ipqcesd訓(xùn)練教材-文庫吧資料
2025-01-13 23:31本頁面
【正文】 – 這是在材料中加入具有導(dǎo)電性或吸溼性的物質(zhì)，使其外層具有輕微導(dǎo)電性。 ◆ 靜電防護(hù)的基本原則 1. 避免靜電產(chǎn)生 2. 疏導(dǎo)或中和所產(chǎn)生之靜電 3. 摒蔽靜電場 逐一介紹說明如下： IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 21 1. 避免靜電產(chǎn)生 (A) 潮溼法 (Moisturing)水氣本身會有導(dǎo)電現(xiàn)象，故可降低絕綠體表面電阻，達(dá)到靜電防護(hù)目的 (B) 抗靜電塗佈法 (AntiStatic Coating) – 有部份溶液可噴灑於綠體青面降低物體表面電阻，達(dá)到靜電防護(hù)的目的。 ?下面是一 ESD累積破壞的試驗： 應(yīng)用前述 HBM接線方式（僅略去人體的電阻 R2=）來 量測 54S163IC 試驗條件： 試驗結(jié)果： 材料： 54s163 測試前 I= PASS 人體電容： 100pf 第一次 I= PASS 每次放電： 50V 第二次 I= PASS 放電次數(shù)： 5次 第三次 I= PASS 測試點： Vin=Pin2 (A) 第四次 I= FAIL GND=Pin8 (B) 第五次 I= FAIL IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 18 ◇ ESD破壞分析 ◆ 找出 PCB上之故障元件 ◆ 對故障元件進(jìn)行基本電性量測 – 功能測試 – 參數(shù)測試 ◆ Xray做表層分析 ◆ 去封膠（ Decapsulate）檢視內(nèi)部 ◆ 去除各層（玻璃層、鋁層）層層檢視 幾種遭 ESD破壞案例參考 IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 19 去 鋁 層 之 後 的 接 合 窗 A金屬接合窗 橫 切 面 放 大 (2,000) 橫 切 面 放 大 (10,000) IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 20 ◇ 靜電防護(hù) ◆ 晶片設(shè)計的靜電防護(hù) (治本方法 ) 本方法乃是靜電防護(hù)最好的辦法，但在設(shè)計半導(dǎo)體的抗靜電電路時，必須考慮到電路產(chǎn)生熱的影響、反應(yīng)時間、 最大電壓、 能量傳導(dǎo)、 寄生電容等等因子，故並非隨心所欲可以辦到。而其現(xiàn)象為斷路 。其現(xiàn)象亦 是短路。 電 流 大 (毫安培 、 mA) AC (60Hz) DC 結(jié) 果 01 01 有知覺 14 415 感到驚訝 421 1580 有反射動作 2140 80160 肌肉麻痺 40100 160300 休克 100 以上 300 以上 立即死亡 IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 12 ◇ ESD 的影響品質(zhì)方式 1. 人體放電模式 (Human Body Model , HBM) – 顧名思義知道此為借由人體於走動摩擦產(chǎn)生靜電，而影響 到元件的模式 人 體 元 件 ( HBM ) IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) . Tsai, 99/01/11 13 2. 電場感應(yīng)模式 (Field Induced Model , FIM) – 指由於外來電場感應(yīng)產(chǎn)生電荷，巧遇機(jī)緣而將電荷引導(dǎo)接 地引起的模式 3. 充電元件模式 (Charged Device Mode,CDM) – 上述 FIM模式中當(dāng)元件被移離開電場或接地時，就變成 CDM模式 元 件 外在電場感應(yīng)電荷 接地造成 ESD放電 (FIM) (Field) E (Grounded) 元 件 接地消失 移離電場 (CDM) (Field) IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 14 ◇ 元件被 ESD 破壞之原因及型態(tài) ◆ ESD破壞之原因： 1. 功率產(chǎn)生：如熱崩潰、 金屬被熔融 2. 電壓產(chǎn)生：如介電質(zhì)崩潰、表面崩潰 3. 潛在性故障：如功能劣化、降級 IPQC ESD 訓(xùn)練教材 (二 ) 15 ◆ ESD破壞之型態(tài) 1. 接面崩熔（ Junction Burnout）
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