太陽能電池工藝流程培訓(xùn)課件-文庫吧資料
2025-01-10 16:39本頁面
【正文】 圖像部位有印跡。通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成。 ?本設(shè)備運行時會產(chǎn)生微波輻射，每次維護后和停機一段時間再開機前都要檢測微波是否泄漏。 ?總反應(yīng)式為： O2HSiF4HFSiO 242 ???? ][SiFH2HFSiF624 ?? O2H][SiFH6HFSiO 2622 ???32 SiNx:H減反射膜 33 SiNx:H簡介 ?物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)： ?結(jié)構(gòu)致密，硬度大 ?能抵御堿金屬離子的侵蝕 ?介電強度高 ?耐濕性好 ?耐一般的酸堿，除 HF和熱 H3PO4 34 ?PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等離子增強型化學(xué)氣相沉積”，是一種化學(xué)氣相沉積 PECVD是借助微波使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成 等離子體 ，而等離子化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。 ???? PSiOSiOP 455 252 3 2 2 5 24 5 2 6PO C l O P O C l? ? ? ?31 磷硅玻璃的去除 ?氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸能與二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。 ? 控制方法 對于不同規(guī)格硅片，應(yīng)適當(dāng)?shù)恼{(diào)整輝光功率和刻蝕時間使達到完全去除短路通道的效果。 PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到 PN結(jié)的背面，而造成短路。 ?生產(chǎn)過程中， CF4中摻入 O2，這樣有利于提高 Si和 SiO2的刻蝕速率。 25 ?首先，母體分子 CF4在高能量的電子的碰撞作用下分解成多種中性基團或離子。它的 優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 。如果該薄層材料的電阻率為 ρ，則該整個薄層的電阻為 ?當(dāng) l=a（即為一個方塊）時，R=ρ/t。 ?方塊電阻也是標(biāo)志進入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)總量的一個重要參數(shù)。但在有外來 O2存在的情況下， PCl5會進一步分解成 P2O5并放出氯氣（ Cl2）其反應(yīng)式如下： ? 生成的 P2O5又進一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣 。 太陽電池磷擴散方法 14 清洗 飽和 裝片 送片 擴散 關(guān)源，退舟 方塊電阻測量 卸片 磷擴散工藝過程 15 擴散裝置示意圖 16 POCl3磷擴散原理 ? POCl3在高溫下（ 600℃ ）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反應(yīng)式如下： ? 生成的 P2O5在擴散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下：
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