,偏離 2O~5O 晶圓（晶片） 晶圓（晶片）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分 解過程，制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。 與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 清洗 —N+擴散 (P) 外延層淀積 1。光 IIIN管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，以提高場開啟，減少閂鎖效應(yīng)及改善阱的接觸。形成PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護環(huán)。光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL）。可以分為 : 濕蝕刻（ wet etching） :濕蝕刻所使用的是化學(xué)溶液，在經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)之後達到蝕刻的目的 . 乾蝕刻（ dry etching） :乾蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（ plasma etching）。這樣做可以讓這些金屬原子針對極窄、極深的結(jié)構(gòu)進行溝填，以形成極均勻的表層，尤其是在最底層的部份。影響 CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。 一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。 舉例來說：以 ，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的 64M微量。其過程為將導(dǎo)線架置於框架上並預(yù)熱，再將框架置於壓模機上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填並待硬化。以金線連接芯片與導(dǎo) 線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。溫度循環(huán)測試（ temperature cycle） ? 8。 Intel系列 CPU中 8088就采用這種封裝形式，緩存 (Cache)和早期的內(nèi)存芯片也是這種封裝形式。 QFP/PFP封裝具有以下特點： Surface Mount Component ? PQFP – Description: Plastic Quad Flat Pack – Class letter: U, IC, AR, C, Q, R – Lead Type : Gullwing – of Pins: 44 and up – Body Type: Plastic – Lead Pitch: 12 mils ( mm) to mils ( mm) – Orientation: Dot, notch, stripe indicate pin 1 and lead counts counterclockwise. Surface Mount Component ? QFP (MQFP) – Description: Quad Flat Pack (QFP), Metric QFP (MQFP) – Class letter: U, IC, AR, C, Q, R – Lead Type : Gullwing – of Pins: 44 and up – Body Type: Plastic (Also metal and ceramic) – Lead Pitch: 12 mils ( mm) to mils ( mm) – Orientation: Dot, notch, stripe indicate pin 1 and lead counts counterclockwise. BGA球柵陣列封裝 ? 當(dāng) IC的頻率超過 100MHz時，傳統(tǒng)封裝方式可能會產(chǎn)生所謂的 “ CrossTalk”