某公司功率器件封裝工藝流程培訓課件-文庫吧資料
2025-02-10 18:14本頁面
【正文】 ，且精度高可達到 ，重復性好。 XR管理圖 熱阻偏大的原因分析與工藝保證 30 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 測試篩選 晶體管的熱阻測試原理： 在一定范圍內(nèi) pn結的正向壓降 Vbe 的變化與結溫度的變化△ T有近似線性的關系： △ Vbe＝ k△ T 對于硅 pn結， k約等于 2，熱阻的計算公式為： Rth＝△ T/P 只需加一個穩(wěn)定的功率，測量晶體管的△ Vbe即可計算出晶體管的熱阻 RT。 專職檢驗員每隔 1小時巡查一次。 焊料點上熔化后，焊料與之的浸潤好。 與芯片、框架兩者之間的浸潤性良好，溶化后無顆粒狀。 每片先試粘一條，試推力，符合工藝規(guī)范才下投。 高效的測試手段進行篩選 。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 我們工藝控制過程中，最重要的是解決接觸熱阻。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關。 26 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 一、熱阻的定義 熱阻 (Rth)是表征晶體管工作時所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為 ℃ /W，即是當管子消耗掉 1W時器件溫度升高的度數(shù)。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 對于雙極晶體管，可測試 hFE、 Vcesat、 Vbesat、Rhfe、 Iceo、 Iebo、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強塑封氣密性 25 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個途徑 一、通過優(yōu)化電路，避免開關器件進入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 使用有 N2保護的烘箱，防止管子在高溫下氧化。 壓焊實物圖 11 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 壓焊車間 全新的 KS TO92壓焊機 壓焊車間 12 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 塑封 塑封體 框架管腳 塑封：壓機注 塑，將已裝片的管子進行包封 塑封示意圖 劃片 粘片 壓焊 塑封 打印 13 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 塑封的特點 采用環(huán)氧樹脂塑封材料封裝， 阻燃，應力小，強度高，導熱性好，密封性好，保證晶體管大功率使用情況下具有良好散熱能力，管體溫度低。 金絲－金絲球焊 鋁絲－超聲波焊 金絲 或鋁絲 壓焊示意圖 劃片 粘片 壓焊 塑封 打印 10 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 壓焊的特點 自動壓焊機，一致性好，焊點、弧度、高度最佳，可靠性高。 氮氫氣體保護，避免高溫下材料氧化。 優(yōu)質的框架及焊接材料使用，獲得良好的熱學和電學特性。至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件封裝工藝流程 2 1 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SE
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