ltps制程與技術(shù)發(fā)展(ppt59頁(yè))-文庫(kù)吧資料
2025-03-03 16:25本頁(yè)面
【正文】 (Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板 (Mask Blank)後作烘焙處理 (Baking) ? 將光罩基板上的膜面圖案予以曝光微影和顯影處理，形成所需要的圖案 標(biāo)準(zhǔn)化製作過程 (7) 7. 蝕刻工程： ? 在 CF和 TFT基板上，形成之金屬膜、絕緣膜和半導(dǎo)體膜等過程中作為光罩圖案 ? 所使用的光阻劑必須利用乾式 (Dry)或濕式(Wet)蝕刻裝置進(jìn)行加工處理，再利用濕式剝離裝置 (WetType Resist Stripping System)將所剩之光阻劑，予以剝離處理並進(jìn)行圖案的檢驗(yàn)工作 標(biāo)準(zhǔn)化製作過程 (8) 8. 閘極形成工程： ? PolySi TFT元件之閘極部分的形成工程 ? 在 PolySi薄膜上利用 CVD或熱氧化法(Heat Oxidation)，將絕緣性 SiO2薄膜形成於上，再利用 CVD將閘電極功能的 PolySi薄膜堆積其上 標(biāo)準(zhǔn)化製作過程 (9) 9. 雷射退火結(jié)晶化技術(shù)： ? 低溫 PolySi結(jié)晶化的技術(shù)主要是準(zhǔn)分子雷射退火法 (ELA) 資料來(lái)源：工研院電子所 資料來(lái)源：工研院電子所 資料來(lái)源：工研院電子所 標(biāo)準(zhǔn)化製作過程 (10) ： ? 為了 PolySi薄膜之源極和汲極層的低電阻化，及使關(guān)閉 (Off)電壓值提高，導(dǎo)入高濃度不純物的工程 ? 方法： ? 先利用離子植入裝置、雷射摻雜裝置和電漿摻雜裝置 ? 再將不純物的原子導(dǎo)入，再利用熱或雷射能量將不純物原子予以活性化。 陣列電路製程 (4) ? 與 αSi TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 ? PolySi TFT的特徵，有 –低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù) (Laser Annealing Crystallization) –低溫?fù)诫s汲極技術(shù) (Lightly Doping Drain，LDD) –氫化處理技術(shù) (Hydrogen eration) 陣列電路製程 (5) ? 氫化處理的目的在於 –使矽原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，能與氫原子結(jié)合而使其呈飽和狀態(tài) –可獲得高的載體移動(dòng)度 –使電子訊號(hào)的傳送速度變快 –動(dòng)態(tài)畫質(zhì)顯示清晰明亮。)成比例關(guān)係 陣列電路設(shè)計(jì) (3) ? 電容值減低的對(duì)策 – 信號(hào)線 (Busline)的線幅寬細(xì)
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